The utility model discloses a field effect applied to a P type magnetic transmitter module includes a drive tube protection circuit, logic control circuit, protection circuit, FET bidirectional voltage stabilizing circuit and magnetic induction coil; field effect protection circuit comprises three NMOS tube, three NMOS tube drain are connected with power source are connected with the bidirectional voltage stabilizing circuit, gate drive logic control circuit is connected respectively with bidirectional voltage stabilizing circuit; on the first end connected to the magnetic induction coil; also includes three transient suppression diodes and a silicon carbide diode; between three transient suppression diodes are respectively connected in parallel in the three NMOS tube source and gate cathode diode; silicon carbide connect the second end of the magnetic induction coil in anode, connected to the power supply. The field effect tube protection circuit, which is applied to the P NMR transmitter module, can enhance the stability of the circuit, convenient maintenance and rapid replacement of the device.
【技术实现步骤摘要】
应用于P型核磁发射器模块的场效应管保护电路
本技术涉及测井
,具体为一种应用于P型核磁发射器模块的场效应管保护电路。
技术介绍
核磁测井是以核磁共振理论为基础的测井方法,是利用原子核在磁场中的能量变化来获得原子核信息的现代技术,是唯一能直接区分岩石中束缚和可动流体(水和油)并测定其所占孔隙体积的地球物理方法,它在石油勘探和开发中正在发挥日益增长的重要作用。测井公司引进P型核磁测井仪器,并将其广泛应用到市场中。P型核磁测井仪器包括电容器短节(MRCC)、电子线路短节(MREC)、探头(MRSN)3大部分,其中电子线路短节(MREC)是井下仪器的核心,此电子线路短节由13个模块电路组成,其中发射器模块电路是13个模块电路之一,它由4大部分驱动板组成,是作为开关模式的全桥功率放大器。每个发射器的输出接到所对应的滤波器模块中,为发射器的功率场效应管提供相应门脉冲。其中驱动板包括依次连接的驱动逻辑控制电路、场效应保护电路、双向稳压电路、滤波电路、输出保护电路和REA1输出端,以及过压保护电路,过压保护电路连接在滤波电路和电源之间;该过压保护电路由五组串联的二极管组构成,其中单个二极管组由并联的两个瞬态抑制二极管组成;如图1所示。由于P型核磁仪器发射探头变换发射频率的继电器控制模块,在扫频过程中不停地动作,功率场效应管非常容易损坏,并且核磁线路板的TVS(瞬态抑制二极管)布局不合理(5组并接瞬态抑制二极管组串接而成),TVS(瞬态抑制二极管)损坏后不易更换,更换过程繁琐。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本技术提供一种应用于P型核磁发射器模块的场效应管保护电路, ...
【技术保护点】
一种应用于P型核磁发射器模块的场效应管保护电路,包括驱动逻辑控制电路(1)、场效应保护电路(2)、双向稳压电路(3)和电感线圈(4);所述场效应保护电路(2)包括三个NMOS管,三个NMOS管的漏极均与电源连接,源极均与所述双向稳压电路(3)相连,栅极分别与所述驱动逻辑控制电路(1)相连;所述双向稳压电路(3)串接在所述电感线圈(4)的第一端;其特征在于,还包括三个瞬态抑制二极管(6)和一个碳化硅二极管(5);所述三个瞬态抑制二极管(6)分别并联在三个NMOS管的源极和栅极之间,其中各瞬态抑制二极管(6)的正极均接在各NMOS管的源极,负极均接在各NOMS管的栅极;所述碳化硅二极管(5)的正极连接在所述电感线圈(4)的第二端,负极连接在电源上。
【技术特征摘要】
1.一种应用于P型核磁发射器模块的场效应管保护电路,包括驱动逻辑控制电路(1)、场效应保护电路(2)、双向稳压电路(3)和电感线圈(4);所述场效应保护电路(2)包括三个NMOS管,三个NMOS管的漏极均与电源连接,源极均与所述双向稳压电路(3)相连,栅极分别与所述驱动逻辑控制电路(1)相连;所述双向稳压电路(3)串接在所述电感线圈(4)的第一端;其特征在于,还包括三个瞬态抑制二极管(6)和一个碳化硅二极...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭运,嵇成高,杨爱东,余湘,高建忠,韩明明,王浩然,谷学博,刘国臣,王锡磊,田稳红,何建远,孔谭,陈金刚,李艳芹,
申请(专利权)人:中国石油集团渤海钻探工程有限公司,
类型:新型
国别省市:天津,12
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