用于控制晶体管的电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于控制具有绝缘栅极(3)的晶体管(T1)的电路装置(1)，该电路装置(1)具有用于产生驱动信号(UTR)的栅极驱动器(2)和与所述晶体管(T1)的栅极(3)‑源极(8)路径并联的电容器(C)，其中所述栅极驱动器(2)被设计成产生大于或等于零伏的驱动信号(UTR)，设置用于与所述电容器(C)形成谐振电路(9)的电感器(L)，并且在所述谐振电路(9)中设置开关元件(S)，所述开关元件(S)被设计成在所述电容器(C)重新充电之后将所述谐振电路(9)中断。根据本发明专利技术，所述电路装置(1)的位于所述栅极驱动器(2)的下游的部分被设计成使用所述栅极驱动器(2)的驱动信号(UTR)进行唯一电压供应，并且所述开关元件(S)由附加晶体管(T2)形成，第一续流二极管(D1)与所述开关元件(S)并联布置，并且所述谐振电路(9)的所述电感器(L)布置在所述附加晶体管(T2)和所述晶体管(T1)的栅极(3)之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制晶体管的电路装置
本专利技术涉及一种用于控制具有绝缘栅极的晶体管特别是IGBT、MOSFET或GaN或SiCFET的电路装置，该电路装置具有用于在正极和负极之间产生驱动信号的栅极驱动器，该驱动信号具有用于在启动阶段期间启动所述晶体管的第一驱动电压和用于在停用阶段期间停用所述晶体管的第二驱动电压，该电路装置还具有与所述晶体管的栅极-源极结并联的电容器，其中所述栅极驱动器被设计成产生大于或等于0V的驱动信号，设置用于与所述电容器形成谐振电路的电感器，其中所述谐振电路被设计成在停用所述晶体管时通过将所述驱动信号改变至所述第二驱动电压而将所述电容器再次充电至低于所述第二驱动电压的负的栅-源电压，并且在所述谐振电路中设置开关元件，其中所述开关元件被设计成在所述电容器重新充电之后将所述谐振电路中断。
技术介绍
在本领域中已知用于启动或停用功率电子电路的具有绝缘栅的晶体管的栅极驱动器。例如，这种晶体管可以由IGBT、MOSFET、GaNFET或SiCFET构成。例如，简单的栅极驱动器被设计成产生用于启动晶体管的第一驱动电压以及用于停用晶体管的第二驱动电压。为了可靠地停用和锁定晶体管，(对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于控制具有绝缘栅极(3)的晶体管(T1)的电路装置(1)，该电路装置(1)具有用于在正极(7)和负极(6)之间产生驱动信号(UTR)的栅极驱动器(2)，该驱动信号(UTR)具有用于在启动阶段(tEIN)期间启动所述晶体管(T1)的第一驱动电压(4)和用于在停用阶段(tAUS)期间停用所述晶体管(T1)的第二驱动电压(5)，该电路装置(1)还具有与所述晶体管(T1)的栅极(3)‑源极(8)结并联的电容器(C)，其中所述栅极驱动器(2)被设计成产生大于或等于0V的驱动信号(UTR)，设置用于与所述电容器(C)形成谐振电路(9)的电感器(L)，其中所述谐振电路(9)被设计成在停用所述晶体管(T...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.06.30 EP 15174575.91.一种用于控制具有绝缘栅极(3)的晶体管(T1)的电路装置(1)，该电路装置(1)具有用于在正极(7)和负极(6)之间产生驱动信号(UTR)的栅极驱动器(2)，该驱动信号(UTR)具有用于在启动阶段(tEIN)期间启动所述晶体管(T1)的第一驱动电压(4)和用于在停用阶段(tAUS)期间停用所述晶体管(T1)的第二驱动电压(5)，该电路装置(1)还具有与所述晶体管(T1)的栅极(3)-源极(8)结并联的电容器(C)，其中所述栅极驱动器(2)被设计成产生大于或等于0V的驱动信号(UTR)，设置用于与所述电容器(C)形成谐振电路(9)的电感器(L)，其中所述谐振电路(9)被设计成在停用所述晶体管(T1)时通过将所述驱动信号(UTR)改变至所述第二驱动电压(5)而将所述电容器(C)再次充电至低于所述第二驱动电压(5)的负的栅-源电压(UGS)，并且在所述谐振电路(9)中设置开关元件(S)，其中所述开关元件(S)被设计成在所述电容器(C)重新充电之后将所述谐振电路(9)中断，其特征在于，所述电路装置(1)的位于所述栅极驱动器(2)的下游的部分被设计成使用所述栅极驱动器(2)的驱动信号(UTR)进行唯一电压供应，并且所述开关元件(S)由附加晶体管(T2)形成，第一续流二极管(D1)与所述开关元件(S)并联布置，并且所述谐振电路(9)的所述电感器(L)布置在所述附加晶体管(T2)和所述晶体管(T1)的栅极(3)之间。2.根据权利要求1所述的电路装置(1)，其特征在于，所述栅-...

【专利技术属性】
技术研发人员：伯恩哈德·阿特尔斯梅尔，
申请(专利权)人：弗罗纽斯国际有限公司，
类型：发明
国别省市：奥地利,AT