一种带有自举功能的DALI接口电路制造技术

技术编号:17518535 阅读:68 留言:0更新日期:2018-03-21 02:58
本发明专利技术公开了一种带有自举功能的DALI接口电路,该DALI接口电路由一个供电电路供电,并包括一个整流模块,一个与所述整流模块电性连接的通信发射电路,以及一个与所述通信发射电路电性连接的信号输入端,其特征在于:所述通信发射电路包括一个MOS管Q2以及一个与所述MOS管Q2电性连接的自举电路。本发明专利技术其通过高电压驱动MOS的电路设计,则会导致电路变得复杂,电路整体功耗变高,本发明专利技术简化了方案,减少元器件,降低了成本,也节省了电路板上的空间,对于通讯逻辑变得更简单也更稳定。

A DALI interface circuit with bootstrap function

【技术实现步骤摘要】
一种带有自举功能的DALI接口电路
本专利技术涉及一种基于数字可寻址照明接口电路,特别涉及到一种带有自举功能的DALI接口电路。
技术介绍
照明控制系统就是根据某一区域的功能、时段、室内光亮度或该区域的用途,采用计算机、通讯以及数字调光技术相结合的方法,使照明系统自动化。随着楼宇自动化和照明工业的迅速发展,以节能设计和数字控制为核心的照明控制系统将是照明市场发展的必然趋势。数字可寻址照明接口协议DALI(DigitalAddressableLightingInterface)是国际公开规格的照明控制通信协议,通信速度为1200BPS±10%。主要用于多个荧光灯以及LED照明的调光控制,DALI可以通过最大64个短地址和16个的组地址构成网络,一个主机可以控制一个或者多个从机,以半双工方式进行通信。DALI接口通信协议编码简单、通信可靠,其主要电气特征如下:①异步串行通信,信息传输速率1200baud/s;②半双工,双线差分驱动,数据的传送采用曼彻斯特编码方式;③通过判断DALI总线的电压差来判断电平的高低,电压差在9.5~22.5V之间为1,在-6.5—6.5V之间为0;④DALI总线电流小于250mA;⑤DALI信号的上升和下降时间为10~100μs。DALI总线的电平与单片机的电平不同,为了完成主机与从机之间的通信,必须有接口电路来实现DALI总线和单片机之间的电平转换。接口电路是DALI系统设计的难点,主要是其必须满足DALI协议的电气特性。DALI接口电路包含主机接口电路和从机接口电路,本申请针对从机接口电路进行改进,现有技术中,在DALI总线的通讯过程中,需要将DALI总线进行短路操作,将总线电压从高电平下拉到低电平。在操作的过程中通常使用N沟道MOS管进行短路操作。N沟道的MOS管的开启电压在2~4V之间,但由于单片机供电电压通常为3.3V,并不能有效地保证MOS管被打开。所以在现有的产品设计中电源部分需要设计出一个5V以上的电源专门对MOS管的驱动电路进行供电才能够打开MOS管。然而,该电源电路的设计导致整个电路变得复杂,成本上升,稳定性下降。
技术实现思路
有鉴于此,有必要提供一种带有自举功能的DALI接口电路,能够解决了MOS管驱动电路的供电问题,并且可以节约陈本,也节省了电路板上的空间。本专利技术是根据以下技术方案实现的:一种带有自举功能的DALI接口电路,该DALI接口电路由一个供电电路供电,并包括一个整流模块,一个与所述整流模块电性连接的通信发射电路,以及一个与所述通信发射电路电性连接的信号输入端,所述通信发射电路包括一个MOS管Q2以及一个与所述MOS管Q2电性连接的自举电路,所述自举电路包括二极管D4、电阻R7、电阻R10、电容C11、电阻R9,二极管D4的阳极与所述供电电路的输出端电性连接,二极管D4的阴极与电阻R7的一端相连,电容C11与电阻R9串联连接再与电阻R10并联连接,电阻R10的一端与电阻R7的另一端连接,电阻R10的另一端接地,所述MOS管Q2的栅极电性连接在电阻R7与电阻R10之间,所述整流模块的输出端与所述MOS管Q2的漏极相连,所述MOS管Q2的源极接地,所述信号输入端电性连接在电容C11与电阻R9之间。进一步地,所述自举电路还包括电容C10,所述电容C10的一端电性连接在所述MOS管Q2的栅极,电容C10的另一端接地。