半导体装置制造方法及图纸

一种至少能够抑制向电压控制型半导体元件提供的控制信号的电压的上升的半导体装置。具备元件驱动部，该元件驱动部具有控制电路，该控制电路根据控制信号来控制电压控制型半导体元件的控制端子，并且以控制信号为电源来被驱动，元件驱动部具备：第一分压电路，其连接于用于输入控制信号的输入端子与同电压控制型半导体元件的低电位侧端子连接的低电位侧端子之间，第一分压电压为用于保护电压控制型半导体元件和控制电路的设定电压以下；半导体开关元件，其控制该第一分压电路的分压动作；以及第二分压电路，其在输入端子被输入超过设定电压的电压时使半导体开关元件导通，其中，向电压控制型半导体元件的控制端子和控制电路提供第一分压电压。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及一种具备对负载进行驱动的电压控制型半导体元件的半导体装置。
技术介绍
在这种半导体装置中，具备由IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等构成的电压控制型半导体元件。例如，如专利文献1所记载的那样，在作为搭载于车辆的内燃机的点火装置来使用的情况下，点火线圈的初级侧的一端与电池连接，另一端通过电压控制型半导体元件接地。然后，为了使电压控制型半导体元件导通，从外部的控制装置将规定电压的点火信号作为栅极信号来通过栅极电阻提供到电压控制型半导体元件的栅极，由此使栅极电压上升来使电压控制型半导体元件导通。另一方面，为了使电压控制型半导体元件关断，将电压控制型半导体元件的栅极中蓄积的栅极电容电荷放出到外部的控制装置侧。另外，具备以点火信号为电源电压来工作的动作电平设定电路、热关断电路、电流限制电路等保护控制电路。另外，如专利文献2所记载的那样，提出了以下技术：为了对构成该保护本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具备：电压控制型半导体元件，其对负载进行驱动；以及元件驱动部，其具有控制电路，所述控制电路被输入针对所述电压控制型半导体元件的控制端子的控制信号，根据该控制信号来控制所述电压控制型半导体元件的控制端子，并且以控制信号为电源来被驱动，所述元件驱动部具备：用于输入所述控制信号的输入端子以及与所述电压控制型半导体元件的低电位侧端子连接的低电位侧端子；第一分压电路，其连接于所述输入端子与所述低电位侧端子之间，被设定成第一分压电压为用于保护所述电压控制型半导体元件和所述控制电路的设定电压以下；半导体开关元件，其控制该第一分压电路的分压动作；以及第二分压电路，其在所述输入端子被...

【技术特征摘要】
2016.06.28 JP 2016-127321;2017.03.31 JP 2017-071211.一种半导体装置，其特征在于，具备：电压控制型半导体元件，其对负载进行驱动；以及元件驱动部，其具有控制电路，所述控制电路被输入针对所述电压控制型半导体元件的控制端子的控制信号，根据该控制信号来控制所述电压控制型半导体元件的控制端子，并且以控制信号为电源来被驱动，所述元件驱动部具备：用于输入所述控制信号的输入端子以及与所述电压控制型半导体元件的低电位侧端子连接的低电位侧端子；第一分压电路，其连接于所述输入端子与所述低电位侧端子之间，被设定成第一分压电压为用于保护所述电压控制型半导体元件和所述控制电路的设定电压以下；半导体开关元件，其控制该第一分压电路的分压动作；以及第二分压电路，其在所述输入端子被输入超过所述设定电压的电压时向所述半导体开关元件的控制端子输出使所述半导体开关元件导通的第二分压电压，其中，向所述电压控制型半导体元件的控制端子和所述控制电路提供所述第一分压电压。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一分压电路具备第一电阻和第二电阻，所述第一电阻连接于所述输入端子与所述电压控制型半导体元件及所述控制电路之间，所述第二电阻连接于该第一电阻同所述电压控制型半导体元件及所述控制电路的连接点与所述低电位侧端子之间，所述第一分压电路从所述第一电阻与所述第二电阻的连接点输出所述第一分压电压。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体开关元件与所述第二电阻串联连接。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二分压电路是由两个电阻串联连接而构成的，所述电阻间的连接点与所述半导体开关元件的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛洋至，小滨考德，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP