载置台和等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备该载置台。载置台(2)具备静电卡盘(6)、基材(2a)、气体用隔离件(204)以及销(31)。静电卡盘具有供晶圆(W)载置的载置面(21)和与载置面(21)相对的背面(22)，在载置面形成有第1贯通孔(17)。基材(2a)与静电卡盘(6)的背面(22)接合，形成有与第1贯通孔(17)连通的第2贯通孔(18)。气体用隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔(18)。销(31)被收容于第1贯通孔(17)和气体用隔离件(204)。销(31)与第1贯通孔(17)以及气体用隔离件(204)各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比气体用隔离件与销之间的间隙大。

【技术实现步骤摘要】
载置台和等离子体处理装置
本专利技术涉及载置台和等离子体处理装置。
技术介绍
在专利文献1中记载有一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：处理容器，其能构成真空空间；载置台，其兼用作下部电极，将加工物保持于该处理容器内；上部电极，其以与该载置台相对的方式配置。在专利文献1所记载的等离子体处理装置中，通过向兼用作下部电极的载置台与上部电极之间施加高频电力，对配置到载置台的晶圆等加工物进行等离子体处理。另外，专利文献1所记载的等离子体处理装置具备多个升降销，该多个升降销相对于载置台的上表面出没自如，用于在载置台上抬起加工物。并且，载置台具有用于将该升降销收容于内部的销用孔。另外，专利文献1所记载的等离子体处理装置具有用于向加工物的背面与静电卡盘的表面之间供给用于热传递的氦气等的气孔。专利文献1所记载的等离子体处理装置为了防止在加工物与载置台之间产生放电具有上端部形成为倒锥形状的升降销和上端部形成为锥形状的销用贯通孔。升降销的上端部在升降销收容到销用贯通孔时与销用贯通孔的上端部面接触。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-143244号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，在专利文献1所公开的结构中，为了防止例如气孔中的放电，存在改善的余地。在本
中，期望的是能够防止异常放电的载置台和具备该载置台的等离子体处理装置。用于解决问题的方案即本专利技术的一方面的载置台是构成为能够被施加电压的载置台。载置台具备静电卡盘、基座、隔离件以及销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面接合，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。隔离件呈筒状，被插入于第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和隔离件。销与第1贯通孔以及隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比隔离件与销之间的间隙大。在该载置台中，销被收容于筒状的隔离件和形成于载置面的第1贯通孔，该筒状的隔离件插入到与第1贯通孔连通的第2贯通孔。由此，能够使设于载置台的孔的空间变窄，因此，能够不设置用于电子加速的空间。因此，防止在第1贯通孔和隔离件处的放电。而且，销与第1贯通孔以及隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，因此，不会阻碍气体供给功能、升降功能，能够防止放电。另外，在静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，由于热膨胀系数之差而第1贯通孔与隔离件之间的连接部位有可能偏离。在该载置台中，第1贯通孔与销之间的间隙比隔离件与销之间的间隙大。因此，即使是静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，也能够避免被插入到第1贯通孔和隔离件的销破损。而且，本专利技术人发现了如下内容：使基座侧的空间变窄的情况与使静电卡盘侧的空间变窄的情况相比，能够有效地防止异常放电。也就是说，通过使第1贯通孔与销之间的间隙具有为了避免销的破损所需要的空间，能够避免销的破损且有效地防止异常放电。本专利技术的另一方面的载置台是构成为能够被施加电压的载置台。载置台具备静电卡盘、基座和销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面接合，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和第2贯通孔。销与第1贯通孔以及第2贯通各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比第2贯通孔与销之间的间隙大。在该载置台中，销被收容于形成于载置面的第1贯通孔、以及与第1贯通孔连通的第2贯通孔。由此，能够使设于载置台的孔的空间变窄，因此，能够不设置用于电子加速的空间。因此，防止在第1贯通孔和第2贯通孔处的放电。而且，销与第1贯通孔以及第2贯通孔各自的内壁隔开间隙地配置，因此，不会阻碍气体供给功能、升降功能，能够防止放电。另外，在静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，由于热膨胀系数之差而第1贯通孔与第2贯通孔之间的连接部位有可能偏离。在该载置台中，第1贯通孔与销之间的间隙比第2贯通孔与销之间的间隙大。因此，即使是静电卡盘的材质与基座的材质不同的情况下，也能够避免被插入到第1贯通孔和第2贯通孔的销破损。而且，本专利技术人发现了如下内容：使基座侧的空间变窄的情况与使静电卡盘侧的空间变窄的情况相比，能够有效地防止异常放电。