等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造制造方法及图纸

一种等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。在等离子体处理装置中，在处理室内将基板载置于载置台的载置面上，在处理室内对载置台施加偏压用的高频电力并对基板进行等离子体处理，其具有多个分隔构件，该分隔构件设于载置面的下方位置且有导电性材料构成，将处理室分隔成对基板进行等离子体处理的处理区域和与排气系统相连的排气区域，多个分隔构件不具有开口部且与接地电位相连接使得该多个分隔构件作为偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成将供给到处理区域的处理气体导向排气区域的豁口的方式分开地配置。本发明专利技术能够有效地防止在处理室内的不期望部分处的放电、等离子体进入到排气区域。

The plasma treatment device and the exhaust structure used in the plasma treatment device

A plasma treatment device and an exhaust structure applied to a plasma treatment device. The plasma processing apparatus, in the treatment room of the mounting surface mounted on a substrate mounting table, applying a high frequency electric power with the bias voltage to a mounting table in the processing chamber and the substrate is subjected to plasma treatment, which has a plurality of separate components of the partition member is arranged on the carrying surface under positions and a conductive the material, the processing chamber for processing substrate pairs separated regions of the plasma processing and is connected with the exhaust system exhaust area, a partition member does not have the relative high frequency power in the opening of the electrode and the ground potential is connected such that the plurality of separated components as bias with a function, a partition member adjacent to each other in between the formation will be supplied to the gas exhaust guide gap area processing region of the way to separate configuration. The invention can effectively prevent discharge and plasma into the exhaust area in the undesired part of the processing room.

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造本申请是申请日为2015年05月12日、申请号为201510239622.4、专利技术名称为“等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造”的申请的分案申请。
本专利技术涉及用于对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置和应用于等离子体处理装置的排气构造。
技术介绍
在半导体器件、平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对基板进行等离子体蚀刻、成膜处理等等离子体处理的工序。在这样的等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。在利用等离子体处理装置进行等离子体处理时，在将基板载置于在被保持为真空的处理室内设置的载置台上的状态下，在处理室内生成规定的气体的等离子体而对基板实施等离子体处理。在等离子体处理装置中，为了防止处理室内的处理区域中的等离子体进入到排气区域中而使排气路径、设置在排气路径上的构件产生放电，公知有如下一种技术：在处理室的内壁与载置台之间设置挡板并使挡板接地，在挡板的整个面上形成有冲孔、狭缝等开口部而确保通路(例如专利文献1)。专利文献1：日本特开2010－238980号公报专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及多个分隔构件，其由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接使得...

【技术特征摘要】
2014.05.12 JP 2014-0988081.一种等离子体处理装置，其特征在于，该等离子体处理装置包括：处理室，其用于容纳基板并对基板实施等离子体处理；载置台，其在所述处理室内并具有用于载置基板的载置面；处理气体供给系统，其用于向所述处理室内供给处理气体；排气系统，其用于对所述处理室内进行排气；等离子体生成机构，其用于生成用于对载置在所述载置台上的基板进行等离子体处理的等离子体；高频电源，其用于对所述载置台施加偏压用的高频电力；以及多个分隔构件，其由导电性材料构成且不具有开口部，该分隔构件设于所述载置面的下方位置，用于将所述处理室分隔成用于对基板进行等离子体处理的处理区域和与所述排气系统相连的排气区域，所述多个分隔构件与接地电位相连接使得所述多个分隔构件作为所述偏压用的高频电力的相对电极发挥功能，相邻的分隔构件以在彼此之间形成用于将供给到所述处理区域的处理气体导向所述排气区域的豁口的方式分开地配置。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述分隔构件设置在所述处理室的内壁与所述载置台的同该内壁相对的侧壁之间。3.根据权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述处理室具有俯视形状为矩形形状的空间，所述载置台的俯视形状呈矩形形状，所述分隔构件以与所述载置台的各侧壁相对应的方式设置，所述豁口形成于所述矩形形状的空间的角部。4.根据权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体生成机构具有高频天线，以便在所述处理区域中生成感应耦合等离子体。5.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述高频天线隔着电介质窗设置在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：东条利洋，宇津木康史，佐佐木和男，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP