多晶硅还原炉用新型石墨组件制造技术

一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，包括卡帽、卡座、卡瓣，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度，本实用新型专利技术中，降低了卡瓣的高度，在卡瓣中间固定的硅芯完全暴露在还原炉的高温气氛中，而卡瓣周围的高温气氛较少，温度较低，多晶硅只会围绕硅芯生长，而不容易在卡瓣上沉积生长，这样在多晶硅棒生长的过程中，硅芯底部的卡瓣上不会生长多晶硅，生长完成的多晶硅棒内部不包含石墨卡瓣，从而也解决了碳头料浪费的问题，使用本实用新型专利技术的石墨组件，硅芯底部的卡瓣上不会生长多晶硅，比较于现有技术，至少可以减少20mm的碳头料的损失。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉用新型石墨组件
本技术涉及多晶硅生产用的石墨电极，尤其涉及一种多晶硅还原炉用新型石墨组件。
技术介绍
在多晶硅还原生长的过程中，多晶硅围绕硅芯生长成多晶硅棒，在靠近卡瓣的硅芯底部也会生长成多晶硅，导致卡瓣被生长完成后的多晶硅棒的底部包裹，此段包含石墨卡瓣的多晶硅棒被业界成为碳头料，这一段碳头料因含碳量高而多作废料处理，这样，导致间接的增加了多晶硅棒的成本。在申请号为201620619644.3的专利中，卡瓣的高度约为60mm，外漏在卡帽顶部的卡瓣的高度约为20mm，在多晶硅生长完成后，由于卡瓣伸出至卡帽的外部，卡瓣暴露在还原炉的高温气氛中，导致卡瓣周围也很容易生长多晶硅，外漏在卡帽顶部的卡瓣被多晶硅包裹，造成至少20mm高度的碳头料，而这一段碳头料就是因为包含了石墨卡瓣、含碳量高，只能作为废料处理，这样，至少要损失20mm高度的高纯度多晶硅棒。
技术实现思路
有必要提出一种生成多晶硅过程不含碳头料的多晶硅还原炉用新型石墨组件。一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，包括卡帽、卡座、卡瓣，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。优选的，在卡瓣周围的卡帽的顶部设置环形凹槽。优选的，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：包括卡帽、卡座、卡瓣，卡帽为底部开口的空心圆柱体，卡帽的空腔用于卡座插入，在卡帽顶部预留卡瓣穿过的孔，卡座为与卡帽的空腔匹配的圆柱体，卡瓣夹持在卡座与卡帽之间，卡瓣的顶部从卡帽顶部预留的孔穿出，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：包括卡帽、卡座、卡瓣，卡帽为底部开口的空心圆柱体，卡帽的空腔用于卡座插入，在卡帽顶部预留卡瓣穿过的孔，卡座为与卡帽的空腔匹配的圆柱体，卡瓣夹持在卡座与卡帽之间，卡瓣的顶部从卡帽顶部预留的孔穿出，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：在卡瓣周围的卡帽的顶部设置环形凹槽。3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：所述环形凹槽的侧壁为圆弧形侧壁。...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾品华，陈卫卫，
申请(专利权)人：石嘴山市新宇兰山电碳有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏,64