用于芯片‑桥电容器的封装体制造技术

在一些示例中，一种装置包括第一引线框架段、第二引线框架段、第一晶体管，其中，所述第一晶体管电连接到所述第一引线框架段。所述装置还包括第二晶体管，其中，所述第二晶体管电连接到所述第二引线框架段。所述装置还包括导电元件，其中，所述导电元件电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管。所述装置还包括电容器，其中，所述电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段，所述电容器的第二端电连接到所述第二引线框架段。

【技术实现步骤摘要】
用于芯片-桥电容器的封装体
本公开涉及半导体封装，更具体地，涉及用于电力电子装置的半导体封装体。
技术介绍
半桥电路可包括两个模拟装置或开关。半桥电路可使用于用于电机的电源中，以及用于功率转换的整流器中。每个半桥电路封装体具有多个接触结构，并且可包括多个导电路径以将接触结构彼此连接并且连接到外部部件。如果半桥电路欠阻尼，那么半桥电路可发生阻尼振荡。当半桥电路中的一个装置关闭并且另一装置打开时，大约可发生阻尼振荡。减少阻尼振荡的影响的一种方法是减少装置的接通时间。减少阻尼振荡的另一种方法是减小用于半桥电路的封装体的尺寸，并实现附接到印刷电路板电压输入的去耦电容器。
技术实现思路
本公开描述了用于包括第一引线框架段、第二引线框架段和第一晶体管的装置的技术，其中，第一晶体管电连接到第一引线框架段。该装置还包括第二晶体管，其中，第二晶体管电连接到第二引线框架段。该装置还包括导电元件，其中，导电元件电连接到第一晶体管和第二晶体管。装置还包括电容器，其中，电容器的第一端电连接到第一引线框架段，电容器的第二端电连接到第二引线框架段。在一些示例中，一种方法包括将第一晶体管电连接到第一引线框架段，并将第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：第一引线框架段；第二引线框架段；第一晶体管，其中，所述第一晶体管电连接到所述第一引线框架段；第二晶体管，其中，所述第二晶体管电连接到所述第二引线框架段；导电元件，其中，所述导电元件电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管；和电容器，其中：所述电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段，所述电容器的第二端电连接到所述第二引线框架段。

【技术特征摘要】
2016.09.07 US 15/258,8191.一种装置，包括：第一引线框架段；第二引线框架段；第一晶体管，其中，所述第一晶体管电连接到所述第一引线框架段；第二晶体管，其中，所述第二晶体管电连接到所述第二引线框架段；导电元件，其中，所述导电元件电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管；和电容器，其中：所述电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段，所述电容器的第二端电连接到所述第二引线框架段。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括集成电路，所述集成电路包括所述电容器和所述第一晶体管，其中：所述第一晶体管的漏极端子电连接到所述第一引线框架段；所述第一晶体管的源极端子电连接到所述导电元件；所述第二晶体管的漏极端子电连接到所述导电元件；所述第二晶体管的源极端子电连接到所述第二引线框架段；和所述导电元件包括夹或导线。3.根据权利要求1所述的装置，其中：所述电容器包括至少一个分立电容器；所述至少一个分立电容器中的每个电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段；和所述至少一个分立电容器中的每个电容器的第二端电连接到所述第二引线框架段。4.根据权利要求3所述的装置，其中：所述第一引线框架段被配置为附接到印刷电路板(PCB)；所述第二引线框架段被配置为附接到所述PCB；和所述电容器被配置为附接到所述PCB。5.根据权利要求1所述的装置，其中，从所述第一晶体管通过所述第一引线框架段、所述电容器和所述第二引线框架段到所述第二晶体管的距离小于或等于约一毫米。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置还包括电回路，所述电回路包括所述第一晶体管、所述第一引线框架段、所述电容器以及所述第二引线框架段、所述第二晶体管和所述导电元件，其中，所述电回路的电感小于约三百毫微法。7.根据权利要求1所述的装置，其中：所述第一引线框架段的厚度大于一百微米且小于约三百微米；所述第二引线框架段的厚度大于一百微米且小于约三百微米；和所述电容器的厚度大于一百微米且小于约二百微米。8.根据权利要求1所述的装置，其中：从所述第一晶体管到所述电容器的第一端的距离小于约四百微米；和从所述第二晶体管到所述电容器的第二端的距离小于约四百微米。9.一种方法，包括：将第一晶体管电连接到第一引线框架段；将第二晶体管电连接到第二引线框架段；将导电元件电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管；将电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段；和将所述电容器的第二端电连接到所述第二引线框架段。10.根据权利要求9所述的方法，其中：将所述电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段包括：蚀刻所述第一引线框架段的与所述第一晶体管相邻的部分；和将所述电容器的第二端电连接到所述第二引线框架段包括：蚀刻所述第二引线框架段的与所述第二晶体管相邻的部分。11.根据权利要求9所述的方法，其中：将所述电容器的第一端电连接到所述第一引线框架段包括：蚀刻所述第一引线框架段的与所述第一晶体管相反的部分；和将所述电容器的第二端电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵应山，D·克拉韦特，D·加利波，
申请(专利权)人：英飞凌科技美国公司，
类型：发明
国别省市：美国,US