磁传感器装置制造方法及图纸

本发明专利技术的磁传感器装置具有棒状的磁体(9)；软磁性载体(7a)，该软磁性载体(7a)沿着磁体(9)的长边方向与磁体(9)平行地配置，在与面向磁体(9)的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件(4)，且该软磁性载体(7a)在长边方向上沿着磁体(9)的全长而延伸；以及引导件(14)，该引导件(14)具有介于磁体(9)与软磁性载体(7a)之间的底部、以及随着在磁体(9)的面向软磁性载体(7a)的面上沿着长边方向相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件(14)的底部及侧壁部由与磁体(9)相接且在长边方向上延伸的非磁性体来形成。利用与软磁性载体(7a)之间的磁吸引力，使磁体(9)夹着引导件(14)被吸附并保持于软磁性载体(7a)。

Magnetic sensor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器装置
本专利技术涉及对形成于纸币等纸片状介质上的微小磁性图案进行检测的磁传感器装置。
技术介绍
在专利文献1中揭示了具有磁体及磁阻效应元件的磁传感器装置，该磁体的磁极配置于在传输路径上被传输的被检测物的一个面且该磁体用于生成与所述被检测物相交的交叉磁场，该磁阻效应元件设置于该磁体与所述被检测物之间且具有输出端子，并输出因在所述交叉磁场内被传输的所述被检测物的磁分量所引起的所述交叉磁场的传输方向分量的变化以作为电阻值的变化，作为生成交叉磁场的磁回路的结构，专利文献1还记载了将被检测物夹在中间而将磁体相对配置的结构、以及在被检测物的一个面配置磁体而在另一个面将磁性体相对配置的结构。在专利文献2中记载了具有如下特征的磁传感器，该磁传感器具有：基板；磁阻元件，该磁阻元件具有在该基板上具有一定间隔且相互平行地配置的一对磁敏部；导体层，该导体层配置于和一对所述磁敏部分别具有相等距离的位置；以及电阻，该电阻与所述导体层以串联方式电连接。在专利文献3中记载了如下结构：即，利用配置成矩阵状的多个短磁体，得到磁通密度在矩阵的排列方向上均匀的长磁回路。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2012-255770号公报专利文献2：日本专利特开平08-201493号公报专利文献3：国际公开2013/114993号
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题在专利文献1及专利文献2所记载的磁传感器装置中，传感器输出会受到由磁体和磁性体构成的磁场生成部的磁通密度的影响。因此，为了得到长磁回路装置，必须具有磁通密度在长边方向上均匀的长磁场生成部。专利文献3示出了如下结构：作为为了得到磁通密度在长边方向上均匀的长磁场生成部的结构，在连续的铁类金属性磁轭之间将多个磁体紧密地排列成一列并固定。然而，存在如下问题：即，在将线膨胀系数较小的磁体固定于线膨胀系数大于磁体的铁类金属制磁轭的情况下，在周围温度发生变化时，因线膨胀系数的不同会导致磁场生成部发生弯曲或者发生破损。在磁场生成部发生弯曲时，磁场生成部会干扰磁传感器装置的传输被检测物的面，产生被检测物被磁传感器装置绊住等传输方面的阻碍。另外，还存在如下问题：即，在磁传感器装置的读取宽度方向(长边方向)上，由于被检测物与磁场生成部之间的间隔上产生差异，因此，在读取宽度方向上检测灵敏度出现偏差，无法得到稳定的检测输出。在磁场生成部发生破损的情况下，由于磁场生成部的磁通密度在磁传感器装置的长边方向上变得不均匀，因此，传感器的响应在磁传感器装置的长边方向上变得不固定。本专利技术正是为了解决上述问题而完成的，其目的在于得到一种长磁传感器装置，在磁体与固定磁体的构件的线膨胀系数不同的情况下，即使温度发生变化，磁体也不会发生弯曲或发生破损。解决技术问题的技术方案本专利技术所涉及的磁传感器装置具有；棒状的磁体；载体，该载体沿着磁体的长边方向与磁体平行地配置，在与面向磁体的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件，且该载体由在长边方向上沿着磁体的全场延伸的磁性体来形成；以及引导件，该引导件具有介于磁体与载体之间的底部、以及沿着在长边方向上与磁体的面向所述载体的面相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件的底部及侧壁部由与磁体相接且在长边方向上延伸的非磁性体来形成。利用与载体之间的磁吸引力，使磁体夹着引导件被吸附并保持于载体。专利技术效果根据本专利技术，通过使用引导件和由磁力产生的吸引力，将磁体固定于磁传感器装置的长边方向以外的方向上，且设置为在长边方向上能够滑动，因此，由于不会发生因磁体和磁轭的线膨胀系数的不同而造成的弯曲或破损，因此，得到一种在周围温度发生变化的情况下，也能够稳定地检测出具有磁分量的被检测物的长形磁传感器装置。附图说明图1是本专利技术实施方式1所涉及的磁传感器装置的与主扫描方向垂直的剖面图。图2A是从传输路径一侧观察实施方式1所涉及的磁传感器装置的立体图。图2B是从底面侧观察实施方式1所涉及的磁传感器装置的立体图。图3A是实施方式1所涉及的磁传感器装置中的载体的立体图。图3B是实施方式1所涉及的载体的剖面图。