电容器结构及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种电容器结构及其制造方法。此电容器结构配置于介电衬底上，其包括接触窗插塞、杯状的第一电极、电容介电层以及第二电极。接触窗插塞具有第一部分与第二部分。第一部分配置于介电衬底中而与介电衬底中的主动元件连接且突出介电衬底。第二部分位于第一部分上，且第二部分的宽度大于第一部分的宽度。第一电极配置于第二部分上。电容介电层配置于第一电极、暴露于介电衬底外的接触窗插塞以及介电衬底的表面上。第二电极配置于电容介电层上。本发明专利技术提供的电容器结构及其制造方法，具有较高的可靠度。

Capacitor structure and its manufacturing method

The invention provides a capacitor structure and a manufacturing method. The capacitor structure is arranged on the dielectric substrate, which includes the contact window plug, the cup - like first electrode, the capacitance dielectric layer and the second electrode. The contact window plug has the first part and the second part. The first part is configured on the dielectric substrate and connected to the active component in the dielectric substrate and protruded the dielectric substrate. The second part is located on the first part, and the width of the second part is larger than the width of the first part. The first electrode is disposed on the second part. The capacitive dielectric layer is arranged on the first electrode, the contact window plugs exposed to the dielectric substrate and the surface of the dielectric substrate. The second electrode is arranged on the dielectric layer. The capacitor structure and the manufacturing method provided by the invention have high reliability.

【技术实现步骤摘要】
电容器结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，尤其涉及一种电容器结构及其制造方法。
技术介绍
在现今半导体产业中，电容器为相当重要的基本元件。举例来说，金属-绝缘体-金属电容器(MIM电容器)为一种常见的电容器结构，其设计为在作为电极的金属层之间充填介电材料，而使得两相邻的金属层与位于其间的介电材料可形成一个电容器单元。一般来说，在形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管以及与MOS晶体管连接的接触窗插塞之后，进行形成电容器的工艺。上述形成电容器的工艺主要包括以下步骤：在基板上形成介电层，于介电层中形成开口，以及于开口中依序形成下电极、电容介电层与上电极。然而，随着半导体元件的尺寸持续缩小，在形成上述开口时并不容易形成具有所需深宽比的开口。此外，由于形成于开口中的下电极必须与下方的接触窗插塞连接，随着元件尺寸缩小，开口与接触窗插塞之间的对准也逐渐困难。当开口无法与接触窗插塞对准时，会导致下电极无法完全地形成于接触窗插塞上而产生偏移，进而导致元件可靠度降低的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种电容器结构，其具有较高的可靠度。本专利技术另提供一种电容器结构的制造方法，其具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器结构，其特征在于，配置于介电衬底上，所述电容器结构包括：接触窗插塞，具有第一部分与第二部分，其中所述第一部分配置于所述介电衬底中而与所述介电衬底中的主动元件连接且突出所述介电衬底，所述第二部分位于所述第一部分上，且所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；杯状的第一电极，配置于所述第二部分上；电容介电层，配置于所述第一电极、暴露于所述介电衬底外的所述接触窗插塞以及所述介电衬底的表面上；以及第二电极，配置于所述电容介电层上。

【技术特征摘要】
1.一种电容器结构，其特征在于，配置于介电衬底上，所述电容器结构包括：接触窗插塞，具有第一部分与第二部分，其中所述第一部分配置于所述介电衬底中而与所述介电衬底中的主动元件连接且突出所述介电衬底，所述第二部分位于所述第一部分上，且所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；杯状的第一电极，配置于所述第二部分上；电容介电层，配置于所述第一电极、暴露于所述介电衬底外的所述接触窗插塞以及所述介电衬底的表面上；以及第二电极，配置于所述电容介电层上。2.根据权利要求1所述的电容器结构，其特征在于，还包括支撑层，配置于所述第一电极的外表面上，且邻近所述第一电极的顶端。3.根据权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，所述支撑层的材料包括氮化物。4.根据权利要求2所述的电容器结构，其特征在于，所述电容介电层覆盖所述支撑层的表面。5.一种电容器结构的制造方法，其特征在于，包括：于介电衬底上依序形成第一介电层与第二介电层，其中所述介电衬底中形成有主动元件；于所述第二介电层、所述第一介电层与所述介电衬底中形成与所述主动元件连接的接触窗插塞，其中所述接触窗插塞具有第一部分与第二部分，所述第一部分位于所述第一介电层与所述介电衬底中，所述第二部分位于所述第二介电层中，且所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度；于所述第二介电层上形成第三介电层；于所述第三介电层中形成开口，所述开口暴露出部分所述第二部分；于所述开口的侧壁与底部上形成第一导电层；移除所述第一介电层、所述第二介电层与所述第三介电层；于暴露于...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴哲秀，陈明堂，王春杰，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71