具有自对准电容器器件的半导体器件结构制造技术

公开了一种半导体器件结构，其包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，该SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于半导体层与衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；沟槽隔离结构，其位于SOI衬底的至少一部分中，该沟槽隔离结构限定SOI衬底中的第一区域；以及电容器器件，其形成在第一区域中，该电容器器件包括：第一电极，其由掩埋绝缘材料层上的第一区域中的导电层部分形成，该导电层部分至少部分地替代第一区域中的半导体层；第二电极，其形成在第一电极的上方；以及绝缘材料，其形成在第一电极与第二电极之间。

【技术实现步骤摘要】
具有自对准电容器器件的半导体器件结构
本公开涉及一种半导体器件结构和方法，更具体地，涉及一种具有在先进SOI技术中的自对准电容器器件的半导体器件结构和形成先进技术节点的相应的半导体器件结构的方法。
技术介绍
在遵循摩尔定律约束的正在进行的任务中，FDSOI(“完全耗尽的绝缘体上硅”)似乎是用于制造22nm以及超过22nm的技术节点的半导体器件的下一代技术的有希望的候选者。当与多维半导体器件(例如FinFET)相比时，FDSOI技术中采用的制造工艺相对简单并且实际上表示了传统平面体CMOS技术的低风险演变，因为其除了FDSOI允许高性能和低功耗的结合之外，还补充有电源管理设计技术的出色响应。一般而言，SOI(绝缘体上半导体)技术利用形成在掩埋绝缘(氧化物-(BOX))层上的由诸如硅、锗或硅锗的半导体或有源层形成的特殊种类的衬底，掩埋绝缘层转而形成在体半导体衬底上。例如，在N型SOI器件的情况下，P型半导体膜夹在栅极氧化物(GOX)与BOX层之间。通常，存在两种类型的SOI器件：PDSOI(部分耗尽的SOI)器件和FDSOI(完全耗尽的SOI)器件，其中BOX层的厚度在PDSOI中(约1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件结构，包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，所述SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于所述半导体层与所述衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；沟槽隔离结构，其位于所述SOI衬底的至少一部分中；电容器器件，其形成在与所述沟槽隔离结构相邻的第一区域中，所述电容器器件包括：第一电极，其包括位于所述掩埋绝缘材料层上方的所述第一区域中的导电层部分，所述导电层部分至少部分地替代所述第一区域中的所述半导体层；第二电极，其位于所述第一电极的上方；以及绝缘材料，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间。

【技术特征摘要】
2016.08.31 US 15/2529951.一种半导体器件结构，包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，所述SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于所述半导体层与所述衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；沟槽隔离结构，其位于所述SOI衬底的至少一部分中；电容器器件，其形成在与所述沟槽隔离结构相邻的第一区域中，所述电容器器件包括：第一电极，其包括位于所述掩埋绝缘材料层上方的所述第一区域中的导电层部分，所述导电层部分至少部分地替代所述第一区域中的所述半导体层；第二电极，其位于所述第一电极的上方；以及绝缘材料，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其中所述第一电极和所述第二电极由导电材料形成。3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述导电材料包括金属。4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述第一电极通过位于所述第一电极与所述绝缘材料之间的阻挡材料而与所述绝缘材料隔开。5.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其中所述第二电极通过位于所述第二电极与所述绝缘材料之间的阻挡材料而与所述绝缘材料隔开。6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，进一步包括通过所述沟槽隔离结构而与所述第一区域隔开的第二区域，所述第二区域包括在所述第二区域中的所述半导体层上设置的栅极电介质材料上形成的栅极结构。7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，进一步包括形成在所述栅极结构的相对侧的源区和漏区。8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其中所述源区和漏区包括具有硅化物接触部的升高的源区和漏区。9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中所述硅化物接触部包括硅化镍。10.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其中所述栅极电介质材料和所述绝缘材料由相同的材料形成。11.一种形成半导体器件结构的方法，包括：提供绝缘体上半导体(SOI)衬底，所述SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于所述半导体层与所述衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；在所述SOI衬底的至少一部分中形成沟槽隔离结构；在与所述沟槽隔离结构相邻的第一区域上形成绝缘材料；在所述第一区域中的所述绝缘材料上形成第一导电材料；以及用第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·巴尔斯，HJ·特斯，
申请(专利权)人：格芯公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛,KY