等离子体处理装置以及等离子体处理方法制造方法及图纸

提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法，在等离子体处理时使覆盖件与盖一同下降而对运输载体进行保护。等离子体处理装置具备：基座，具有电极体以及对电极体进行支承的基体，电极体具有对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，能够相对于基座进行升降，在通过盖下降并与基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在载置面的基板的等离子体处理，运输载体具备保持片以及配置在保持片的外周部的框架，基板保持在保持片，并且经由保持片载置在载置面，等离子体处理装置还具备：引导件，沿着电极体的周围配置，并对框架进行定位；以及覆盖件，与盖一体设置，在形成有密闭空间时，至少覆盖运输载体的框架。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置以及等离子体处理方法
本专利技术涉及利用等离子体对基板进行清洗、蚀刻的等离子体处理装置以及等离子体处理方法，详细而言，涉及对保持在运输载体的基板进行等离子体处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。
技术介绍
等离子体处理装置一般具备箱型的盖和具有电极体的基座。盖能够进行升降，在将等离子体处理的对象物(基板)载置在电极体之后，使盖下降，并使盖与基座密接，从而形成密闭空间。对形成的密闭空间内进行减压，并供给工艺气体，并且对电极体施加高频电力，从而在密闭空间产生等离子体。由此，对载置在电极体的基板进行等离子体处理。作为将基板载置在电极体的方法，在专利文献1有使用末端执行器的教导。基板以支承在末端执行器的状态载置到电极体。然后，抽出末端执行器，将基板直接载置在电极体上。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特表2010-502016号公报
技术实现思路
为了提高运输等中的基板的操控性，有时在将基板粘附在具备保持片和配置在保持片的外周部的框架的运输载体的状态下进行等离子体处理。在该情况下，若框架直接暴露于等离子体，则会被加热而产生损伤或变形(例如，起伏等)。损伤的框架将被更换，在耗费成本的同时生产效率下降。此外，若框架变形，则有时会相对于载置面产生基板的上翘。在该情况下，在基板的上翘部和其它部分，等离子体处理会变得不均匀，从而产生加工形状的偏差、未处理部。进而，有时还会在上翘部产生局部性的温度上升或者异常放电。因此，在这样的等离子体处理装置内的等离子体处理台的上方具备覆盖件。在等离子体处理时，覆盖件覆盖框架，使得框架不会暴露于等离子体。覆盖件具备开口，基板从开口露出而暴露于等离子体。这样的覆盖件通常具备与盖的升降独立的升降机构。本专利技术的一个方面涉及等离子体处理装置，具备：基座，具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，能够相对于所述基座进行升降，在通过所述盖下降并与所述基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在所述载置面的所述基板的等离子体处理，所述运输载体具备保持片以及配置在所述保持片的外周部的框架，所述基板保持在所述保持片，并且经由所述保持片载置在所述载置面，所述等离子体处理装置还具备：引导件，沿着所述电极体的周围配置，并对所述框架进行定位；以及覆盖件，与所述盖一体设置，在形成有所述密闭空间时，至少覆盖所述运输载体的所述框架。本专利技术的另一个方面涉及等离子体处理方法，在通过使基座与盖密接而形成的密闭空间产生等离子体，从而对载置在载置面的基板进行等离子体处理，所述基座具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的所述基板进行载置的所述载置面，所述盖能够相对于所述基座进行升降，所述运输载体具备保持片以及配置在所述保持片的外周部的框架，所述等离子体处理方法具备：准备工序，准备保持所述基板的所述运输载体；搬入工序，将所述运输载体搬入到与所述载置面分离并且与所述载置面对置的位置；载置工序，在使所述框架沿着配置在所述电极体的周围的引导件的同时使搬入的所述运输载体朝向所述载置面移动，并且将所述基板经由所述保持片载置在所述载置面；以及密闭工序，在所述载置工序之后，使所述盖下降，从而形成所述密闭空间，在所述密闭工序中，所述框架被与所述盖一体设置的覆盖件所覆盖。专利技术效果根据本专利技术的等离子体处理装置，通过使盖下降的操作(工序)，覆盖件同时下降。因此，生产效率以及成品率均提高。附图说明图1是分别示意性地示出本专利技术的一个实施方式涉及的等离子体处理装置的盖、基座以及基板的立体图((a)～(c))。图2是概略性地示出本专利技术的一个实施方式涉及的、形成有密闭空间的状态的等离子体处理装置的剖视图。图3的(a)是概略性地示出本专利技术的一个实施方式涉及的保持了基板的运输载体的顶视图，图3的(b)是其B-B线处的剖视图。图4是概略性地示出图2所示的等离子体处理装置的引导件附近的剖视图((a)以及(b))。图4的(a)示出引导件处于上升位置的情况，图4的(b)示出引导件处于下降位置的情况。图5是概略性地示出本专利技术的第二实施方式涉及的等离子体处理装置的引导件附近的剖视图((a)以及(b))。图5的(a)示出引导件处于上升位置的情况，图5的(b)示出引导件处于下降位置的情况。图6是概略性地示出本专利技术的第三实施方式涉及的等离子体处理装置的引导件附近的剖视图((a)以及(b))。图6的(a)示出引导件处于上升位置的情况，图6的(b)示出引导件处于下降位置的情况。图7是示意性地示出本专利技术的实施方式涉及的等离子体处理方法的各工序中的等离子体处理装置的剖视图((a)～(c))。符号说明100：等离子体处理装置110：基座111：基体112：电极体112X：载置面114：绝缘构件116：密封构件117：排气口120：盖121：盖主体122：联动单元123：覆盖件124：第一施力单元130：引导件130X：第一主面130Y：第二主面130Z：引导面130Za：引导部(引导区域)130Zs：支承面131：第二施力单元200：臂300：基板400：电源部401：高频电源402：自动匹配器500：运输载体510：保持片510X：粘接面510Y：非粘接面520：框架520a：切角具体实施方式本专利技术涉及的等离子体处理装置具备基座和盖，基座具有电极体以及对电极体进行支承的基体，电极体具备载置基板的载置面。盖能够相对于基座进行升降，通过盖下降并与基体密接，从而形成密闭空间(以下，有时称为腔)。在腔内产生等离子体，从而进行载置在载置面的基板的等离子体处理。基板以保持在运输载体的状态载置在载置面。运输载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板粘附在保持片，并保持在运输载体。即，基板经由保持片载置在载置面。基板与运输载体一同通过臂进行运输。当运输载体到达与载置面分离并且与载置面对置的位置时，例如交接给后述的引导件，并通过引导件下降而载置在载置面。等离子体处理装置具备至少能够覆盖运输载体的框架的覆盖件。覆盖件与盖一体设置，当使盖下降时，覆盖件也下降。即，在形成有密闭空间时，至少框架被覆盖件所覆盖。因此，可抑制由等离子体造成的框架的损伤以及变形。此外，通过使盖下降而形成密闭空间的操作，同时覆盖框架。因此，生产效率以及成品率提高。等离子体处理装置还具备引导件。引导件通过对运输载体的框架进行定位，从而对载置在载置面的基板进行定位。由此，基板经由保持片以高精度载置在载置面的给定的位置。因此，能够通过覆盖件可靠地覆盖框架，因此抑制框架的损伤以及变形的效果提高。除此以外，因为基板的位置确定，所以能够进行高精度的等离子体处理。引导件沿着电极体的周围配置，具备与盖对置的第一主面、与基体对置的第二主面、以及面向电极体的侧面的引导面。在未形成密闭空间时，引导面的至少一部分从载置面向盖侧突出，即，引导面的至少一部分处于比载置面更靠近盖的状态。因此，在使框架沿着突出的引导面的同时，运输载体朝向载置面移动。[第一实施方式]以下，参照图1以及图2对第一实施方式涉及的等离子体处理装置进行具体说明。图1是分别示意性地示出等离子体处理装置100的盖120、基座110、以及基板300的立体图。图1(a)示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，具备：基座，其具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，其能够相对于所述基座进行升降，在通过所述盖下降并与所述基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在所述载置面的所述基板的等离子体处理，所述运输载体具备：保持片；以及框架，其配置在所述保持片的外周部，所述基板保持在所述保持片，并且经由所述保持片载置在所述载置面，所述等离子体处理装置还具备：引导件，其沿着所述电极体的周围而配置，并对所述框架进行定位；以及覆盖件，其与所述盖一体设置，在形成有所述密闭空间时，至少覆盖所述运输载体的所述框架。

【技术特征摘要】
2016.09.30 JP 2016-1947641.一种等离子体处理装置，具备：基座，其具有电极体以及对所述电极体进行支承的基体，所述电极体具备对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，其能够相对于所述基座进行升降，在通过所述盖下降并与所述基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在所述载置面的所述基板的等离子体处理，所述运输载体具备：保持片；以及框架，其配置在所述保持片的外周部，所述基板保持在所述保持片，并且经由所述保持片载置在所述载置面，所述等离子体处理装置还具备：引导件，其沿着所述电极体的周围而配置，并对所述框架进行定位；以及覆盖件，其与所述盖一体设置，在形成有所述密闭空间时，至少覆盖所述运输载体的所述框架。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，所述覆盖件经由第一施力单元与所述盖连结。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，所述引导件具备：第一主面，其与所述盖对置；第二主面，其与所述基体对置；以及引导面，其面向所述电极体的侧面，在未形成所述密闭空间时，所述引导面的至少一部分处于比所述载置面更靠近所述盖的状态。4.根据权利要求3所述的等离子体处理装置，所述框架具有比所述载置面大的外径，所述引导面具有：引导区域，其沿着所述框架的所述外周；以及支承面，其对所述框架进行支承，在未形成所述密闭空间时，所述引导区域的至少一部分从所述载置面向所述盖侧突出。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，所述引导区域从所述第一主面朝向所述支承面倾斜...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩井哲博，原基子，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP