对被处理物进行处理的方法技术

本发明专利技术提供一种对具有细孔的多孔质膜进行改性的处理方法，其包括蚀刻工序和灰化工序，所述蚀刻工序包括重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有具有所述多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的所述第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定在其上载置有所述被处理物的载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，所述灰化工序在所述蚀刻工序之后进行，进行重复与所述蚀刻工序中进行的相同工序的步骤。

A method of handling the processed objects

【技术实现步骤摘要】
对被处理物进行处理的方法本案是申请日为2016年4月20日、申请号为201610248187.6、专利技术名称为“对被处理物进行处理的方法”的专利申请的分案申请。
本专利技术的实施方式涉及对被处理物进行处理的方法，特别涉及对具有多孔质膜和由有机材料构成且设置在该多孔质膜上的掩模的被处理物进行处理的方法。
技术介绍
半导体设备这样的电子设备中，有时使用多孔质膜。作为多孔质膜，例如可以使用SiOC膜这样的由低介电常数材料构成的膜。在这样的电子设备的制造中，通过对于光致抗蚀剂的光刻，形成具有细微图案的抗蚀剂掩模。关于这样形成的具有细微图案的抗蚀剂掩模，典型地由于其低的耐等离子体性，导致在蚀刻中容易消耗，因此根据需要，通过等离子体蚀刻，将抗蚀剂掩模的细微图案转印至无机膜，进一步将转印至无机膜的细微图案转印至厚且具有耐等离子体性的其他的有机膜。由此形成由有机材料构成的掩模(以下，有时称为“有机膜掩模”)。接着，为了转印有机膜掩模的细微图案，通过等离子体蚀刻对多孔质膜进行蚀刻。另外，有时在有机膜掩模与多孔质膜之间，为了进行覆盖(cap)而插入SiO2膜等。另外，通过双镶嵌(DualDamasce本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对具有细孔的多孔质膜进行改性的处理方法，其特征在于：包括蚀刻工序和灰化工序，所述蚀刻工序包括重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有具有所述多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的所述第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定在其上载置有所述被处理物的载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式...

【技术特征摘要】
2015.04.20 JP 2015-0858821.一种对具有细孔的多孔质膜进行改性的处理方法，其特征在于：包括蚀刻工序和灰化工序，所述蚀刻工序包括重复实施包括如下工序的动作顺序的步骤：向收纳有具有所述多孔质膜的被处理物的等离子体处理装置的处理容器内供给包含处理气体的第一气体的工序，向所述处理容器内供给第二气体的工序，和在所述处理容器内生成所述多孔质膜的蚀刻用的所述第二气体的等离子体的工序；以及在所述动作顺序中设定在其上载置有所述被处理物的载台的温度，使所述处理气体具有1Torr以下的饱和蒸气压的步骤，其中，在设定所述载台的温度时，所述载台的温度根据使用被液化的处理气体的所述饱和蒸气压和绝对温度的实测值的外延而确定、或者利用由安托万蒸气压经验式规定的所述饱和蒸气压与所述绝对温度的关系的计算而确定，所述灰化工序在所述蚀刻工序之后进行，进行重复与所述蚀刻工序中进行的相同工序的步骤。2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：在所述灰化工序之后，包括将所述载台的温度设定为能够使所述细孔内的液体气化的温度的第一加热工序。3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：在所述灰化工序之后，还包括将所述载台的温度设定为能够使所述细孔内的液体气化的温度的第二加热工序。4.如权利要求2或3所述的处理方法，其特征在于：所述灰化工序使用含有氧或氢的气体的等离子体。5.如权利要求2或3所述的处理方法，其特征在于：所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：田原慈，西村荣一，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP