单晶炉制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉，涉及晶体生长技术领域。包括：炉体、成型毡组、导流筒、容纳装置和第三成型毡，所述炉体内壁上设有所述成型毡，所述成型毡包括第一成型毡和第二成型毡，所述第一成型毡的形状为L型，设置在所述炉体内壁的上侧，所述第二成型毡设置在所述第一成型毡的下侧且与所述第一成型毡相匹配，所述导流筒设置在所述炉体内，所述导流筒外侧设有第三成型毡，所述导流筒下部设有所述容纳装置。采用上述方案后，能增加单晶炉的密封性，减少热对流及热量流失，减少单晶断线几率，提高单晶的生长速度与质量。

Single crystal furnace

The utility model discloses a single crystal furnace, which relates to the technical field of crystal growth. Includes a furnace body, forming felt group, a draft tube and a receiving device and third forming mat, inner wall of the furnace is arranged on the molding mat, the mat forming includes first and second molding forming felt felt, the first molding felt shape for L, installed on the inner wall of the furnace body. The side, matched with the first forming felt in the first side and the second molding mat forming felt settings, the draft tube is arranged in the furnace body, the outside of the guide tube is provided with third molding mat, the lower part of the guide tube is provided with the receiving device. After adopting the above scheme, the sealing ability of the single crystal furnace can be increased, the heat convection and heat loss will be reduced, the probability of single crystal disconnection will be reduced, and the growth speed and quality of the single crystal can be improved.

【技术实现步骤摘要】
单晶炉
本技术涉及晶体生长
，特别是涉及一种单晶炉。
技术介绍
单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。现有的单晶炉由于密封性不好，很容易导致热对流及热量流失，并且原有成型毡的结合部位容易产生气流，气流影响单晶断线几率，降低了单晶的生长速度与质量。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种单晶炉，能增加单晶炉的密封性，减少热对流及热量流失，减少单晶断线几率，提高单晶的生长速度与质量。本技术所采取的技术方案是：一种单晶炉，包括：炉体、成型毡组、导流筒、容纳装置和第三成型毡，所述炉体内壁上设有所述成型毡，所述成型毡组包括第一成型毡和第二成型毡，所述第一成型毡的形状为L型，所述第一成型毡设置在所述炉体内壁的上侧，所述第二成型毡设置在所述第一成型毡的下侧且与所述第一成型毡相匹配，所述导流筒设置在所述炉体内，所述导流筒外侧设有第三成型毡，所述导流筒下部设有所述容纳装置。作为进一步的技术方案，所述单晶炉还包括调节装置，所述容纳装置连接所述调节装置，所述调节装置调节所述容纳装置的位置。作为进一步的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶炉，其特征在于，包括：炉体（101）、成型毡组（102）、导流筒（103）、容纳装置（104）和第三成型毡（106），所述炉体（101）内壁上设有所述成型毡（102），所述成型毡组（102）包括第一成型毡（1021）和第二成型毡（1022），所述第一成型毡（1021）的形状为L型，所述第一成型毡（1021）设置在所述炉体（101）内壁的上侧，所述第二成型毡（1022）设置在所述第一成型毡（1021）的下侧且与所述第一成型毡（1021）相匹配，所述导流筒（103）设置在所述炉体（101）内，所述导流筒（103）外侧设有所述第三成型毡（106），所述导流筒（103）下部设有所述容纳装置（1...

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：炉体（101）、成型毡组（102）、导流筒（103）、容纳装置（104）和第三成型毡（106），所述炉体（101）内壁上设有所述成型毡（102），所述成型毡组（102）包括第一成型毡（1021）和第二成型毡（1022），所述第一成型毡（1021）的形状为L型，所述第一成型毡（1021）设置在所述炉体（101）内壁的上侧，所述第二成型毡（1022）设置在所述第一成型毡（1021）的下侧且与所述第一成型毡（1021）相匹配，所述导流筒（103）设置在所述炉体（101）内，所述导流筒（103）外侧设有所述第三成型毡（106），所述导流筒（103）下部设有所述容纳装置（104）。2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，还包括调节装置（105），所述容纳装置（104）连接所述调节装置（105），所述调节装置（105）调节所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王会敏，张浩强，颜超，赵贝，王宗均，陈二星，王东，杨彦申，李伟，
申请(专利权)人：邢台晶龙电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：河北,13