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公开了一种半导体器件结构，其包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，该SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于半导体层与衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；沟槽隔离结构，其位于SOI衬底的至少一部分中，该沟槽隔离结构限定SOI衬底中的第一区域；以及电...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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