图4A是从传输路径一侧观察实施方式1所涉及的磁传感器装置的壳体的立体图。图4B是从底面侧观察实施方式1所涉及的磁传感器装置的壳体的立体图。图5A是组装有实施方式1所涉及的磁传感器装置中的传感器基板、载体、磁阻元件及信号放大器IC后的状态的立体图。图5B是实施方式1所涉及的检测部的剖面图。图6A是实施方式1所涉及的磁传感器装置中的磁场生成部的立体图。图6B是实施方式1所涉及的磁场生成部的剖面图。图7是将实施方式1所涉及的磁传感器装置的传感器部与磁场生成部相接合后的剖面图。图8是将实施方式1所涉及的磁传感器装置的传感器部与磁场生成部组装于壳体后的状态的剖面图。图9是图8的状态下安装散热构件后的状态的剖面图。图10是图9的状态下安装罩体后的状态的剖面图。图11是本专利技术实施方式2所涉及的磁传感器装置的与主扫描方向垂直的剖面图。图12A是从传输路径一侧观察本专利技术的实施方式3所涉及的磁传感器装置的引导件的立体图。图12B是从底面侧观察实施方式3所涉及的磁传感器装置的引导件的立体图。图12C是实施方式3所涉及的磁传感器装置的引导件的侧视图。图13A是将磁体与磁轭嵌入实施方式3所涉及的引导件后的状态的立体图。图13B是将磁体与磁轭嵌入实施方式3所涉及的引导件后的状态的侧视图。图14是本专利技术实施方式4所涉及的磁传感器装置的与主扫描方向垂直的剖面图。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在图中，同一标号表示相同或相当的部分。实施方式1图1是本专利技术实施方式1所涉及的磁传感器装置的与主扫描方向垂直的剖面图。图2A是从传输路径一侧观察实施方式1所涉及的磁传感器装置的立体图。图2B是从底面侧观察实施方式1所涉及的磁传感器装置的立体图。在图中，为了便于理解，被记为X、Y、Z的三轴表示固定的直角坐标系。X轴表示磁传感器装置的读取宽度方向(主扫描方向)。主扫描方向是磁传感器装置的长边方向。Y轴表示检测对象物相对于磁传感器装置的传输方向(副扫描方向)。副扫描方向是磁传感器装置的短边方向。Z轴表示磁传感器装置的高度方向。另外，在本专利技术的所有实施方式中，检测对象物的传输是指磁传感器装置与检测对象物的相对运动，除了固定有磁传感器装置并传输检测对象物的情况以外，也包括检测对象物不动而使磁传感器装置本身向着与传输方向相反的方向运动的情况。在图1中，磁传感器装置在与纸币等检测对象物20的传输方向21(Y方向)及主扫描方向(X方向)正交的Z方向上，按照从检测对象物20的传输路径到Z轴负方向的顺序，具有磁阻效应元件4、载体7、引导件14、棒状的磁体9以及磁轭10。棒状的磁体9是剖面为长方形的四棱柱。磁体9配置成长边方向与主扫描方向平行。载体7配置成沿着磁体9的长边方向与磁体9平行，且由在长边方向(主扫描方向)上沿着磁体9的全长延伸的磁性体来形成。磁阻效应元件4设置于载体7的与磁体9相对的面的相反侧的面。引导件14的底部存在于磁体9与载体7之间，具有侧壁部，该侧壁部沿着在长边方向上与磁体9的与载体7相对的面相接的侧面从底部立起设置。引导件14的底部及侧壁部与磁体9相接，且由在磁体9的长边方向上延伸的非磁性体来形成。磁轭10与磁体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器装置，其特征在于，具有：棒状的磁体；载体，该载体沿着所述磁体的长边方向与所述磁体平行地配置，在与面向所述磁体的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件，且该载体由在所述长边方向上沿着所述磁体的全长延伸的磁性体来形成；以及引导件，该引导件具有介于所述磁体与所述载体之间的底部、以及沿着在所述长边方向上与所述磁体的面向所述载体的面相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件的所述底部及所述侧壁部由与所述磁体相接且在所述长边方向上延伸的非磁性体来形成，利用与所述载体之间的磁吸引力，使所述磁体夹着所述引导件被吸附并保持于所述载体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.02.02 JP 2015-0181521.一种磁传感器装置，其特征在于，具有：棒状的磁体；载体，该载体沿着所述磁体的长边方向与所述磁体平行地配置，在与面向所述磁体的面相反侧的面上设置有磁阻效应元件，且该载体由在所述长边方向上沿着所述磁体的全长延伸的磁性体来形成；以及引导件，该引导件具有介于所述磁体与所述载体之间的底部、以及沿着在所述长边方向上与所述磁体的面向所述载体的面相接的侧面从所述底部立起设置的侧壁部，该引导件的所述底部及所述侧壁部由与所述磁体相接且在所述长边方向上延伸的非磁性体来形成，利用与所述载体之间的磁吸引力，使所述磁体夹着所述引导件被吸附并保持于所述载体。2.如权利要求1所述的磁传感器装置，其特征在于，所述侧壁部具有从所述底部的与所述长边方向垂直的短边方向上的一个端部立起设置的第一侧壁、以及从所述底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井秀树，国枝达也，尾込智和，冈田正明，吉冈贞明，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP