多发射器二极管激光器封装制造技术

一种激光二极管组件包含以一排紧密封装的多个激光二极管芯片(1402)。每一个激光二极管芯片在P侧和N侧结合到第一和第二子安装座(1409,1410)。然后将子安装座附接到冷却载体(1401)，两个结合表面垂直于载体的顶面。激光辐射的方向平行于载体顶面，并且激光二极管芯片的有源区(1403)的顶部(1404)与载体之间的距离优选地位于以一排封装的各个激光源的间距的一半(1413)的范围内，优选在0.2mm至1mm的范围内，以允许高功率运行的高效冷却。子安装座可以是导电的，或者它们可以是至少部分地被导电层覆盖的绝缘材料。

Multi emitter diode laser packaging

A laser diode component consists of a plurality of laser diode chips (1402) packed tightly in a row. Each laser diode chip is combined at the P side and the N side to the first and second sub mounting seats (14091410). The sub mounting seat is then attached to the cooling carrier (1401), and the two surface is perpendicular to the top of the carrier. Laser radiation direction is parallel to the top surface of the carrier, and the active region of the laser diode chip (1403) of the top (1404) and the distance between the carrier preferably located at half spacing each row of laser source package of (1413) within the range of 0.2mm to 1mm, preferably in the range, with high efficiency the cooling allows for high power operation. The submounting seats can be conductive, or they can be at least partially insulated materials covered by the conductive layer.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多发射器二极管激光器封装相关申请的交叉引用本申请要求2015年5月4日提交的美国专利申请No.14/702,852的优先权，其内容通过引用的方式并入本文。
本专利技术涉及二极管激光器封装。更具体地说，本专利技术涉及在大功率应用，例如切割和焊接中使用的多发射器二极管激光器封装。
技术介绍
如本领域技术人员已知的，激光二极管芯片是半导体器件。它通常包括发射激光的单个宽区域。典型的尺寸也是现有技术，并且是2-5mm的腔体长度，优选地为4mm。激光二极管芯片的典型宽度为0.4mm至0.6mm，发射宽区域(有源区/激活区)的典型宽度为50μm至100μm，优选为90μm。发射宽区域(有源区)的典型高度为1μm至2μm，优选为1.1μm。激光二极管芯片的其他大小和尺寸是可能的。激光二极管芯片是指未封装到任何散热器并根据现有技术进行金属化的器件。术语单发射器激光二极管是本领域的标准术语。单发射器激光二极管芯片通常以相对大的表面平坦地安装在冷却表面上。激光二极管芯片的几何特性可以表征为具有两个平行大表面以及两组相对窄的平行表面的相对扁平的棒，如图2中的元件202所示。在这种传统的安装方式中，发射器激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光二极管组件，包括：载体基座(1401)，其具有表面；多个子安装座(1409,1410,1411,1412)，所述多个子安装座中的每一个子安装座直接或间接附接到所述载体基座(1401)的表面；多个激光二极管芯片(1402)，所述多个激光二极管芯片(1402)中的每一个具有两个相对的结合表面以及在所述两个结合表面之间的有源层，所述结合表面和所述有源层垂直于所述载体基座的表面，所述两个相对的结合表面中的每一个附接到所述多个子安装座(1409,1410,1411,1412)中的一个，使得包括所述有源层的所述多个激光二极管芯片(1402)中的每一个相对于载体基座(1401)竖直定向，每一个激光二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.05.04 US 14/702,8521.一种激光二极管组件，包括：载体基座(1401)，其具有表面；多个子安装座(1409,1410,1411,1412)，所述多个子安装座中的每一个子安装座直接或间接附接到所述载体基座(1401)的表面；多个激光二极管芯片(1402)，所述多个激光二极管芯片(1402)中的每一个具有两个相对的结合表面以及在所述两个结合表面之间的有源层，所述结合表面和所述有源层垂直于所述载体基座的表面，所述两个相对的结合表面中的每一个附接到所述多个子安装座(1409,1410,1411,1412)中的一个，使得包括所述有源层的所述多个激光二极管芯片(1402)中的每一个相对于载体基座(1401)竖直定向，每一个激光二极管芯片(1402)在所述有源层的端部具有有源区(1403)，所述有源区具有相对于所述载体基座而言的顶部，当由电流供电时所述顶部能够平行于所述载体基座(1401)的表面发射辐射；以及其中，所述多个激光二极管芯片中的每一个的所述有源区的顶部到所述载体基座的距离(1414,1416)不大于所述激光二极管组件中的所述多个激光二极管芯片(1402)中相邻激光二极管芯片之间的间距的一半(1413,1415)±10％。2.根据权利要求1所述的组件，其中，所述多个激光二极管芯片中的每一个激光二极管芯片的所述有源区的顶部到所述载体基座的距离在0.2mm和1mm之间。3.根据权利要求1所述的激光二极管组件，其中，所述多个激光二极管芯片中的每一个激光二极管芯片的底部与所述激光二极管组件中的所述载体基座之间的距离小于50μm。4.根据权利要求1所述的激光二极管组件，其中，所述多个激光二极管芯片中的每一个激光二极管芯片的有源区的中心到通过所述多个激光二极管芯片中的所述激光二极管芯片的有源区的中位中心线的距离不大于任何激光二极管芯片的有源区的宽度的1/10。5.根据权利要求1所述的激光二极管组件，其中，所述多个激光二极管芯片中的激光二极管芯片的每一个有源区确定垂直于来自所述有源区的辐射并垂直于所述载体的平面以形成基本上平行的多个平面，所述多个平面中的任何两个平面之间的距离不大于1微米。6.根据权利要求1所述的激光二极管组件，还包括单个准直透镜以沿着所述激光二极管组件的慢轴准直激光辐射。7.根据权利要求1所述的激光二极管组件，还包括：多个导电焊盘(501,502,503)，其以一排附接到所述载体基座(401)的表面，并且相邻的导电焊盘之间具有空间(510)；所述子安装座是导电子安装座，所述多个导电子安装座中的每一个具有附接到所述多个导电焊盘中的一个的安装表面；以及所述多个激光二极管芯片中的每一个在相邻导电焊盘之间的空间上方的位置安装在导电子安装座上。8.根据权利要求7所述的激光二极管组件，其中，所述多个子安装座中的每一个具有相同的尺寸。9.根据权利要求7所述的激光二极管组件，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·W·罗夫，李宇锋，HG·特罗伊施，S·海涅曼，
申请(专利权)人：通快光子学公司，
类型：发明
国别省市：美国,US