多晶硅还原炉用新型石墨组件制造技术
New graphite assembly for polycrystalline silicon reduction furnace
With the new graphite component of a polysilicon reduction furnace, including card cap, card holder, card flap, maximum height of the flap height is higher than the top card of the card cap, the invention reduces the height of valve, card, the card is fixed in the middle of the silicon core valve completely exposed in high temperature atmosphere reduction furnace. But the claw around the high temperature of the atmosphere is less, low temperature polysilicon only around the silicon core growth, and growth is not easy in card deposition petals, such growth in process of polysilicon rods, the growth of polysilicon silicon core at the bottom of the valve card does not, growth is completed within the polysilicon rod does not contain graphite card flap. Can solve the problem of waste carbon materials, graphite component of the invention, the growth of polysilicon silicon core at the bottom of the valve card does not, compared to the prior art, at least to reduce the loss of carbon materials 20mm.
【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉用新型石墨组件
本专利技术涉及多晶硅生产用的石墨电极，尤其涉及一种多晶硅还原炉用新型石墨组件。
技术介绍
在多晶硅还原生长的过程中，多晶硅围绕硅芯生长成多晶硅棒，在靠近卡瓣的硅芯底部也会生长成多晶硅，导致卡瓣被生长完成后的多晶硅棒的底部包裹，此段包含石墨卡瓣的多晶硅棒被业界成为碳头料，这一段碳头料因含碳量高而多作废料处理，这样，导致间接的增加了多晶硅棒的成本。在申请号为201620619644.3的专利中，卡瓣的高度约为60mm，外漏在卡帽顶部的卡瓣的高度约为20mm，在多晶硅生长完成后，由于卡瓣伸出至卡帽的外部，卡瓣暴露在还原炉的高温气氛中，导致卡瓣周围也很容易生长多晶硅，外漏在卡帽顶部的卡瓣被多晶硅包裹，造成至少20mm高度的碳头料，而这一段碳头料就是因为包含了石墨卡瓣、含碳量高，只能作为废料处理，这样，至少要损失20mm高度的高纯度多晶硅棒。
技术实现思路
有必要提出一种生成多晶硅过程不含碳头料的多晶硅还原炉用新型石墨组件。一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，包括卡帽、卡座、卡瓣，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。优选的，在卡瓣周围的卡帽的顶部设...
【技术保护点】
一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：包括卡帽、卡座、卡瓣，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：包括卡帽、卡座、卡瓣，所述卡瓣的高度不高于卡帽的顶部的最高高度。2.如权利要求1所述的多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：在卡瓣周围的卡帽的顶部设置环形凹槽。3.如权利要求2所述的多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：所述环形凹槽的侧壁为圆弧形侧壁。4.如权利要求2所述的多晶硅还原炉用新型石墨组件，其特征在于：所述卡帽的顶部为斜面，以...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾品华，陈卫卫，
申请(专利权)人：石嘴山市新宇兰山电碳有限公司，
类型：发明
国别省市：宁夏,64
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