多晶硅用坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供了一种多晶硅用坩埚，内壁涂层包括：复合于坩埚侧壁和底面的氮化硅涂层；复合于坩埚侧壁氮化硅涂层表面的颗粒层；复合于颗粒层表面的第二氮化硅涂层；所述第二氮化硅涂层具有若干孔眼，使颗粒层裸露。本实用新型专利技术通过在第二氮化硅涂层上设置孔眼，使得对应区域的颗粒层裸露在外，在生长多晶硅过程中，其可以作为硅的形核点，优先在该位置形核。由于形核点分布的均匀性和集中细密性，减少了晶核的无序竞争以及形成枝状晶的可能，降低晶体生长过程中的内应力，晶体缺陷少，质量高。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅用坩埚
本技术涉及太阳能
，尤其涉及一种多晶硅用坩埚。
技术介绍
太阳能电池可将光能转换为电能，光电转换效率和衰减是衡量太阳能电池质量好坏的重要参数，而生产成本的高低也成为了制约太阳能电池发展的重要因素。目前，根据材料的不同，太阳能电池主要分为单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池两种。单晶硅太阳能电池转换效率高，但是生产成本很高，多晶硅太阳能电池成本低，但转换效率则相对较低。目前，由于较高的性价比，多晶硅太阳能电池在光伏市场份额上占据优势。现有技术中多采用定向凝固法生产多晶硅锭，主要有两种方式：其一，是在内表面平坦的坩埚中投放硅料，之后将硅料全部熔化，通过控制铸锭炉内的温度，使多晶硅锭自下而上的定向凝固，得到多晶硅锭。这种方法生产的多晶硅锭随机形核，其中枝状晶比较多，后续生长过程中缺陷增值快，晶体质量低。其二，是采用底部粗糙的坩埚，配合适当的装料方式，在底部形成分布均匀、密集的形核点，使得底部均匀成小的晶核，初始形核晶体小，使生长得到的多晶硅锭中的晶粒大小更均匀，晶向更加一致，并降低了晶体内部的缺陷密度，从而提高了多晶硅太阳能电池的转换效率。因此第二种方法是目前的主流生产方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅用坩埚，其特征在于，内壁涂层包括：复合于坩埚侧壁和底面的氮化硅涂层；复合于坩埚侧壁氮化硅涂层表面的颗粒层；复合于颗粒层表面的第二氮化硅涂层；所述第二氮化硅涂层具有若干孔眼，使颗粒层裸露。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅用坩埚，其特征在于，内壁涂层包括：复合于坩埚侧壁和底面的氮化硅涂层；复合于坩埚侧壁氮化硅涂层表面的颗粒层；复合于颗粒层表面的第二氮化硅涂层；所述第二氮化硅涂层具有若干孔眼，使颗粒层裸露。2.根据权利要求1所述的多晶硅用坩埚，其特征在于，每两个相邻所述孔眼的间隔为0.3-5mm。3.根据权利要求1所述的多晶硅用坩埚，其特征在于，所述孔眼的直径为0.1-2mm。4.根据权利要求1所述的多晶硅用坩埚，其特征在于，所述孔眼呈阵列分布。5.根据权利要求1所述的多晶硅用坩埚，其特征在于，还包括：复合于坩...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟蕊，翁林梁，李娟，
申请(专利权)人：浙江昱辉阳光能源有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33