也就是说，通过使第1贯通孔与销之间的间隙具有为了避免销的破损所需要的空间，能够避免销的破损且有效地防止异常放电。在一实施方式中，也可以是，静电卡盘由陶瓷形成，在该静电卡盘的内部具有电极。基座也可以由金属形成。即使是在静电卡盘与基座之间存在了热膨胀系数之差的情况下，也能够避免销的破损且有效地防止异常放电。在一实施方式中，也可以是，第1贯通孔是供给冷热传递用气体的气孔。在该情况下，能够在可对加工物的背面进行冷却的载置台中有效地防止异常放电。在一实施方式中，也可以是，销是用于在载置台上抬起加工物的升降销。第1贯通孔也可以是销用贯通孔。在该情况下，能够在可使加工物上升的载置台中有效地防止异常放电。在一实施方式中，也可以是，在将第1贯通孔内的间隙的长度设为g1、将基座的热膨胀率设为α1、将静电卡盘的热膨胀率设为α2、将从载置面的中心到第1贯通孔的距离设为R、将销的直径设为D、将第2贯通孔内的间隙的直径设为d2、将距作为第1贯通孔和第2贯通孔同轴地配置时的温度的基准温度的目标温度差设为ΔT时，第1贯通孔内的间隙的长度g1满足以下的式1的关系。g1≥(2(R(α1-α2)ΔT+D)-d2-D)/2…(式1)在如此构成的情况下，能够根据孔的形成位置和加工物处理时的目标温度来决定第1贯通孔与销之间的间隙的长度。本专利技术的又一方面的等离子体处理装置具备处理容器、气体供给部、以及载置台。处理容器划分形成供等离子体生成的处理空间。气体供给部向处理空间内供给处理气体。载置台收容于处理空间内，供加工物载置。载置台构成为能够被施加电压。载置台具备静电卡盘、基座、隔离件和销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。隔离件呈筒状，被插入第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和隔离件。销与第1贯通孔以及隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比隔离件与销之间的间隙大。根据该等离子体处理装置，起到与上述的载置台的效果相同的效果。本专利技术的又一方面的等离子体处理装置具备处理容器、气体供给部、以及载置台。处理容器划分形成供等离子体生成的处理空间。气体供给部向处理空间内供给处理气体。载置台收容于处理空间内，供加工物载置。载置台构成为能够被施加电压。载置台具备静电卡盘、基座以及销。静电卡盘具有供加工物载置的载置面和与载置面相对的背面，在载置面形成有第1贯通孔。基座与静电卡盘的背面接合，形成有与第1贯通孔连通的第2贯通孔。销被收容于第1贯通孔和第2贯通孔。销与第1贯通孔以及第2贯通孔各自的内壁隔开间隙地配置，第1贯通孔与销之间的间隙比第2贯通孔与销之间的间隙大。根据该等离子体处理装置，起到与上述的载置台的效果相同的效果。专利技术的效果根据本专利技术的各种方面和实施方式，可以提供一种能够防止异常放电的载置台和等离子体处理装置。附图说明图1是表示第1实施方式的等离子体处理装置的结构的概略剖视图。图2是表示图1的等离子体处理装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种载置台，其是构成为能够被施加电压的载置台，其中，该载置台具备：静电卡盘，其具有供加工物载置的载置面和与所述载置面相对的背面，在所述载置面形成有第1贯通孔；基座，其与所述静电卡盘的背面接合，形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔；筒状的隔离件，其被插入到所述第2贯通孔；销，其被收容于所述第1贯通孔和所述隔离件，所述销与所述第1贯通孔以及所述隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，所述第1贯通孔与所述销之间的间隙比所述隔离件与所述销之间的间隙大。

【技术特征摘要】
2016.09.29 JP 2016-1917071.一种载置台，其是构成为能够被施加电压的载置台，其中，该载置台具备：静电卡盘，其具有供加工物载置的载置面和与所述载置面相对的背面，在所述载置面形成有第1贯通孔；基座，其与所述静电卡盘的背面接合，形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔；筒状的隔离件，其被插入到所述第2贯通孔；销，其被收容于所述第1贯通孔和所述隔离件，所述销与所述第1贯通孔以及所述隔离件各自的内壁隔开间隙地配置，所述第1贯通孔与所述销之间的间隙比所述隔离件与所述销之间的间隙大。2.一种载置台，其是构成能够被施加电压的载置台，其中，该载置台具备：静电卡盘，其具有供加工物载置的载置面和与所述载置面相对的背面，在所述载置面形成有第1贯通孔；基座，其与所述静电卡盘的背面接合，形成有与所述第1贯通孔连通的第2贯通孔；销，其被收容于所述第1贯通孔和所述第2贯通孔，所述销与所述第1贯通孔以及所述第2贯通孔各自的内壁隔开间隙地配置，所述第1贯通孔与所述销之间的间隙比所述第2贯通孔与所述销之间的间隙大。3.根据权利要求1或2所述的载置台，其中，所述静电卡盘由陶瓷形成，在所述静电卡盘的内部具有电极，所述基座由金属形成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，所述第1贯通孔是供给冷热传递用气体的气孔。5.根据权利要求1～3中任一项所述的载置台，其中，所述销是用于在所述载置台上抬起加工物的升降销，所述第1贯通孔是销用贯通孔。6.根据权利要求1～5中任一项所述的载置台，其中，在将所述第1贯通孔内的间隙的长度设为g1、将所述基座的热膨胀率设为α1、将所述静电卡盘的热膨胀率设为α2、将从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木康晴，佐藤大树，永山晃，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP