制造半导体装置的方法制造方法及图纸

一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。在半导体基板上形成第一金属层，并在第一金属层上形成第二金属层。第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。施加微波辐射于半导体基板、第一金属层和第二金属层，以形成包含第一金属层、第二金属层和半导体基板的成分的合金。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体装置的方法
本揭露是关于制造半导体集成电路的方法，更具体地涉及制造具有场效晶体管(fieldeffecttransistor,FET)结构的半导体装置。
技术介绍
随着半导体工业引入具有更高性能和更大功能性的新一代集成电路(integratedcircuits,ICs)，导致集成电路的元件的密度增加，并且金属触点和布线的尺寸减小，进而增加电路的电阻。因此，半导体业界皆期望减小接触区域处的电阻以在集成电路中提供进一步的改进。
技术实现思路
根据本揭露的一方面是提供一种制造半导体装置的方法，包含下列步骤。先形成第一金属层于半导体基板上，再形成第二金属层于第一金属层上，其中第二金属层由与第一金属层不同的金属形成。接着，施加微波辐射于半导体基板、第一金属层以及第二金属层，以形成合金，其包含第一金属层、第二金属层以及半导体基板的成分。附图说明当以下详细描述与附图一起阅读时，可以最好地理解本揭露。要强调的是，根据工业中的标准实践，各种特征不是按比例绘制的，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚地讨论，可以任意地增加或减少各种特征的尺寸。图1绘示根据本揭露部分实施方式中，制造半导体装置的方法的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一第一金属层于一半导体基板上；形成一第二金属层于该第一金属层上，其中该第二金属层由与该第一金属层不同的金属形成；以及施加微波辐射于该半导体基板、该第一金属层以及该第二金属层，以形成一合金，其包含该第一金属层、该第二金属层以及该半导体基板的成分。

【技术特征摘要】
2016.08.31 US 15/253,0741.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包含：形成一第一金属层于一半导体基板上；形成一第二金属层于...

【专利技术属性】
技术研发人员：简昭欣，徐崇浚，季维均，刘继文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71