一种分体式复合保护坩埚制造技术

技术编号:17428527 阅读:59 留言:0更新日期:2018-03-10 01:22
本实用新型专利技术公开了一种分体式复合保护坩埚,属于单晶硅生产技术领域。其包括坩埚底部和坩埚侧壁,坩埚底部为分瓣式结构,坩埚侧壁由一段或多段筒圈组成,每段筒圈均为一体式结构,坩埚底部的高度不超过坩埚整体高度的一半,坩埚底部为石墨材质,坩埚侧壁为C/C结构的碳纤维材质。本实用新型专利技术结构新颖而合理,既能够适应大直径单晶硅的生产,又具有良好的受力结构,同时还能降低事故的发生率,安全可靠。

A split type composite protective crucible

The utility model discloses a split type composite protective crucible, which belongs to the technical field of monocrystalline silicon production. The bottom and the side wall of the crucible comprises a crucible, crucible bottom is a split type structure, the crucible side wall is composed of one or more sections of the cylinder ring, each cylinder is an integral structure, the bottom of the crucible crucible height of not more than half of the whole height, at the bottom of the crucible, graphite crucible material, the side wall is made of carbon fiber the structure of C/C material. The utility model has a novel and reasonable structure, which can not only adapt to the production of large diameter monocrystalline silicon, but also has a good stress structure, and at the same time, it can also reduce the incidence of accidents, and is safe and reliable.

【技术实现步骤摘要】
一种分体式复合保护坩埚
本技术涉及单晶硅生产
,特别是指一种分体式复合保护坩埚。
技术介绍
在直拉单晶硅的生产中,特别是大直径单晶硅的生产中,石墨埚从来都是主要耗材,占所有石墨成本的近40%的消耗。特别是近年来投料量不断增大,石墨埚的高度也随之增高,相应地其成本也在增大,同时一旦出现问题,损失也是最大的。具体来说,在单晶硅的生产过程中,内部的石英埚对外部的石墨保护埚具有力矩作用,该作用使得石墨埚在小弧处容易发生断裂。另一方面,为了便于石英埚的安放,石墨埚一般都需要分瓣,当石墨埚老化后,石墨埚上沿距离加热器内径也就相差不远了,此时极易造成打火或液面抖,大大的增加了发生事故的机率。申请号为201120574912.1的中国专利公开了一种保护坩埚,该埚将埚体分为上下两个部分,两部分均为一体式结构,且坩埚底部的上沿面上具有用于安放坩埚侧壁的环形凹槽,这种结构可以缓冲竖直方向上的作用力,但无法避免水平方向上的作用力,尤其是环形凹槽的外壁比较薄弱,当有水平方向作用力作用于侧壁时,侧壁会在底部对环形凹槽的外壁产生一个较大的力矩作用,从而导致环形凹槽的外壁发生断裂。
技术实现思路
有鉴于此,本技术提出本文档来自技高网...
一种分体式复合保护坩埚

【技术保护点】
一种分体式复合保护坩埚,包括坩埚底部和坩埚侧壁,其特征在于,所述坩埚底部为分瓣式结构,所述坩埚侧壁为一体式结构,所述坩埚底部的高度不超过坩埚整体高度的一半,所述坩埚底部为石墨材质,所述坩埚侧壁为C/C结构的碳纤维材质,所述坩埚底部上沿处的外壁为内收斜坡,所述坩埚侧壁下沿处的内壁为外扩斜坡,当所述坩埚侧壁置于所述坩埚底部之上时内收斜坡与外扩斜坡相吻合。

【技术特征摘要】
1.一种分体式复合保护坩埚,包括坩埚底部和坩埚侧壁,其特征在于,所述坩埚底部为分瓣式结构,所述坩埚侧壁为一体式结构,所述坩埚底部的高度不超过坩埚整体高度的一半,所述坩埚底部为石墨材质,所述坩埚侧壁为C/C结构的碳纤维材质,所述坩埚底部上沿处的外壁为内收斜坡,所述坩埚侧壁下沿处的内壁为外扩斜坡,当所述坩埚侧壁...

【专利技术属性】
技术研发人员:焦鹏何京辉宋克冉李杰涛黄瑞强陈瑾
申请(专利权)人:宁晋晶兴电子材料有限公司
类型:新型
国别省市:河北,13

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1