一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法技术

本发明专利技术公开了一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1）传送载有玻璃基板的基片架到镀膜机内；2）在玻璃基板的一表面沉积高折射氧化物层A；3）在高折射氧化物层A的表面沉积低折射氧化物层A；4）在玻璃基板的另一表面沉积高折射氧化物层B；5）在高折射氧化物层B的表面沉积低折射氧化物层B；6）在低折射氧化物层B的表面沉积导电氧化层B；7）在低折射氧化物层A的表面沉积导电氧化层A。本发明专利技术通过对加工工艺进行创新，其生产过程中能控制双面的ITO阻值偏移程度，控制在所需的±5%以内，从而增加了阻值精度，有效提高了产品性能，提升了覆膜企业的技术水平和竞争优势。

An anti-interference processing method for double-sided coated conductive glass

The invention discloses a processing method of anti interference double-sided conductive coating glass, characterized by comprising the following steps: 1) carrying a glass substrate transfer substrate holder to the coating machine; 2) in a high refractive index oxide layer is deposited on the surface of A glass substrate; 3) in the low refractive index oxide layer is deposited on the surface of high refractive index of oxide layer of A A; 4) in a high refractive index oxide layer deposited on the surface of B glass substrate; 5) in the low refractive index oxide layer is deposited on the surface of high refractive index oxide layer of B B; 6) in conductive oxide layer deposited on the surface of low refractive index oxide layer of B B; 7) in conductive oxide layer low refractive index oxide layer deposited on the surface of A A. Through the innovation of the processing technology, ITO can control the double offset degree of resistance in the process of the production, control within the required + 5%, thus increasing the accuracy of resistance, improve product performance, enhance the film enterprise technology level and competitive advantage.

