一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体导电浆料领域，具体涉及一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料及其制备方法；该浆料包括以下质量份的组分：多孔硅30‑60份，铜20‑30份，石墨烯20‑30份，稳定剂20‑25份，分散剂10‑20份，有机载体200‑400份；制备方法为将多孔硅、铜和石墨烯混合并球磨处理，得到纳米粉末；将稳定剂和分散剂溶于有机载体，超声处理，加入纳米粉末，以600‑800r/min的转速搅拌2‑3小时，得到一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料。本发明专利技术所得的掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料导电性能好、稳定性高，不易发生团聚现象。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料及其制备方法
本专利技术属于半导体导电浆料领域，具体涉及一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料及其制备方法。
技术介绍
多孔硅(porousSi)，是一种新型的一维纳米光子晶体材料，具有纳米硅原子簇为骨架的“量子海绵”状微结构，可以通过电化学阳极腐蚀或化学腐蚀单晶硅而形成。早在1956年时，美国贝尔实验室Uhlir首次发现并报道了通过电化学腐蚀法可以形成多孔硅薄膜。Uhlir发现在阳极电流密度较小的情况下，在浓的氢氟酸电解液中对单晶硅进行电化学腐蚀可以得到一层与明亮抛光面不同的多孔结构的薄膜，即多孔硅。随后1958年，D.Turner对阳极氧化法成膜的机理进行了研究，并详细论述了多孔硅薄膜的刻蚀条件及其相关性质。在电化学阳极氧化过程中存在两种情况，当电流密度大于某个临界点时(此临界点与硅片的类型，电阻率，腐蚀液的浓度和成分等因素相关)，发生电化学抛光现象，多孔硅薄膜会从硅基底上被剥落下来。当电流密度低于此临界点时，就会形成具有无数纳米量级的硅柱的多孔硅薄膜。1990年英国科学家Canham用紫外光和氩离子激光室温下照射多孔硅表面时，发现其具有强烈的可见光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料，其特征在于，包括以下质量份的组分：多孔硅30‑60份，铜20‑30份，石墨烯20‑30份，稳定剂20‑25份，分散剂10‑20份，有机载体200‑400份。

【技术特征摘要】
1.一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料，其特征在于，包括以下质量份的组分：多孔硅30-60份，铜20-30份，石墨烯20-30份，稳定剂20-25份，分散剂10-20份，有机载体200-400份。2.根据权利要求1所述的一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料，其特征在于，包括以下质量份的组分：多孔硅50份，铜25份，石墨烯25份，稳定剂22份，分散剂15份，有机载体300份。3.根据权利要求1所述的一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料，其特征在于，所述有机载体包括溶剂和溶质，所述溶剂为丁基卡必醇和松油醇；溶质为乙基纤维素。4.根据权利要求1所述的一种掺杂铜和石墨烯的多孔硅导电浆料，其特征在于，所述多孔硅的制备方法包括以下步骤：将硅片依次用清洗液、去离子水清洗，烘干...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，
申请(专利权)人：江苏时瑞电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32