阵列基板的制作方法技术

一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔；在所述第一过孔中形成过渡层；形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及图案化钝化层均暴露出所述过渡层；刻蚀除去所述过渡层。本发明专利技术在平坦化层上的过孔中形成过渡层，可降低过孔落差，使得在形成第一图案化透明电极层的过程中不会有光阻残留在过孔中，进而避免过孔中存在透明电极材料残留而导致后续制程出现盲孔。

Fabrication method of array substrate

Including the method, making an array substrate: providing a substrate, a planarization layer is formed on the substrate, the planarization layer includes a first through hole; transition layer is formed on the first through hole; forming a first patterned transparent electrode layer and patterned passivation layer, the first transparent electrode layer and patterned the passivation layer are patterned exposing the transition layer; etching removing the transition layer. The present invention on the planarization layer through holes formed in the transition layer, can reduce the hole gap, making in the process of forming a first patterned transparent electrode layer without photoresist residue in the through hole, and thus avoid the existence of transparent electrode material and the residual lead to the subsequent process in blind hole.

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法
本专利技术涉及显示的
，特别是关于一种阵列基板的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(ColorFilter，CF)和薄膜晶体管阵列基板(TFTarray)以及夹置在两者之间的液晶层(LClayer)。图1A至图1E为现有的一种阵列基板的制作方法中的各步骤的截面示意图。如图1A至图1E所示，现有的制作方法包括以下步骤：在图1A中，基板(图未示)上设有第一钝化层(PV)11，平坦化层12形成于第一钝化层11上，在平坦化层12中开设用于电极搭接的过孔121；在图1B中，在平坦化层12上形成透明导电层13，透明导电层13的材料例如为ITO(铟锡氧化物)；在图1C中，在透明导电层13上涂布光刻胶(Photoresist，PR)14，由于PR存在流动性，会向平坦化层12上的过孔121中填充，而平坦化层12的膜厚通常较厚，使得过孔121断差较大，导致过孔121中光刻胶14膜厚过厚；在图1D中，对光刻胶14进行曝光、显影，得到图案化的光阻层覆盖在平坦化层12上面的透明导电层13上，然而，由于过孔121中光刻胶14膜厚过厚，在显影后仍有一部分光阻141残留在过孔121中覆盖部分的透明导电层13；在图1E中，刻蚀透明导电层13，得到图案化的透明电极层13，使透明电极层13与过孔121对应的部分暴露出下面的第一钝化层11，但是由于过孔121中残留的光阻141覆盖部分的透明导电层13，导致这部分透明导电层131没有在刻蚀过程中被完全刻蚀除去，仍残留在过孔121中。在后续制程中，当需要刻蚀除去第一钝化层11上与过孔121对应的部分以暴露出位于下方的导电层(图未示)时，由于第一钝化层11采用干刻(DET)方式去除，而干刻方式对ITO的蚀刻率极低，也即对残留的透明导电层131蚀刻率极低，这将导致这个位置上的第一钝化层11不能被完全刻蚀除去而出现盲孔，继而导致后续电极搭接不良的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板的制作方法，可避免平坦化层上的过孔中存在透明电极材料残留而导致后续制程出现盲孔。本专利技术提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔；在所述第一过孔中形成过渡层；形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及所述图案化钝化层均暴露出所述过渡层；刻蚀除去所述过渡层。进一步地，所述基板上形成有薄膜晶体管及覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层，所述平坦层形成在所述第一钝化层上。进一步地，在所述刻蚀除去所述过渡层的步骤之后，还包括：刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分；形成第二图案化透明电极层，所述第二图案化透明电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管连接。进一步地，所述刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分的步骤包括：保留用于刻蚀除去所述过渡层的光阻层；利用所述光阻层刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分。进一步地，在所述第一过孔中形成过渡层的步骤包括：将溶液型的涂层材料涂布在所述平坦化层上以形成过渡涂层；利用第一光罩图案化所述过渡涂层，得到位于所述第一过孔中的过渡层。进一步地，所述第一光罩为用于制作所述图案化钝化层的光罩，用于制作所述过渡层的光阻层采用负性光刻胶，用于制作所述图案化钝化层的光阻层采用正性光刻胶。进一步地，采用湿法刻蚀的方式刻蚀所述过渡涂层。进一步地，采用湿法刻蚀的方式刻蚀除去所述过渡层。进一步地，所述过渡层的厚度大于或等于1μm。进一步地，所述刻蚀除去所述过渡层的步骤包括：保留用于制作所述图案化钝化层的光阻层；利用所述光阻层刻蚀除去所述过渡层。本专利技术实施例的阵列基板的制作方法中，在平坦化层上的过孔中形成过渡层，可降低过孔落差以减小过孔中填充的光阻厚度，使得在形成第一图案化透明电极层的过程中不会有光阻残留在过孔中，进而避免过孔中存在透明电极材料残留而导致后续制程出现盲孔。附图说明图1A至图1E为现有的一种阵列基板的制作方法中的各步骤的截面示意图。图2为本专利技术一实施中阵列基板的制作方法的流程示意图。图3A至图3L为本专利技术一实施中阵列基板的制作方法中各步骤的截面示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。图2为本专利技术一实施中阵列基板的制作方法的流程示意图。图3A至图3L为本专利技术一实施中阵列基板的制作方法中各步骤的截面示意图。请结合图2与图3A至图3L，本专利技术的阵列基板的制作方法可包括以下步骤：步骤21，提供一基板，基板上形成有平坦化层，平坦化层包括第一过孔。具体地，请参图3A，基板(图未示)上形成有薄膜晶体管(图未示)及覆盖薄膜晶体管的第一钝化层31，平坦化层32形成在第一钝化层31上，平坦化层32包括第一过孔321，应该理解，第一过孔321的数量为多个。步骤22，在第一过孔中形成过渡层。具体地，在第一过孔321中形成过渡层331可具体包括以下步骤：请参图3B，将溶液型的涂层材料涂布在平坦化层32上以形成过渡涂层33。该溶液型的涂层材料应具有合适的粘滞性/黏度和较好的粘附性，其可以是不同于光刻胶但具有流动性的溶液型材料，例如溶液型半导体材料等。由于该溶液型的涂层材料具有流动性，在涂布时将由于自身流动性而填充至第一过孔321中，且第一过孔321中的过渡涂层33的厚度将大于过渡涂层33其它部分的厚度，在本实施例中，填充在第一过孔321中的过渡涂层33的厚度优选为大于或等于1μm。接着，利用第一光罩图案化过渡涂层33，得到位于第一过孔321中的过渡层331。具体地，请参图3C，在过渡涂层33上涂布光刻胶，利用第一光罩对光刻胶进行曝光，对曝光后的光刻胶进行显影，得到图案化的光阻层34，该图案化的光阻层34覆盖在填充第一过孔321的部分过渡涂层33上，接着，请参图3D，对过渡涂层33进行刻蚀，然后去光阻，在对过渡涂层33进行刻蚀，保留约1um的过渡涂层33，得到位于第一过孔321中的过渡层331。在本实施例中，采用湿法刻蚀的方式刻蚀过渡涂层33，第一光罩为用于制作图案化钝化层361(请参图3E至图3F)的光罩，用于制作过渡层331的光阻层34采用负性光刻胶，用于制作图案化钝化层361的光阻层37采用正性光刻胶，二者形成的光阻层具有互补图形，可以节省一道光罩。可以理解，当制作过渡层331和制作图案化钝化层361各自采用一道光罩时，则可不限定用于制作过渡层331的光阻层采用负性光刻胶，而可根据光罩的图案进行选择。进一步地，过渡层331的厚度可根据第一过孔321的深度进行调整以使第一过孔321具有合适的落差，在本实施例中，过渡层331的厚度优选为大于或等于1μm。步骤23，形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，第一图案化透明电极层及图案化钝化层均暴露出过渡层。请参图3E与图3F，形成第一图案化透明电极层，第一图案化透明电极层暴露出过渡层331。具体地，第一图案化透明电极层采用ITO材料，首先，在图3E中，在过渡层331上形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔；在所述第一过孔中形成过渡层；形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及所述图案化钝化层均暴露出所述过渡层；刻蚀除去所述过渡层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板上形成有平坦化层，所述平坦化层包括第一过孔；在所述第一过孔中形成过渡层；形成第一图案化透明电极层及图案化钝化层，所述第一图案化透明电极层及所述图案化钝化层均暴露出所述过渡层；刻蚀除去所述过渡层。2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述基板上形成有薄膜晶体管及覆盖所述薄膜晶体管的第一钝化层，所述平坦层形成在所述第一钝化层上。3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述刻蚀除去所述过渡层的步骤之后，还包括：刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分；形成第二图案化透明电极层，所述第二图案化透明电极层通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管连接。4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一过孔对应的部分的步骤包括：保留用于刻蚀除去所述过渡层的光阻层；利用所述光阻层刻蚀除去所述第一钝化层上与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓威，李家琪，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32