一种表面镀保护层的铱坩埚制造技术

本实用新型专利技术公开了一种表面镀保护层的铱坩埚，包括埚体、涂层；其特征在于，埚体的外表面涂有所述的涂层；所述的涂层与所述的埚体相互贴合；所述的埚体的外表面呈粗糙状结构，所述的涂层的厚度为0.1～3mm；所述的涂层在埚体的外表面涂附，埚体内表面不涂附；在铱坩埚表面镀一层致密的耐高温保护涂层，将铱金坩埚的外表面包裹起来，从而阻止铱金挥发和逸散到环境大气中，达到保护铱金坩埚的目的；另外，一定厚度的保护层加强了铱坩埚的侧表面刚性，大大改善了铱坩埚变形状态。

【技术实现步骤摘要】
一种表面镀保护层的铱坩埚
本技术涉及人工晶体生长领域，具体涉及到一种表面镀保护层的铱坩埚。
技术介绍
使用中频感应加热方式的提拉法进行晶体生长，坩埚是盛放晶体原料的容器，也是核心的中频感应加热组件。因此，对坩埚材料的选择是晶体生长前期需考虑的最重要的问题，需要综合考虑晶体和坩埚的物理化学性能，如晶体材料的熔点，所使用的气氛，坩埚的抗热振性和机械加工性等。使用中频感应提拉法生长高熔点(熔点高于1900℃)的晶体一般采用铱坩埚，如生长蓝宝石晶体、硅酸镥(LSO)、硅酸钇镥(LYSO)、YAG等晶体均主要使用铱金坩埚，铱金熔点高达2454℃，在超过2000℃的环境下使用时主要存在铱金挥发和铱坩埚变形的问题，这些问题在生长高密度、高熔点如LSO、LYSO晶体时非常严重，LYSO晶体熔点高达2100℃，要保证铱坩埚内原料全部熔化，铱坩埚侧壁的问题需超过2200℃，在弱氧化性环境下，铱坩埚内外表面的氧化和挥发非常严重，挥发的铱或氧化铱可漂浮了熔体表面或晶体内部，造成晶体接种困难或晶体内出现铱金裹物，引起晶体生长失败或影响晶体质量。另外，铱坩埚中下部在高温下受到高密度熔点的液压易出现变形撑埚，影响本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面镀保护层的铱坩埚，包括埚体、涂层；其特征在于，埚体的外表面涂有所述的涂层；所述的涂层与所述的埚体相互贴合；所述的埚体的外表面呈粗糙状结构，所述的涂层的厚度为0.1～3mm；所述的涂层在埚体的外表面涂附，埚体内表面不涂附。

【技术特征摘要】
1.一种表面镀保护层的铱坩埚，包括埚体、涂层；其特征在于，埚体的外表面涂有所述的涂层；所述的涂层与所述的埚体相互贴合；所述的埚体的外表面呈粗糙状结构，所述的涂层的厚度为0.1～3mm；所述的涂层在埚体的外表面涂附，埚体内表面不涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁言国，叶崇志，邵明国，丁祖兵，陈凯，
申请(专利权)人：上海新漫晶体材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31