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本实用新型公开了一种单晶炉，涉及晶体生长技术领域。包括：炉体、成型毡组、导流筒、容纳装置和第三成型毡，所述炉体内壁上设有所述成型毡，所述成型毡包括第一成型毡和第二成型毡，所述第一成型毡的形状为L型，设置在所述炉体内壁的上侧，所述第二成型毡设...
该专利属于邢台晶龙电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过邢台晶龙电子材料有限公司授权不得商用。

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