进一步地,该DALI接口电路还包括与所述整流模块电性连接的通信接收电路以及一个与所述通信接收电路电性连接的信号接收端,所述通信接收电路包括二极管D3、电阻R5、电阻R6、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3,其中,二极管D3的阳极与所述整流模块的输出端相连,二极管D3的阴极与电阻R5的一端相连,电阻R5的另一端与电阻R6的一端以及MOS管Q1的栅极相连,所述MOS管Q1的源极与电阻R6的另一端相连并接地,电阻R2的一端连接供电电路的输出端,电阻R2的另一端与电阻R3的一端以及MOS管Q1的漏极相连,电阻R3的另一端与信号接收端相连。进一步地,该DALI接口电路还包括与所述通信接收电路以及所述通信发射电路电性连接的MCU处理器,所述MCU处理器控制MOS管Q2导通或者截止,将DALI总线的方波差分信号进行处理,将处理后的DALI数字信号输出。进一步地,所述供电电路分别与所述整流模块以及所述MCU处理器电性连接,所述供电电路将输入电压转换为输出电压,通过转换后的输出电压给所述MCU处理器供电。进一步地,所述的MCU处理器为MSP430FR2032型号。进一步地,所述供电电路包括电压整形电路以及电压转换电路,所述电压整形电路的一端与所述整流模块的输出端相连,所述电压整形电路的另一端与所述电压转换电路的一端相连,所述电压转换电路的另一端与所述MCU处理器相连。进一步地,所述电压整形电路包括电容D1、压敏电阻FV1、电容C2、电容C3,其中电容C2与电容C3并联连接,9-18V的供电端与二极管D1的阳极以及压敏电阻FV1的一端连接,二极管D1的阴极与电容C2一端连接;所述电压转换电路包括电源芯片、电容C1、二极管D2、电感L1、电阻R1、电阻R4、电容C4、电容C5、电容C6,其中,电容C3一端连接到电源芯片的4引脚和5引脚,另一端连接电源芯片的2引脚并接地,电源芯片的1引脚通过电容C1与电源芯片的6引脚、二极管D2的阴极以及电感L1的一端相连,二极管D2的阳极接地,电容C4、电容C5、电容C6并联,电感L1的另一端与电阻R1、电容C4一端连接并连接供电电压VDD,电阻R1的另一端与电阻R4的一端以及电源芯片的3引脚相连,电容C4与电阻R4的另一端相连并接地。进一步地,所述供电电路包括压敏电阻FV2、电阻R8、三极管Q4、稳压块N2、电阻R11、电阻R12、电容C7,其中,9-18V的供电端与三极管Q4的集电极以及电阻R8、压敏电阻FV2的一端相连,电阻R8的另一端与三极管Q4的基极以及稳压块N2的阴极相连,三极管Q4的发射极与电阻R11以及电容C7的一端连接并接VDD,稳压块N2的阳极与电阻R12的一端以及电容C7、压敏电阻FV2的另一端连接并接地,电阻R11的另一端与电阻R12的另一端以及稳压块N2的参考端相连。进一步地,该DALI接口电路还包括信号输入电路,所述信号输入电路与所述MCU处理器连接,所述信号输入电路包括按键信号输入电路、RF信号输入电路、红外遥控信号输入电路或者有线信号输入电路的一种或多种。与现有技术相比,本专利技术具有以下技术效果:本专利技术有效地解决了低电压电路,无法有效保证MOS管驱动电路的问题。在传统电路中,如果要保证MOS管驱动的可靠性,除了本身的MCU低电压供电电路外,还要有一个高电压的MOS管驱动电压供电电路。其通过高电压驱动MOS的电路设计,则会导致电路变得复杂,电路整体功耗变高。本设计简化了方案,减少元器件,降低了成本,也节省了电路板上的空间,对于通讯逻辑变得更简单也更稳定。附图说明以下结合附图描述本专利技术的实施例,其中:图1为本专利技术的DALI接口电路结构原理示意图;图2为本专利技术的DALI接口电路示意图;图3为本专利技术的供电电路的一个实施例示意图;图4为本专利技术的供电电路的另一个实施例示意图;图5为本专利技术的MCU处理器的接口本文档来自技高网
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一种带有自举功能的DALI接口电路

