用于平板显示器的薄膜晶体管基板制造技术

本公开涉及一种用于包括有机发光二极管显示器的平板显示器的薄膜晶体管基板。本公开提供了一种薄膜晶体管基板，其包括：在基板上沿水平方向延伸的扫描线；覆盖扫描线的缓冲层；在缓冲层上与扫描线交叉的半导体层；覆盖半导体层的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上与扫描线连接和平行并且与半导体层交叉的栅电极；覆盖栅电极的中间绝缘层；在中间绝缘层上与扫描线交叉的数据线；从数据线分出来并且与半导体层的一侧接触的源电极；以及面对源电极并且与半导体层的另一侧接触的漏电极。

【技术实现步骤摘要】
用于平板显示器的薄膜晶体管基板
本公开涉及一种用于包括有机发光二极管显示器的平板显示器的薄膜晶体管基板。特别地，本公开涉及一种用于大型和/或超高清晰度平板显示器的薄膜晶体管基板，其中，通过提高扫描线与数据线之间的绝缘性而使寄生电容减小并且以高速驱动该薄膜晶体管基板。
技术介绍
现今，开发出各种平板显示器(或“FPD”)来克服笨重且体积大的阴极射线管(或“CRT”)的许多缺点。平板显示装置包括液晶显示装置(或“LCD”)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(或“PDP”)、电致发光装置(或“EL”)等。作为自发光显示装置，电致发光装置具有响应速度非常快、亮度非常高且视角大的优点。电致发光装置可分为无机发光二极管显示器和有机发光二极管显示器(OLED)。由于具有良好的能量效率、较低的漏电流和通过电流控制来表现颜色和亮度的容易性，更为需要使用有机发光二极管的OLED。图1是示出有机发光二极管的结构的图。如图1所示，有机发光二极管包括有机发光材料层以及彼此面对的阴极和阳极，有机发光材料层在阴极和阳极之间。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。有机发光二极管由于来自激子的能量而辐射光，激子是在空穴和电子在发光层EML处重组的激发状态下形成的。有机发光二极管由于来自激子的能量而辐射光，激子在来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发光层EML处重组的激发状态下形成。有机发光二极管显示器可以通过控制从如图1所示的有机发光二极管的发光层EML生成和辐射的光的量(或“亮度”)来表现视频数据。使用具有良好能量效率的有机发光二极管的OLED可分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)控制施加到有机发光二极管的电流来显示视频数据。在下文中，参照图2和图3，将对根据现有技术的有机发光二极管显示器进行说明。图2是示出有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)中的一个像素的结构的示例性电路图。图3是示出根据现有技术的AMOLED的结构的平面图。图4是用于示出根据现有技术的底部发光型AMOLED的结构的、沿着切割线I-I'的剖面图。参照图2和图3，有源矩阵型有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、连接到开关薄膜晶体管ST的驱动薄膜晶体管DT、以及连接到驱动薄膜晶体管DT的有机发光二极管OLE。开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的地方。开关薄膜晶体管ST用于选择连接到开关薄膜晶体管ST的像素。开关薄膜晶体管ST包括：从扫描线SL分出来的栅电极SG；与栅电极SG交叠的半导体沟道层SA；源电极SS；以及漏电极SD。驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括：连接到开关薄膜晶体管ST的漏电极SD的栅电极DG；半导体沟道层DA；连接到驱动电流线VDD的源电极DS；以及漏电极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD连接到有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容STG设置在开关薄膜晶体管ST的漏电极SD与驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD之间。存储电容STG的第一电极连接到驱动薄膜晶体管DT的与开关薄膜晶体管ST的漏电极SD连接的栅电极DG。存储电容STG的第二电极连接到有机发光二极管OLE的与驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD连接的阳极电极ANO。参照图4，将说明底部发光型有机发光二极管显示器。在有源矩阵型有机发光二极管显示器的透明基板SUB上，分别形成有开关薄膜晶体管ST的栅电极SG和驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG。在栅电极SG和DG上，沉积有栅极绝缘体GI。在与栅电极SG和DG交叠的栅极绝缘体GI上，分别形成有半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成彼此面对并且彼此分离的源电极SS和DS以及漏电极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏电极SD经由穿透栅极绝缘体GI的栅极接触孔GH与驱动薄膜晶体管DT的栅电极DG连接。钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上。当半导体层SA和DA包括氧化物半导体材料时，由于高迁移率特性，薄膜晶体管被应用于具有大面积、超高清晰度和高速特性的平板显示器的薄膜晶体管基板。为了保证元件的稳定性，优选的是，包括蚀刻阻挡SE和DE以保护氧化物半导体层的上表面。详细地，形成蚀刻阻挡SE和DE，以保护半导体层SA和DA在图案化出(patternout)源电极SS或DS与漏电极SD或DD之间的金属层部分时不被蚀刻剂回蚀刻。滤色器CF布置在最近形成的阳极电极ANO处。优选的是，滤色器CF在像素区域内具有尽可能大的面积。例如，滤色器CF可以形成为与数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的一些部分交叠。基板的具有滤色器CF的上表面不处于均匀和/或平滑的状况，而是处于具有许多台阶的不均匀和/或凹凸不平的状况。因此，为了使上表面处于平坦且均匀的状况，在基板SUB的整个表面上沉积有上覆层OC。然后，在上覆层OC上，形成有机发光二极管OLE的阳极电极ANO。在此，阳极电极ANO经由穿透上覆层OC和钝化层PAS的像素接触孔PH而连接到驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD。在具有阳极电极ANO的基板SUB上，在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和各种线DL、SL和VDD的区域上方形成堤部(bank)BN，以用于限定发光区。阳极电极ANO的通过堤部BN露出的部分将是发光区。在通过堤部BN露出的阳极电极ANO上，依次沉积了有机发光层OL和阴极电极CAT。当有机发光层OL包括辐射白光的有机材料时，在每个像素处分配的颜色可以由布置在有机发光层OL下方的滤色器CF来表现。如图4所示的有机发光二极管显示器被称为底部发光型有机发光二极管显示器。与其他类型的显示面板例如液晶显示器相比，有机发光二极管显示器中的有机发光二极管由相当大的电流驱动。因此，优选的是，有机发光二极管显示器的驱动薄膜晶体管具有用于大电流驱动的特性。例如，氧化物半导体材料是用于有机发光二极管显示器的良好元件。然而，随着显示面板的清晰度越来越高，要求薄膜晶体管具有用于在大电流下高速驱动的优良特性。氧化物半导体材料的缺点在于，特性可能容易被从外部入射的光劣化。当从有机发光层辐射的光入射到薄膜晶体管的氧化物半导体层中时，难以确保薄膜晶体管的稳定性。与图4不同，使用用于高速驱动的氧化物半导体材料，顶栅结构可以应用于薄膜晶体管。对于图4所示的底栅结构，由于栅极金属层布置在氧化物半导体层下方，因此从底侧入射的光可能被阻挡进入氧化物半导体层中。然而，当将顶栅结构应用于底部发光型有机发光二极管显示器时，沟道层布置在栅电极下方，使得氧化物半导体层可能容易受从外部入射的光的影响和劣化。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本公开的目的是提供一种用于大型和/或超高清晰度平板显示器的薄膜晶体管基板。本公开的另一个目的是提供一种用于具有优良的视频质量的平板显示器的薄膜晶体管基板，其中，通过去除或最小化在扫描线和扫描线之间的交叉点处形成的寄生电容来减小数据线的负载。本公本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板，包括：在基板上沿水平方向延伸的扫描线；覆盖所述扫描线的缓冲层；在所述缓冲层上与所述扫描线交叉的半导体层；覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上与所述扫描线连接和平行并且与所述半导体层交叉的栅电极；覆盖所述栅电极的中间绝缘层；在所述中间绝缘层上与所述扫描线交叉的数据线；从所述数据线分出来并且与所述半导体层的一侧接触的源电极；以及面对所述源电极并且与所述半导体层的另一侧接触的漏电极。

【技术特征摘要】
2016.08.31 KR 10-2016-01116131.一种薄膜晶体管基板，包括：在基板上沿水平方向延伸的扫描线；覆盖所述扫描线的缓冲层；在所述缓冲层上与所述扫描线交叉的半导体层；覆盖所述半导体层的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上与所述扫描线连接和平行并且与所述半导体层交叉的栅电极；覆盖所述栅电极的中间绝缘层；在所述中间绝缘层上与所述扫描线交叉的数据线；从所述数据线分出来并且与所述半导体层的一侧接触的源电极；以及面对所述源电极并且与所述半导体层的另一侧接触的漏电极。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述栅电极与所述扫描线交叠，并且所述栅电极经由穿透所述缓冲层和所述栅极绝缘层的接触孔与所述扫描线并联连接。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑一基，曹景铉，李树雄，洪性珍，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR