Including a substrate structure and manufacturing method thereof, substrate body, formed on the substrate body, a circuit layer formed on the substrate body and the wiring layer and exposed part of the line layer insulation protection layer and a circuit layer is arranged on the outer part of the surface strengthening layer, the reinforced layer is increased by the thickness of the metal layer above the line, to avoid the substrate structure on stress occurs when the warpage of the situation.
【技术实现步骤摘要】
基板结构及其制法
本专利技术关于一种基板结构,特别是指一种具线路层的基板结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展以及封装技术的演进,半导体封装结构的尺寸或体积也随之不断缩小,藉以使该半导体封装结构达到轻薄短小的目的。图1A及图1B为现有封装结构的制法的剖面示意图。首先,如图1A所示,于一封装基板1的置晶侧10a上设置半导体晶片6,且通过多个焊线7电性连接该封装基板1与该半导体晶片6。之后,如图1B所示,利用模具9形成封装胶体8于该封装基板1上以包覆该半导体晶片6。现有封装基板1的结构主要包括一基板本体10、多个线路层11以及至少一防焊层12。该线路层11除了包含导电迹线(图略)与电性接触垫110外,还会在基板本体10的空旷区(非电性布线区)之处增设至少一铜片111(如图1A所示的植球侧10b),以改善该封装基板1散热的问题,且可通过移除该防焊层12的部分材质以形成至少一开口120,而露出该铜片111,进而增加该线路层11的散热效果。然而,现有封装结构1中,当该防焊层12的开口120过大时,该防焊层12与该线路层11之间会产生极大的高度差r,故于该封装基板1受力时,会产生弯曲的力矩,且该封装基板1于该开口120的区域的厚度亦较薄,致使应力耐受性较差,以致于当进行模压制造方法(即形成该封装胶体8)时,该封装胶体8的模流压力施予在该封装基板1上后,如图1B所示,该基板本体10因上下压力不同所产生的压力差而发生翘曲(warpage)变形。此外,翘曲的情况亦会造成该半导体晶片6发生碎裂(如图1B所示的破裂处K),致使产品良率降低。因此,如何克服上述现有技术的 ...
【技术保护点】
一种基板结构,其特征为,该基板结构包括:基板本体;线路层,其形成于该基板本体上;绝缘保护层,其形成于该基板本体与该线路层上,且令该线路层的部分表面外露于该绝缘保护层;以及强化层,其形成于该线路层的外露部分表面上。
【技术特征摘要】
2016.09.20 TW 1051303091.一种基板结构,其特征为,该基板结构包括:基板本体;线路层,其形成于该基板本体上;绝缘保护层,其形成于该基板本体与该线路层上,且令该线路层的部分表面外露于该绝缘保护层;以及强化层,其形成于该线路层的外露部分表面上。2.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该线路层包含电性接触垫及辅助功能部,且令该电性接触垫及辅助功能部外露于该绝缘保护层。3.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该绝缘保护层具有多个开孔,以令该线路层的部分表面外露于该些开孔。4.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该强化层的材质与该线路层的材质相同。5.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,形成该强化层的材质为金属。6.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该基板结构还包括形成于该强化层上的表面处理层。7.如权利要求6所述的基板结构,其特征为,该表面处理层的上表面齐平该绝缘保护层的上表面。8.如权利要求6所述的基板结构,其特征为,该基板结构还包括形成于该绝缘保护层与该表面处理层上的保护膜。9.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该强化层的高度大于或等于该绝缘保护层的高度。10.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该强化层的高度小于该绝缘保护层的高度。11.如权利要求1所述的基板结构,其特征为,该基板结构还包括形成于该绝缘保护层与该强化层上的保护膜。12....
【专利技术属性】
技术研发人员:黄伟益,王汶鑫,谢志毅,王馨妤,黄怡倩,陈嘉音,黄富堂,
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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