阵列基板及其制造方法技术

一种阵列基板的制造方法，包括：在基板(10)上依次形成栅极(20)、栅极绝缘层(30)、金属氧化物半导体层(40)、第一保护层(50)和源漏极层(60)；在源漏极层(60)上形成光阻层(70)，光阻层(70)上设置有镂空区(71)；去除源漏极层(60)之露出于镂空区(71)的部分，以露出第一保护层(50)；对第一保护层(50)之露出于镂空区(71)的部分进行干法蚀刻，以使得第一保护层(50)之露出于镂空区(71)的部分与第一保护层(50)之其余部分隔断。第一保护层(50)可以保护金属氧化物半导体层(40)不被蚀刻，避免金属氧化物半导体层(40)表面被损毁，保证了电子迁移率，提升阵列基板的性能。

Array substrate and its manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阵列基板及其制造方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。
技术介绍
阵列基板被广泛应用于不同类型的显示装置中。随着显示技术的飞速发展，人们对显示器的分辨率，响应时间等特性要求也越来越高。在这种情况下，对设置在显示器阵列基板上的迁移率要求越来越高。目前，用非晶硅制作有源层已经不能满足对迁移率的要求，人们已经将目光投向了具有较高迁移率的金属氧化物材料。现有技术中制造将金属氧化物作为有源层材料的过程中，主要有如下问题：传统工艺进行源漏极的构图工艺时，由于有源层上方没有遮挡，因此会对有源层造成损伤，从而影响到阵列基板的性能。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种阵列基板的制造方法，可以避免制造过程中造成有源层的腐蚀，提升阵列基板的性能。本申请的另一目的在于提供一种上述制造方法制造的阵列基板。为实现上述目的，本申请提供如下技术方案：本申请提供一种阵列基板的制造方法，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、第一保护层和源漏极层；在所述源漏极层上形成光阻层，所述光阻层上设置有镂空区；去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层；对本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、第一保护层和源漏极层；在所述源漏极层上形成光阻层，所述光阻层上设置有镂空区；去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层；对所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分进行干法蚀刻，以使得所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分与所述第一保护层之其余部分隔断。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、金属氧化物半导体层、第一保护层和源漏极层；在所述源漏极层上形成光阻层，所述光阻层上设置有镂空区；去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层；对所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分进行干法蚀刻，以使得所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分与所述第一保护层之其余部分隔断。2.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述对所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分进行干法蚀刻，以使得所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分与所述第一保护层之其余部分隔断步骤中，包括使用蚀刻气体对所述第一保护层进行轰击，以使得所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分与所述第一保护层之其余部分之间形成狭缝，所述狭缝隔断所述第一保护层之露出于所述镂空区的部分与所述第一保护层之其余部分。3.如权利要求2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述蚀刻气体为SF6、O2、Cl2、He、Ar中一种或任意几种的混合。4.如权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层步骤中，包括在所述源漏极层喷淋蚀刻液进行蚀刻，在所述第一保护层完全露出后去除所述蚀刻液。5.如权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层步骤中，包括在所述源漏极层喷淋蚀刻液进行蚀刻，以在所述源漏极层上形成梯形沟道，在所述第一保护层露出于所述梯形沟道后去除所述蚀刻液。6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述去除所述源漏极层之露出于所述镂空区的部分，以露出所述第一保护层步骤中，通过控制所述蚀刻液的浓度及所述蚀刻液在所述源漏极层的蚀刻时间，使得所述第一保护层完全露出于所述梯形沟道，其中，所述蚀刻液的浓度和所述蚀刻时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶江波，
申请(专利权)人：深圳市柔宇科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44