用于半导体衬底的表面处理的方法技术

本公开涉及用于半导体衬底的表面处理的方法。具体地，描述了一种用于将抗浸润涂层施加到半导体材料衬底的方法。所述方法包括向支撑体施加包括至少一个不饱和键和可选的至少一个杂原子的碳氢化合物溶液，用于获得在所述支撑体上的碳氢化合物层。所述方法还包括用酸对所述半导体材料衬底的至少一个表面进行处理。所述碳氢化合物层从所述支撑体转移到所述半导体材料衬底的表面。所述碳氢化合物层化学耦合到所述半导体材料衬底的表面。所述方法可以应用到具有喷嘴面板的集成喷墨打印头，其中喷嘴面板用作半导体材料衬底。

A method of surface treatment for semiconductor substrate

The present disclosure relates to a method for surface treatment for a semiconductor substrate. Specifically, a method for applying an anti infiltration coating to a substrate of a semiconductor material is described. The method includes applying a hydrocarbon solution including at least one unsaturated bond and optional at least one heteroatom to the support body for obtaining the hydrocarbon layer on the supporting body. The method also includes processing at least one surface of the semiconductor material substrate with acid. The hydrocarbon layer is transferred from the support to the surface of the semiconductor material substrate. The hydrocarbon layer is chemically coupled to the surface of the semiconductor material substrate. The method can be applied to an integrated inkjet printing head with a nozzle panel, in which the nozzle panel is used as a semiconductor material substrate.

【技术实现步骤摘要】
用于半导体衬底的表面处理的方法本申请是申请日为2015年12月22日、申请号为2015109743095、专利技术名称为“用于半导体衬底的表面处理的方法”的中国专利技术专利申请的分案申请。在先申请和交叉引用本申请要求对提交于2014年12月22日的意大利专利申请No.TO2014A001089的优先权，该申请的内容通过全文引用而以法律允许的最大范围引入本申请。
本专利技术涉及一种用于半导体材料衬底(特别是用于喷墨打印机的喷嘴面板)的表面处理的方法，更具体地，涉及一种用于施加化学上稳定且限于该喷嘴表面上的抗浸润涂层的方法。
技术介绍
在各种应用中，有必要在暴露于液体中的表面上施加拒水和/或拒油涂层。例如，在喷墨打印头的示例中，有必要在打印头喷嘴面板上施加抗浸润涂层(AWC)从而防止墨水在喷墨打印期间或者之后形成残留。事实上，在墨滴所排出的喷嘴的孔口周围的残留累积可能导致液滴方向的改变，由此导致打印图像质量的降级。抗浸润处理必须进一步仅被应用在喷嘴孔口的外侧从而防止打印解析度被影响并且当其置于与例如很多可能会在短期内破坏AWC的水基墨水的酸性或碱性溶液相接触时必须为化学上稳定的。对诸如硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：去钝化由半导体材料制成的衬底的表面；在所述衬底的去钝化的表面上沉积碳氢化合物层；以及将所述碳氢化合物层化学耦合到所述衬底的所述去钝化的表面，以形成抗浸润涂层。

【技术特征摘要】
2014.12.22 IT TO2014A0010891.一种方法，包括：去钝化由半导体材料制成的衬底的表面；在所述衬底的去钝化的表面上沉积碳氢化合物层；以及将所述碳氢化合物层化学耦合到所述衬底的所述去钝化的表面，以形成抗浸润涂层。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：向支撑体施加包括至少一个不饱和键的碳氢化合物的溶液，用于获得在所述支撑体上的所述碳氢化合物层；以及将所述碳氢化合物层从所述支撑体转移到所述衬底的所述表面。3.根据权利要求2所述的方法，其中施加包括将所述支撑体浸泡在所述碳氢化合物的所述溶液中。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述支撑体为具有包括在100kPa到5GPa之间的杨氏模量的材料。5.根据权利要求2所述的方法，其中所述转移包括将所述支撑体设置为与所述衬底的表面接触。6.根据权利要求2所述的方法，其中所述支撑体为模具，其中转移是利用所述模具来执行的。7.根据权利要求1所述的方法，其中去钝化包括用酸来处理所述衬底的表面。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述酸从包括氢氟酸、氟化铵及其混合物的群组中进行选择。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳氢化合物从包括烯烃和炔烃的群组中进行选择。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述碳氢化合物包括从8个碳原子到20个碳原子。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳氢化合物从包括1-烯烃、1-炔烃及其组合的群组中进行选择。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体材料是硅。13.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底的表面包括以图案布置的多个开口。14.根据权利要求1所述的方法，其中化学耦合包括在包含在100℃和200℃之间的温度执行热处理。15.根据权利要求1所述的方法，其中化学耦合包括执行UV照射处理。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳氢化合物是功能化的。17.根据权利要求1所述的方法，还包括利用有机溶剂对所述抗浸润涂层进行冲洗。18.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述抗浸润涂层进行冲洗从而去除未反应的碳氢化合物。19.根据权利要求2所述的方法，其中施加所述溶液还包括施加包含至少一个不饱和键以及至少一个杂原子的碳氢化合物的溶液，以获得在所述支撑体上的所述碳氢化合物层。20.一种方法，包括：去钝化由半导体材料制成的衬底的表面，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：V·迪帕尔玛，F·波罗，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利,IT