一种电路缓冲保护装置制造方法及图纸
A circuit buffer protection device
The buffer circuit protection device of the invention, the input buffer and the inverter input undershoot, clamp circuit and a hysteresis circuit, the inverter is the function of adjusting PMOS and NMOS transistors: channel length MP1 and MN1, MN2, input undershoot clamp circuit control input buffer current off control input characteristics input buffer back delay circuit; MN2 time delay conduction resistance
【技术实现步骤摘要】
一种电路缓冲保护装置
本专利技术涉及一种电路缓冲保护装置，具体应用于电路保护中。
技术介绍
现有技术中，应用于计算机、电子仪器、智能处理器等设备中的电路能否安全可靠运行至关重要，电路中的功率管为电路安全可靠运行的关键部件，基于电路中一些功率管经常被人为破坏的现象，需对现有电路进行改进的，以提高设备运行的安全系数。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能保护电路安全可靠运行的电路缓冲保护装置。本专利技术的电路缓冲保护装置，由输入缓冲器、反相器、输入下冲箝位电路和回滞电路构成，其特征在于：反相器的功能是调整PMOS和NMOS晶体管:MP1和MN1、MN2的沟道长度，输入下冲箝位电路控制输入缓冲器中电流通断，回滞电路控制输入缓冲器的输入特性；所述MN2延迟导通的时间有电阻R1和电容C1的数值决定，通过调节R1的大小使得电路的速度和地反弹噪声之间达到最佳平衡。本专利技术的电路缓冲保护装置，反相器调整PMOS和NMOS晶体管:MP1和MN1、MN2的沟道长度，输入下冲箝位电路控制输入缓冲器中电流通断，回滞电路控制输入缓冲器的输入特性，MN2延迟导通的时间有电阻...
【技术保护点】
一种电路缓冲保护装置，由输入缓冲器、反相器、输入下冲箝位电路和回滞电路构成，其特征在于：反相器的功能是调整PMOS和NMOS晶体管:MP1和MN1、MN2的沟道长度，输入下冲箝位电路控制输入缓冲器中电流通断，回滞电路控制输入缓冲器的输入特性。
【技术特征摘要】
1.一种电路缓冲保护装置，由输入缓冲器、反相器、输入下冲箝位电路和回滞电路构成，其特征在于：反相器的功能是调整PMOS和NMOS晶体管:MP1和MN1、MN2的沟道长度，输入下冲箝位电路控制输入缓冲器中...
【专利技术属性】
技术研发人员：高显扬，
申请(专利权)人：江苏绿扬电子仪器集团有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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