【技术保护点】
一种带有自举功能的DALI接口电路,该DALI接口电路由一个供电电路供电,并包括一个整流模块,一个与所述整流模块电性连接的通信发射电路,以及一个与所述通信发射电路电性连接的信号输入端,其特征在于:所述通信发射电路包括一个MOS管Q2以及一个与所述MOS管Q2电性连接的自举电路,所述自举电路包括二极管D4、电阻R7、电阻R10、电容C11、电阻R9,二极管D4的阳极与所述供电电路的输出端电性连接,二极管D4的阴极与电阻R7的一端相连,电容C11与电阻R9串联连接再与电阻R10并联连接,电阻R10的一端与电阻R7的另一端连接,电阻R10的另一端接地,所述MOS管Q2的栅极电性连接在电阻R7与电阻R10之间,所述整流模块的输出端与所述MOS管Q2的漏极相连,所述MOS管Q2的源极接地,所述信号输入端电性连接在电容C11与电阻R9之间。

【技术特征摘要】
1.一种带有自举功能的DALI接口电路,该DALI接口电路由一个供电电路供电,并包括一个整流模块,一个与所述整流模块电性连接的通信发射电路,以及一个与所述通信发射电路电性连接的信号输入端,其特征在于:所述通信发射电路包括一个MOS管Q2以及一个与所述MOS管Q2电性连接的自举电路,所述自举电路包括二极管D4、电阻R7、电阻R10、电容C11、电阻R9,二极管D4的阳极与所述供电电路的输出端电性连接,二极管D4的阴极与电阻R7的一端相连,电容C11与电阻R9串联连接再与电阻R10并联连接,电阻R10的一端与电阻R7的另一端连接,电阻R10的另一端接地,所述MOS管Q2的栅极电性连接在电阻R7与电阻R10之间,所述整流模块的输出端与所述MOS管Q2的漏极相连,所述MOS管Q2的源极接地,所述信号输入端电性连接在电容C11与电阻R9之间。2.根据权利要求1所述的一种带有自举功能的DALI接口电路,其特征在于:所述自举电路还包括电容C10,所述电容C10的一端电性连接在所述MOS管Q2的栅极,电容C10的另一端接地。3.根据权利要求1所述的一种带自举功能的DALI接口电路,其特征在于,该DALI接口电路还包括与所述整流模块电性连接的通信接收电路以及一个与所述通信接收电路电性连接的信号接收端,所述通信接收电路包括二极管D3、电阻R5、电阻R6、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3,其中,二极管D3的阳极与所述整流模块的输出端相连,二极管D3的阴极与电阻R5的一端相连,电阻R5的另一端与电阻R6的一端以及MOS管Q1的栅极相连,所述MOS管Q1的源极与电阻R6的另一端相连并接地,电阻R2的一端连接供电电路的输出端,电阻R2的另一端与电阻R3的一端以及MOS管Q1的漏极相连,电阻R3的另一端与信号接收端相连。4.根据权利要求1所述的一种带自举功能的DALI接口电路,其特征在于,该DALI接口电路还包括与所述通信接收电路以及所述通信发射电路电性连接的MCU处理器,所述MCU处理器控制MOS管Q2导通或者截止,将DALI总线的方波差分信号进行处理,将处理后的DALI数字信号输出。5.根据权利要求4所述的一种带自举功能的DALI接口电路,其特征在于,所述供电电路分别与所述整流模块以及所述MCU处理器电性连接,所述供电电路将输入电压转换为输出电压,通过转换后的...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵鹏远尤晓波周小勇
申请(专利权)人:赛尔富电子有限公司
类型:发明
国别省市:浙江,33

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