一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了二极管领域内的一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及低开启电压的肖特基二极管D1，耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D1的正极侧，耗尽型NMOS管M1的栅极接二极管D1的正极侧，耗尽型PMOS管M2的栅极接二极管D1的负极侧，本实用新型专利技术在低功率敏感度、高功率容量以及减小反向漏电流等方面有着优越性能，通过在低开启电压的肖特基二极管D1两端连接NP沟道耗尽型MOS管，使得二极管D1在具备低开启电压保持的前提下还具有较高的截至电压，更好的起到保护二极管D1防止被击穿的作用，可用于无线充电线路中的二极管中。

A MOSFET rectifier diode based on NP channel complementary depletion type

The utility model discloses a diode in the field of complementary NP channel depletion type MOSFET rectifier diode based on D1, including the Schottky diode depletion NMOS transistor M1, M2 depletion PMOS transistor and low turn-on voltage, the negative side drain electrode is connected with the diode D1 depletion NMOS transistor M1 is connected to the positive side leakage, consumption the tube type PMOS D1 diode M2, a diode D1 anode side gate depletion NMOS transistor M1, a diode D1 anode side gate depletion PMOS transistor M2, the utility model has the advantages of low power sensitivity, high power capacity and reduce the reverse leakage current has superior performance, NP channel deplition mode MOS tube ends of the Schottky diode in low turn-on voltage of D1 connection, the diode D1 in low open high voltage under the premise of keeping up voltage, better play to prevent D1 protection diode The effect of breakdown can be used in a diode in a wireless charging line.

【技术实现步骤摘要】
一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管
本技术涉及一种二极管，特别涉及一种基于无线能量传输应用的整流二极管。
技术介绍
无线能量传输应用中，常采用具有低开启电压的肖特基二极管来提高低功率输入水平下的整流高效率；但是，由于半导体工艺局限性，具有低开启电压的肖特基二极管难以实现较高的截止电压，即具有强低功率敏感度的肖特基二极管，难以实现高功率容量。在一些需要宽功率动态范围的无线能量传输应用中，具有低开启电压的肖特基二极管难以胜任。同时，半导体工艺决定低开启电压的肖特基二极管具有较大的饱和电流，即反向漏电流，降低整流器的整流效率。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，具有低功率敏感度、高功率容量以及减小反向漏电流的特点。本技术的目的是这样实现的：一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及低开启电压的肖特基二极管D1，所述耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，所述耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型NMOS管M1的栅极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型PMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，其特征在于，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及具有低开启电压的肖特基二极管D1，所述耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，所述耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型NMOS管M1的栅极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型PMOS管M2的栅极接二极管D1的负极侧。

【技术特征摘要】
1.一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，其特征在于，包括耗尽型NMOS管M1、耗尽型PMOS管M2以及具有低开启电压的肖特基二极管D1，所述耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极侧，所述耗尽型PMOS管M2的漏极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型NMOS管M1的栅极接二极管D1的正极侧，所述耗尽型PMOS管M2的栅极接二极管D1的负极侧。2.根据权利要求1所述的一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，其特征在于，所述耗尽型NMOS管M1的漏极接二极管D1的负极，耗尽型NMOS管M1的源极作为NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管的输出负极，所述耗尽型PMOS管的漏极接二极管的正极，耗尽型PMOS管的源极作为NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管的输入正极。3.根据权利要求2所述的一种基于NP沟道互补耗尽型MOSFET整流二极管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，姚鸿，
申请(专利权)人：扬州芯智瑞电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32