一种类单晶籽晶的铺底方法技术

本申请公开了一种类单晶籽晶的铺底方法，包括在坩埚底部铺设类单晶籽晶，形成类单晶籽晶区域；在所述类单晶籽晶区域与所述坩埚之间的缝隙中紧邻所述类单晶籽晶铺设具有预设厚度的单晶窄条，所述单晶窄条与所述坩埚之间具有预设间距。上述类单晶籽晶的铺底方法，能够避免铸造类单晶过程中的位错延伸，降低铸造类单晶中的位错占比，提高类单晶的少子寿命，提高铸造类单晶的整体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种类单晶籽晶的铺底方法
本专利技术属于光伏电池
，特别是涉及一种类单晶籽晶的铺底方法。
技术介绍
能源和环境是当今世界广泛关注的两大问题，太阳能作为一种可再生的绿色能源已经成为人们开发和研究的焦点。目前世界上许多国家掀起了开发利用太阳能的热潮，太阳能电池技术得到了快速的发展。类单晶技术是基于多晶铸锭的工艺，使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶硅片。类单晶是从单晶籽晶位置开始生长的，因此，籽晶的铺设方法成为影响长成的单晶的品质的关键因素。目前铸造类单晶存在的主要技术难点为单晶占比较少和位错延伸快，在铸锭工艺保持不变的情况下，增加铺底类单晶籽晶的面积能有效的提高铸造类单晶中的单晶占比；同时晶界能有效的阻止铸造类单晶中的位错延伸，因此增加类单晶籽晶面积的同时引入更多的晶界能有效的解决单晶占比少和位错延伸快的技术难点。目前，类单晶籽晶的铺底过程为使用36块完整的单晶籽晶平整的铺在坩埚底部，铺底完成后，正常装料和投炉。该方案中，由于籽晶和坩埚壁之间的空隙较大，因此，铸锭过程中，空隙处形核导致多晶生成。随着晶体的生长，多晶侵蚀单晶部分，导致铸造类单晶中的单晶占比较低，同时由于类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种类单晶籽晶的铺底方法，其特征在于，包括：在坩埚底部铺设类单晶籽晶，形成类单晶籽晶区域；在所述类单晶籽晶区域与所述坩埚之间的缝隙中紧邻所述类单晶籽晶铺设具有预设厚度的单晶窄条，所述单晶窄条与所述坩埚之间具有预设间距。

【技术特征摘要】
1.一种类单晶籽晶的铺底方法，其特征在于，包括：在坩埚底部铺设类单晶籽晶，形成类单晶籽晶区域；在所述类单晶籽晶区域与所述坩埚之间的缝隙中紧邻所述类单晶籽晶铺设具有预设厚度的单晶窄条，所述单晶窄条与所述坩埚之间具有预设间距。2.根据权利要求1所述的类单晶籽晶的铺底方法，其特征在于，所述预设厚度的范围为6mm至12mm。3.根据权利要求2所述的类单晶籽晶的铺底方法，其特征在于，所述单晶窄条与所述类单晶籽晶的高度差小于2mm。4.根据权利要求3所述的类单晶籽晶的铺底方法，其特征在于，所述预设间距的范围为20m...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪沛渊，李林东，欧子杨，王全志，晏文勇，邓清香，刘文婷，金浩，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36