多晶硅铸锭用坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚和铺设于坩埚底部的第一籽晶层以及设于第一籽晶层上端的第二籽晶层，坩埚与所述第二籽晶层相对应的位置设置有一容纳槽，第二籽晶层的边缘抵靠于容纳槽的底部，第一籽晶层内由多晶硅棒破碎后的碎料多晶硅构成，第二籽晶层由多晶硅颗粒构成，第一籽晶层的高度为3‑5mm，第二籽晶层的高度为15‑20mm。上述多晶硅铸锭用坩埚，通过在坩埚的底部设置一层采用西门子法制备的第一籽晶层，以隔绝坩埚中的杂质，故红区教低，再在第一籽晶层上端设置一层采用西门子法制备的第二籽晶层，第二籽晶层为高纯度颗粒状多晶硅，致密性好，故形核性能好，解决了籽晶引晶后多晶硅的硅锭底部和侧部红区较高的问题。

Crucible for polysilicon ingot

【技术实现步骤摘要】
多晶硅铸锭用坩埚
本技术涉及晶硅铸锭
，特别涉及一种多晶硅铸锭用坩埚。
技术介绍
随着光伏行业的发展，晶体硅太阳能电池已逐步占据着光伏产业的主导地位。而硅片的成本占到了单/多晶体硅成本的一半以上，因此降低硅片的成本，提高硅片的质量，增加硅片的光电转换效率，对于光伏行业的发展有着极其重要的意义。晶体硅包括单晶硅和多晶硅两种，多晶铸锭过程中，根据引晶不同可分为全熔铸锭和半熔铸锭，全熔铸锭一般通过坩埚壁引晶，而半熔则在坩埚底部铺设籽晶，达到引晶的效果。相比于全熔铸锭，半熔铸锭制成的硅片，位错缺陷较少，在后续电池片的制作中会有更高的电池转换效率。在半熔铸锭制用硅片的过程中，对于不同的籽晶而言，其引晶效果不尽相同，部分籽晶引晶后硅锭底部和侧部红区较高，影响铸锭产量，部分籽晶形核能力不好，后续电池片转换效率不高，最终缺乏市场竞争力。
技术实现思路
基于此，本技术的目的是提供一种多晶硅铸锭用坩埚，以解决籽晶引晶后多晶硅的硅锭底部和侧部红区较高的问题。一种多晶硅铸锭用坩埚，包括坩埚和铺设于所述坩埚底部的第一籽晶层以及设于所述第一籽晶层上端的第二籽晶层，所述坩埚与所述第二籽晶层相对应的位置设置有一容纳槽本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，包括坩埚和铺设于所述坩埚底部的第一籽晶层以及设于所述第一籽晶层上端的第二籽晶层，所述坩埚与所述第二籽晶层相对应的位置设置有一容纳槽，所述第二籽晶层的边缘抵靠于所述容纳槽的底部，所述第一籽晶层内由多晶硅棒破碎后的碎料多晶硅构成，所述第二籽晶层由多晶硅颗粒构成，所述第一籽晶层的高度为3‑5mm，所述第二籽晶层的高度为15‑20mm。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，包括坩埚和铺设于所述坩埚底部的第一籽晶层以及设于所述第一籽晶层上端的第二籽晶层，所述坩埚与所述第二籽晶层相对应的位置设置有一容纳槽，所述第二籽晶层的边缘抵靠于所述容纳槽的底部，所述第一籽晶层内由多晶硅棒破碎后的碎料多晶硅构成，所述第二籽晶层由多晶硅颗粒构成，所述第一籽晶层的高度为3-5mm，所述第二籽晶层的高度为15-20mm。2.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述第一籽晶层的密度为1.53±0.2g/cm3。3.根据权利要求1所述的多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述容纳槽包括多个连续的子容纳槽。4.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李林东，陈伟，丁云飞，罗丁，严军辉，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36