【技术实现步骤摘要】
一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法
本专利技术涉及导电玻璃
，尤其是一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法。
技术介绍
随着电子产品行业的快速增长，电容屏的使用更加广泛。双面镀膜导电玻璃是电容屏中的主要部件，同时导电薄膜的性能又对双面导电玻璃性能起着关键作用。因此，在生产过程中，对导电薄膜的均匀性、耐热性、耐酸碱性、耐高温性和耐高湿性进行严格控制是十分重要的。导电薄膜需进行图形化制作，这一过程的难度在于蚀刻的准确性对于图案本身以及电磁屏蔽、静电保护等性能产生关联。ITO导电薄膜属于一种广泛使用的导电薄膜，ITO导电薄膜的制备方法是通过电子束将三氧化二铟和二氧化锡的混合材料在真空状态下蒸发气化，并使其附着在玻璃表面形成薄膜，具有可见光透明、导电率高、红外反射率高和微波衰减快的优点。在ITO导电薄膜的性能指标当中，方电阻（Ω/□）是最重要的一项，方电阻的大小与膜层厚度、成膜温度、膜层结构等工艺参数关系密切。在真空镀膜的过程中，方电阻的阻值控制难度较大，特别是在阻值精度要求高的生产过程中，容易出现阻值超差的情况。对于阻值超差的产品，需返工处理，这不但要去除膜层，还需对玻璃重新抛光，即需重启抛光和镀膜两个程序，导致操作不便、增加生产成本以及降低镀膜效率的问题。目前对ITO图案进行消影主要有两种工艺：第一种是ITO+SiO2方式，先在玻璃表面溅射所需ITO薄膜，然后对ITO膜进行图形化处理；再在ITO薄膜表面溅射相应厚度的SiO2薄膜，并对其进行图形化处理。由于SiO2薄膜的图形化处理需要单独的设备，工艺相对复杂、良品率低，且镀膜需要两次，效率低，一般业界很少采用第二种是五氧化二铌+SiO2+ITO方式，直接在玻璃表面连续溅射相应厚度的五氧化二铌、SiO2、ITO薄膜，然后只需对ITO薄膜进行图形化处理即可。镀膜工艺简单、单面一次成型、透过率高、良品率高，为业界普遍采用。以80~100Ω/□的ITO薄膜为例，所需溅射的五氧化二铌厚度约为80Å，SiO2薄膜厚度约为500Å对于双面ITO结构的产品来说，理想的消影方式就是两次(五氧化二铌+SiO2+ITO)镀膜，但在对双面ITO镀膜导电玻璃进行连续化加工作业的实践当中，发现采用双面(五氧化二铌+SiO2+ITO)镀膜的新工艺以后，第一面的ITO阻值在第二面消影镀膜后偏移程度非常严重，由80~100Ω/□增加至300~500Ω/□。因此，亟需解决采用双面消影这一新工艺所产生的阻值超差问题，才能稳定产品质量，提升镀膜企业的核心竞争力。
技术实现思路
针对现有技术的不足，以及上述对双面ITO结构或其它双面导电氧化层的双面消影工艺中所发现的阻值超差问题，本专利技术提供了一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，能克服生产过程中所产生的阻值超差问题，有效提升产品质量。本专利技术的技术方案为：一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1）传送载有玻璃基板的基片架到镀膜机内；2）在玻璃基板的一表面沉积高折射氧化物层A；3）在高折射氧化物层A的表面沉积低折射氧化物层A；4）在玻璃基板的另一表面沉积高折射氧化物层B；5）在高折射氧化物层B的表面沉积低折射氧化物层B；6）在低折射氧化物层B的表面沉积导电氧化层B；7）在低折射氧化物层A的表面沉积导电氧化层A；其中，所述高折射氧化物层A和高折射氧化物层B采用五氧化二铌、五氧化二钽、三氧化二钛或二氧化锆；所述低折射氧化物层A和低折射氧化物层B采用二氧化硅、二氟化镁、二氟化钡或三氟化铝。所述步骤6）和步骤7）的顺序可以调整。所述高折射氧化物层A和低折射氧化物层A的总厚度为500~600Å，其中高折射氧化物层A的厚度范围为60~100Å。所述高折射氧化物层B和低折射氧化物层B的总厚度为500~600Å，其中高折射氧化物层B的厚度范围为60~100Å。所述高折射氧化物层A和高折射氧化物层B均为针对波长为460~760nm的可见光的增透层。所述导电氧化层A和导电氧化层B采用氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锡、锑掺杂氧化锡或铝掺杂氧化锌。所述导电氧化层A和导电氧化层B的厚度均为100~300Å。所述玻璃基板为钢化玻璃、纳钙玻璃或无碱玻璃，且表面进行化学处理。所述双面镀膜导电玻璃各层对可见光的总透过率大于93%。本专利技术的有益效果为：本专利技术所提供的双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，采用了双面镀高折射氧化物层工艺，并通过对加工工艺进行创新，其生产过程中能将ITO阻值偏移程度控制在所需的±5%以内，从而增加了阻值精度，有效提高了产品性能，提升了镀膜企业的技术水平和竞争优势。