一种氮化物半导体发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层，所述V‑pits侧壁阻挡层包括V‑pits侧壁电子阻挡层和V‑pits侧壁空穴阻挡层的组合，所述V‑pits侧壁电子阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第一氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁空穴阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V‑pits区域上方的第二氮化物半导体的势垒高度，所述V‑pits侧壁的电子阻挡层和空穴阻挡层形成高势垒，阻挡电子和空穴往V‑pits中心输运，防止被V‑pits底部的穿透位错吸收产生非辐射复合，提升电子和空穴在无V‑pits区域的沿c轴的纵向输运，提升电子和空穴的注入和复合效率。

A nitride semiconductor light emitting diode

The invention discloses a nitride semiconductor light emitting diode, including: N type nitride semiconductor, quantum well, P type nitride semiconductor; the multiple quantum wells with V pits; the side wall of the V pits V pits has side wall barrier layer, the V pits side wall barrier layer including V pits side wall electron blocking layer and V pits side wall hole blocking layer combination, the barrier height of the first nitride semiconductor V pits sidewall electron blocking layer is larger than the barrier height of MQW V pits region, the V pits sidewall hole blocking layer of the barrier height more than pits multiple quantum well V area at the top of the second nitride semiconductor barrier height, the side wall of the V pits electron blocking layer and hole blocking layer to form high barrier, blocking the electron and hole transport center pits to V, prevent V pits bottom The threading dislocation absorption of non radiative recombination, enhance the electron and hole in the vertical transport along the c axis of V pits regional transport, enhance the electron and hole injection and recombination efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物半导体发光二极管
本专利技术涉及半导体光电器件领域，特别是一种具有侧壁阻挡层的氮化物半导体发光二极管。
技术介绍
现今，氮化物半导体发光二极管（LED），因其较高的发光效率、波长连续可调、节能环保等优点，目前已广泛应用于室内白光照明、手机背光照明、电视背光照明、显示照明、路灯、景观灯等领域。采用量子结构的氮化物发光二极管通过局域量子限制作用，可提升有源区的电子和空穴波函数的交叠几率和复合效率，使量子效率再提升至一个新的台阶。由于III族氮化物一般在蓝宝石或SiC等异质衬底上进行异质外延，不同材料之间的晶格失配和热失配会产生位错或缺陷，且这些位错线会随着外延层的生长而向上延伸。特别是在生长InGaN/GaN量子阱过程，由于生长温度较低，层层之间的生长被破坏而在量子阱区域形成V-pits。由于V-pits的中心连接着位错线，若电子和空穴在注入量子阱时被V-pits俘获，则电子和空穴会在V-pits中心的位错线进行非辐射复合，降低复合效率。申请号为201710050629.0的中国专利公开了一种氮化镓基发光二极管，其有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述能带扭曲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V-pits；所述V-pits的侧壁具有V-pits侧壁阻挡层。2.根据权利要求1所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述V-pits侧壁阻挡层包括V-pits侧壁电子阻挡层和V-pits侧壁空穴阻挡层的组合。3.根据权利要求1或2所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述多量子阱无V-pits区域的上方具有第一氮化物半导体和第二氮化物半导体。4.根据权利要求3所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述V-pits侧壁电子阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V-pits区域上方的第一氮化物半导体的势垒高度，所述V-pits侧壁空穴阻挡层的势垒高度大于多量子阱无V-pits区域上方的第二氮化物半导体的势垒高度。5.根据权利要求4所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述V-pits侧壁电子阻挡层的势垒高度较多量子阱无V-pits区域上方的第一氮化物半导体的势垒高度至少高500meV，所述V-pits侧壁空穴阻挡层的势垒高度较量子阱无V-pits区域上方的第二氮化物半导体的势垒高度至少高500meV。6.根据权利要求2所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述V-pits侧壁电子阻挡层的材料为AlxGa1-x或AlxGa1-x/GaN超晶格。7.根据权利要求2所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述V-pits侧壁空穴阻挡层的材料为AlmGa1-m或AlmGa1-m/GaN超晶格。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，周启伦，钟志白，陈松岩，康俊勇，杜伟华，李志明，邓和清，臧雅姝，伍明跃，徐宸科，林峰，李水清，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35