The utility model provides a capacitor array structure, a plurality of the memory array structure of the pad is formed on the semiconductor substrate, including the capacitor array structure: a lower electrode layer, in contact with the pad, the section shape of the lower electrode layer for the side wall in U type wave shape rectangular or dentate; the capacitor dielectric layer, the inner surface and the outer surface is coated on the lower electrode layer; and an upper electrode layer, the outer surface covers the capacitor dielectric layer. The surface outline of the lower electrode plate, the capacitance dielectric layer and the upper electrode plate of the utility model is corrugated or rectangular, and the capacitor can be significantly increased without increasing the height of the capacitor.
【技术实现步骤摘要】
电容器阵列结构
本技术属于半导体器件及制造领域,特别是涉及一种电容器阵列结构。
技术介绍
动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory,简称:DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件,由许多重复的存储单元组成。在20nm一下的DRAM制程中,DRAM均采用堆栈式的电容构造,其电容器(Capacitor)是垂直的高深宽比的圆柱体形状。请参阅图1至图6,现有的DRAM的制备方法包括如下步骤:1)提供一半导体衬底11,所述半导体衬底11上形成有多个在内存数组结构中的焊盘111;2)于所述半导体衬底11的上表面形成交替叠置的介质层12及支撑层13,如图1所示;3)于步骤2)得到的结构的上表面形成图形化掩膜层14,如图2所示;4)依据所述图形化掩膜层14刻蚀所述支撑层13及所述介质层12,以在所述支撑层13及所述介质层12内形成电容孔15,所述电容孔15暴露出所述焊盘111,如图3所示;5)于所述电容孔15内形成下电极层16,并去除所述介质层12,如图4所示;6)于所述下电极层16的内表面及外表面形成覆盖所述下电极层16的电容介质层17,如图5所示;及7)于所述电容介质层17的外表面形成覆盖所述电容介质层17的上电极18,如图6所示。然而,在上述工艺中,作为牺牲层的所述介质层12均为单一的氧化硅层,形成的所述电容孔15的侧壁一般为平整的竖直侧壁。为了得到足够的电容,目前需要形成深宽比非常大的电容结构,即需要形成的所述电容孔15的深宽比足够大。但随着所述电容孔15的深宽比增大,对于刻蚀工艺及清洗工艺都会带来很大的挑战。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术 ...
【技术保护点】
一种电容器阵列结构,其特征在于,所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上,所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘,所述电容器阵列结构包括:下电极层,与所述焊盘接触,所述下电极层的截面形状为侧壁呈波浪状或矩形齿状的U型;电容介质层,覆盖于所述下电极层的内表面及外表面;及上电极层,覆盖于所述电容介质层的外表面。
【技术特征摘要】
1.一种电容器阵列结构,其特征在于,所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上,所述半导体衬底上形成有多个在内存数组结构中的焊盘,所述电容器阵列结构包括:下电极层,与所述焊盘接触,所述下电极层的截面形状为侧壁呈波浪状或矩形齿状的U型;电容介质层,覆盖于所述下电极层的内表面及外表面;及上电极层,覆盖于所述电容介质层的外表面。2.根据权利要求1所述的电容器阵列结构,其特征在于:所述电容器阵列还包括顶支撑层,位于所述下电极层的开口外围,且垂直于所述下电极层的U形侧壁延伸方向。3.根据权利要求2所述的电容器阵列结构,其特征在于:所述电容器阵列还包括中介支撑层,位于所述顶支撑层与所述半导体衬底之间,所述下电极层的最小外径由所述顶支撑层和所述中介支撑层的开孔尺寸界定。4.根据权利要求1、2或3所述的电容器阵列结构,其特征在于:所述下电极层的最大外径为其最小外径的1.05~1.2倍。5.一种半导体存储器件结构,其特征在于,所述半导体存储器件结构包括如权利要求1所述的电容器阵列结构。6.一种电容器阵列结构,其特征在于,所述电容器阵列结构设置于半导体衬底上,所述半导体衬底上形...
【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:睿力集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽,34
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