附图说明图1为本专利技术的工艺流程图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明：如图1所示，一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1）传送载有玻璃基板的基片架到镀膜机真空腔室内（步骤S100）；2）利用电浆枪产生的电浆阳离子碰撞该玻璃基板的一表面，利用溅镀沉积五氧化二铌而形成高折射氧化物层A（步骤S200）；3）利用溅镀沉积在高折射氧化物层A的表面沉积SiO2而形成低折射氧化物层A（步骤S300）；4）利用电浆枪产生的电浆阳离子碰撞该玻璃基板的另一表面，利用溅镀沉积五氧化二铌而形成高折射氧化物层B（步骤S400）；5）利用溅镀沉积在高折射氧化物层B的表面沉积SiO2而形成低折射氧化物层B（步骤S500）；6)利用溅镀在低折射氧化物层B上沉积厚度为100~300Å的第二ITO导电薄膜层，形成导电氧化层B（步骤S600）；7)利用溅镀在低折射氧化物层A上沉积厚度为100~300Å的第一ITO导电薄膜层，形成导电氧化层A（步骤S700）。在本实施例中，还包括对于玻璃基板的预处理，具体包括如下步骤：A、对玻璃基板根据生产需要进行切割，包括X、Y切割，然后进行掰片；B、对玻璃基板进行X磨边再倒角，然后进行Y磨边及倒角；C、刷洗烘干；D、抛光处理；E、刷洗烘干。本专利技术的特点在于：对于双面ITO结构或其它双面导电氧化层，已有加工方法采用的是双面消影工艺，但存在着阻值偏移程度十分严重的问题，已有加工方法的生产步骤是先在基板一表面沉积高折射氧化物层A，再在高折射氧化物层A表面沉积导电氧化层A，然后在基板另一表面沉积高折射氧化物层B，在高折射氧化物层B表面继续沉积导电氧化层B；在具体生产实践中发现：对于待镀膜的玻璃基板，以消影层(氧化铌+SiO2)为高折射氧化物层A和高折射氧化物层B的材料，以氧化铟锡（ITO）为导电氧化层A和导电氧化层B的材料，可以将这一加工顺序表示为氧化铌+SiO2——ITO/氧化铌+SiO2——ITO，其中ITO在玻璃基板正面的溅镀属于第二步，因此在玻璃基板的反面沉积氧化铌+SiO2时，正面ITO受到对面SiO2溅射工艺的干涉，从而发生阻值偏移现象；使用本专利技术所提供的抗干扰加工方法，其加工顺序则调整为氧化铌+SiO2/氧化铌+SiO2——ITO/ITO，其中ITO在玻璃基板反面的溅镀属于第三步，此时第一、二步由于在玻璃基板正反两面先完成消影层(氧化铌+SiO2)的溅射镀膜，从而使得ITO镀膜后不会再受到消影层(氧化铌+SiO2)镀膜工艺的影响。经过反复的工艺测试，能将ITO阻值偏移程度控制在所需的±5%以内。总而言之，本专利技术在双面消本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1）传送载有玻璃基板的基片架到镀膜机内；2）在玻璃基板的一表面沉积高折射氧化物层A；3）在高折射氧化物层A的表面沉积低折射氧化物层A；4）在玻璃基板的另一表面沉积高折射氧化物层B；5）在高折射氧化物层B的表面沉积低折射氧化物层B；6）在低折射氧化物层B的表面沉积导电氧化层B；7）在低折射氧化物层A的表面沉积导电氧化层A；其中，所述高折射氧化物层A和高折射氧化物层B采用五氧化二铌、五氧化二钽、三氧化二钛或二氧化锆；所述低折射氧化物层A和低折射氧化物层B采用二氧化硅、二氟化镁、二氟化钡或三氟化铝。

【技术特征摘要】
1.一种双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于，包括如下步骤：1）传送载有玻璃基板的基片架到镀膜机内；2）在玻璃基板的一表面沉积高折射氧化物层A；3）在高折射氧化物层A的表面沉积低折射氧化物层A；4）在玻璃基板的另一表面沉积高折射氧化物层B；5）在高折射氧化物层B的表面沉积低折射氧化物层B；6）在低折射氧化物层B的表面沉积导电氧化层B；7）在低折射氧化物层A的表面沉积导电氧化层A；其中，所述高折射氧化物层A和高折射氧化物层B采用五氧化二铌、五氧化二钽、三氧化二钛或二氧化锆；所述低折射氧化物层A和低折射氧化物层B采用二氧化硅、二氟化镁、二氟化钡或三氟化铝。2.根据权利要求1所述的双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于：所述步骤6）和步骤7）的顺序可以调整。3.根据权利要求1所述的双面镀膜导电玻璃的抗干扰加工方法，其特征在于：所述高折射氧化物层A和低折射氧化物层A的总厚度为500~600Å，其中高折射氧化物层A的厚度范围为60~100Å。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵永刚，刘敬超，卫金照，
申请(专利权)人：河源市力友显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44