一种功率管驱动电路制造技术

本发明专利技术涉及功率管控制技术领域，尤其涉及一种功率管驱动电路，包括电压比较器、与非门、第一非门、第二非门、与门、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和电流源，在被驱动功率管由关断到导通过程中，通过电流源的较小电流对被驱动的功率管栅极电容充电，使得功率管缓慢开启，从而减小功率管开启过程中栅极电压过冲和振荡、减缓功率管漏极电压下降速度、减小功率管电流尖峰，从而达到保护功率管、优化EMI问题、减少功率管在开启过程中对系统其它电路产生的电磁干扰的目的，在功率管完成开启后，通过大电流对功率管栅极电容充电，快速减小功率管导通电阻。

Driving circuit of power tube

The invention relates to a power control technology field, especially relates to a power tube driving circuit comprises a voltage comparator, NAND gate, the first gate, second gate, gate, the first buffer, the second buffer, the first PMOS tube, second PMOS tube, third PMOS tube, NMOS tube, the first second NMOS tube and a current source in the drive turn off power tube to the conduction process, the smaller the current source of power driven gate capacitor charging, the power tube open slowly, thereby reducing the power tube opening gate voltage during overshoot and oscillation, slow down the power drain voltage drop speed, reduce the power tube current spikes, which to protect the power tube, optimization of EMI problem, reduce the power tube in the process of opening to other circuits to produce electromagnetic interference to the power tube after complete opening, The charging resistance of the power tube is rapidly decreased by charging the gate capacitance of the power tube by a large current.

【技术实现步骤摘要】
一种功率管驱动电路
本专利技术涉及功率管控制
，尤其涉及一种功率管驱动电路。
技术介绍
功率管作为一种常用开关器件，被广泛应用于电子设备。如图1所示，为功率管的常规应用示意图。基于功率管的性能，理想的功率管开启过程中波形图如图2所示，功率管驱动电路对功率管的栅源寄生电容Cgs充电，当功率管栅极电压上升到其阈值电压Vth时，功率管开始开启，功率管漏极电压开始下降。因为功率管栅极和漏极之间的寄生电容Cgd构成了密勒电容，在功率管漏极电压下降过程中功率管栅极电压在保持在等于Vth，此时功率管工作在饱和区。直至漏极电压下降到接近0V之后，功率管栅极电压继续上升，之后功率管工作在线性区。但实际应用中，功率管驱动电路的传统结构如图3所示，Buffer1和Buffer2通常是一串驱动电流逐级增大的反向器，当输入端的控制信号由低电平变为高电平时，Buffer1快速将下管N1的栅极拉低，使下管N1快速关断；Buffer2快速将上管P1的栅极拉低，使上管P1快速导通，P1导通后，电流从电源通过上管P1流入功率管栅极，开启功率管。当功率管的栅极电压高于其阈值电压Vth后就会产生导通功耗，功率管的导通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率管驱动电路，其特征在于：包括电压比较器、与非门、第一非门、第二非门、与门、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和电流源，所述第一缓冲器用于驱动第一PMOS管，所述第二缓冲器用于驱动第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与第一缓冲器的输出端相连；所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极相连且与电源连接；所述第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极和电压比较器的同相输入端相连且与被驱动功率管的栅极相连；所述第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和...

【技术特征摘要】
1.一种功率管驱动电路，其特征在于：包括电压比较器、与非门、第一非门、第二非门、与门、第一缓冲器、第二缓冲器、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和电流源，所述第一缓冲器用于驱动第一PMOS管，所述第二缓冲器用于驱动第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极与第一缓冲器的输出端相连；所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第三PMOS管的源极相连且与电源连接；所述第一PMOS管的漏极、第二PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极和电压比较器的同相输入端相连且与被驱动功率管的栅极相连；所述第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、第三PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的栅极与与门的输出端相连，源极经电流源后接地线；所述第一NMOS管的栅极与第二缓...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏虎，
申请(专利权)人：无锡麟力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32