The embodiment of the invention relates to the encapsulation field of integrated circuits. In one embodiment of the invention, a three-dimensional packaging structure of wafer level multilayer wiring, the three-dimensional packaging structure is composed of a plurality of two-dimensional integrated structure through the metal solder interconnect; two-dimensional integrated structure includes a functional chip (or multilayer wiring board), vertical interconnection adapter plate, filling materials and the re wiring layer, the function of the chip (multilayer wiring or transfer board), vertical interconnection adapter plate of the same level and placed by filling material package as a whole, the re wiring layer and through the re wiring layer transfer function chip signal terminations are arranged in the surface of the structure. The invention uses multilayer wiring adapter plate layers increase wiring system, and adopts the vertical interconnection adapter plate can improve the production efficiency and the side vertical interconnection switching method, the two-dimensional integrated structure to form a three-dimensional stacked package structure, high density, Gao Fu polygamo integration package.
【技术实现步骤摘要】
多层布线的晶圆级三维封装结构
本专利技术涉及一种多层布线的晶圆级三维封装结构,属于集成电路的封装
技术介绍
随着电子系统的功能不断增强,布线和安装密度越来越高,高密度、低成本已成为当前微电子产品的发展趋势,这些因素促进了晶圆级三维叠层等先进封装技术的发展。典型的晶圆级三维叠层封装通过芯片与垂直互连转接板扇出型封装实现可重构二维集成,再通过三维微组装实现可重构单元的三维垂直互连。它具有成本低、生产周期短、集成密度高等优点,可用于高性能系统封装。穿透硅通孔使得叠层有效,重布线技术(即RDL)是晶圆级三维封装的另一项必需的关键工艺技术,用于实现功能芯片到信号引出端(I/O)的转移。但由于RDL技术受布线层数的限制,使得晶圆级三维叠层封装难以满足互连关系较复杂的设计。为了满足当前微电子系统高密度、高复杂性布线的发展要求,亟需发展一种多层布线的晶圆级三维封装结构。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种多层布线的晶圆级三维封装结构,采用多层布线转接板来增加布线层数,并采用可提高生产效率的垂直互连转接板采用侧边垂直互连转接方法,将二维集成结构堆叠形成三维封装结构,实现高密度、多布线层的晶圆级封装。为了解决上述技术问题,本专利技术提供了如下的技术方案:本专利技术实施例提供一种多层布线的晶圆级三维封装结构,所述三维封装结构由若干个二维集成结构通过金属焊料上下互连组成;所述二维集成结构包括第一二维集成结构和第二二维集成结构;其中,第一二维集成结构包括功能芯片(1)、垂直互连转接板(5)、填充材料(4)和再布线层(3),功能芯片(1)、垂直互连转接 ...
【技术保护点】
一种多层布线的晶圆级三维封装结构,其特征在于:所述三维封装结构由若干个二维集成结构通过金属焊料上下互连组成;所述二维集成结构包括第一二维集成结构和第二二维集成结构;其中,第一二维集成结构包括功能芯片(1)、垂直互连转接板(5)、填充材料(4)和再布线层(3),功能芯片(1)、垂直互连转接板(5)同一水平面放置且通过填充材料(4)封装为一个整体,在所得结构表面设有再布线层(3);再布线层(3)实现功能芯片(1)的信号引出端转移;第二二维集成结构包括多层布线转接板(2)、垂直互连转接板(5)、填充材料(4)和再布线层(3),多层布线转接板(2)、垂直互连转接板(5)同一水平面放置且通过填充材料(4)封装为一个整体,在所得结构表面设有再布线层(3);再布线层(3)实现多层布线转接板(2)的信号引出端转移;该三维封装结构通过多层布线转接板(2)实现布线层数的增加。
【技术特征摘要】
1.一种多层布线的晶圆级三维封装结构,其特征在于:所述三维封装结构由若干个二维集成结构通过金属焊料上下互连组成;所述二维集成结构包括第一二维集成结构和第二二维集成结构;其中,第一二维集成结构包括功能芯片(1)、垂直互连转接板(5)、填充材料(4)和再布线层(3),功能芯片(1)、垂直互连转接板(5)同一水平面放置且通过填充材料(4)封装为一个整体,在所得结构表面设有再布线层(3);再布线层(3)实现功能芯片(1)的信号引出端转移;第二二维集成结构包括多层布线转接板(2)、垂直互连转接板(5)、填充材料(4)和再布线层(3),多层布线转接板(2)、垂直互连转接板(5)同一水平面放置且通过填充材料(4)封装为一个整体,在所得结构表面设有再布线层(3);再布线层(3)实现多层布线转接板(2)的信号引出端转移;该三维封装结构通过多层布线转接板(2)实现布线层数的增加。2.根据权利要求1所述多层布线的晶圆级三维封装结构,其特征在于:所述多层布线转接板(2),是根据系统的电互连设计要求采用CMOS工艺制作而成;所述多层布线转接板(2),实现晶圆级三维封装结构的多层布线。3.根据权利要求1所述的多层布线的晶圆级三维封装结构,其特征在于:所述垂直互连转接板(5)是根据功能芯片(1)电互连设计要求,截取相应尺寸的预制的通孔节距固定的垂直互连转接板圆片所得。4.根据权利要求1所述的多层布线的晶圆级三维封装结构,其特征在于:功能芯片或...
【专利技术属性】
技术研发人员:明雪飞,张荣臻,朱媛,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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