用于多电压域控制信号的产生电路制造技术

本发明专利技术揭示了一种用于多电压域控制信号的产生电路，该产生电路由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成，其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地，MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN，两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE，且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端，MOS管M2的漏极分支接入比较器的正极输入端，该产生电路的输出为比较器的输出端。应用实施本发明专利技术的产生电路，利用该多电压域控制信号的产生电路，能够抵销工艺参数的影响，无漏电、高耐压，有利于得到高精度可控的阀值电压。

【技术实现步骤摘要】
用于多电压域控制信号的产生电路
本专利技术涉及一种信号产生电路，尤其涉及一种可用于多电压域控制信号的产生电路。
技术介绍
随着科学技术的发展，信号互联控制已广泛应用于各类电气设备的功能实现中。这些系统架构中，主系统(包括电源供电）通常为负压域，比如电源VEE为-12V；但控制系统中的控制使能信号EN为正压（0-3.3V），需要设计专门的电路来产生高精度的控制信号。然而，现有此类电路多有弊端，无法有效满足控制信号产生之需。如图1所示的产生电路，仅有的一个MOS管M1，其源极接入控制使能信号EN，栅极接地，漏极接电源域VEE且输出信号，但是由于存在漏电流，该产生电路的耐压低，同时受M1工艺参数影响大。如图2所示的产生电路，由两个MOS管M1、M2相接构成，其中MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN，两个MOS管的漏极共联接入电源域，两个MOS管的源极共联接地，且MOS管M2的源极输出信号。然而，该控制信号产生电路受两个MOS管的工艺参数影响很大，无法适用于高精度控制。
技术实现思路
鉴于上述现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的是提出一种用于多电压域控制信号的产生电路。为了达到上述目的，本专利技术所采用的技术方案为：用于多电压域控制信号的产生电路，其特征在于所述产生电路由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成，其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地，MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN，两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE，且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端，MOS管M2的漏极分支接入比较器的正极输入端，所述产生电路的输出为比较器的输出端。进一步地，其特征在于：所述主体电源域VEE为负压域，控制使能信号EN为正压域。进一步地，其特征在于：所述主体电源域VEE为正压域，控制使能信号EN为负压域。应用实施本专利技术产生电路的有益效果：利用该多电压域控制信号的产生电路，能够抵销工艺参数的影响，无漏电、高耐压，有利于得到高精度可控的阀值电压。附图说明图1是现有一种控制信号产生电路的结构示意图。图2是现有另一种控制信号产生电路的结构示意图。图3是本专利技术用于多电压域控制信号的产生电路优选实施例示意图。图4是本专利技术用于多电压域控制信号的产生电路变化实施例示意图。具体实施方式为使本专利技术技术方案的创新实质能够得到更清楚的理解，以下结合附图进行实施例的详细描述。如图3所示，是本专利技术用于多电压域控制信号的产生电路优选实施例示意图。可见该用于多电压域控制信号的产生电路主要由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成，其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地，MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN，两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE，且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端，MOS管M2的漏极分支接入比较器的正极输入端，该产生电路的输出为比较器的输出端VOUT。本实施例中，该主体电源域VEE为负压域，控制使能信号EN为正压域。根据晶体管原理，可知MOS的IV如表达式（1）所示，（1）其中，W和L是MOS器件沟道的长度和宽度，IDS是器件电流，VGS是MOS管VG和VS的压差；其中μ是载流子的迁移率，Cox是单位面积的栅氧化层电容，μ和Cox是常数。VTH是MOS的阈值电压，受工艺影响很大。由（1）可推导出VGS的表达式如（2）所示，（2）结合图3所示的产生电路实施例，VGS1和VGS2的表达式如表达式（3）所示，VGS1=VEN_TH-VS1;VGS2=0-VS2=-VS2（3）在图3中，当进入控制的阈值电压翻转点时，比较器的正负端电压相同，即M1和M2的VS相同，从而VS1=VS2。综合表达式（2）和（3），可推出阈值电压VEN_TH的表达式如（4）所示，（4）其中W1/L1和W2/L2是M1和M2的宽长比。IDS指的是MOS的电流。由表达式（4）可知，VEN_TH与VTH无关，而在工艺上VTH的变化很大，这样能够减小工艺对VEN_TH的影响。表达式中m是M2和M1的宽长比比值，通过对M1和M2进行匹配设计，可得到高精度可控的阈值电压。同时输入端为栅极输入，MOS的栅极可耐高压而无漏电。故此电路EN端无漏电，高耐压，并具有高精度。综上所述可见，本专利技术用于多电压域控制信号的产生电路，能够抵销工艺参数的影响，无漏电、高耐压，有利于得到高精度可控的阀值电压。除上述实施例外，本专利技术还可以有其它实施方式，凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本专利技术所要求保护的范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
用于多电压域控制信号的产生电路，其特征在于所述产生电路由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成，其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地，MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN，两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE，且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端，MOS管M2的漏极分支接入比较器的正极输入端，所述产生电路的输出为比较器的输出端。

【技术特征摘要】
1.用于多电压域控制信号的产生电路，其特征在于所述产生电路由MOS管M1、MOS管M2、和比较器构成，其中两个MOS管的源极和MOS管M2的栅极共联接地，MOS管M1的栅极接入控制使能信号EN，两个MOS管的漏极分别连接主体电源域VEE，且MOS管M1的漏极分支接入比较器的负极输入端，MOS管M2的漏极分...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪鹏，李寰，应峰，
申请(专利权)人：思瑞浦微电子科技苏州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32