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本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体；所述多量子阱具有V‑pits；所述V‑pits的侧壁具有V‑pits侧壁阻挡层，所述V‑pits侧壁阻挡层包括V‑pits侧壁电子阻挡层和V‑pit...
该专利属于厦门三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门三安光电有限公司授权不得商用。

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