晶片的加工方法技术
Processing method of wafer
The wafer processing method can be used to divide the chip so that the angle of the chip is not deficient. From the back side (W2) side of the wafer, along the first spacer (L1) and the second spacing way (L2), we can irradiate the laser beam with wavelength of permeability to the wafer (W), and form more than two layers of modified layer (R) inside the wafer. After forming the modification layer, the wafer is divided into device chips (DC) along first spaced and second interval paths based on the grinding action from the back side of the wafer and starting from the modification layer. In the formation of the modification layer, the lower layer of the front side of the wafer in the first interval way is staggered with each other in the direction perpendicular to the first interval between the first intervals. Thus, the angles of the adjacent device chips will not be rubbed on the diagonal line when they are divided.
【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，将晶片分割成多个器件芯片。
技术介绍
例如，当利用切削刀具对具有300【μm】以上的比较厚的厚度的晶片进行切割时，存在背面崩边变大的问题。因此，提出了使用将激光加工和磨削加工组合的SDBG(StealthDicingBeforeGrinding：磨削前隐形切割)的方法(例如，参照专利文献1)。在SDBG中，沿着晶片的分割预定线照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的规定的深度的位置形成强度降低的改质层。之后，通过对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且利用磨削压力以改质层为分割起点将晶片分割成各个器件芯片。专利文献1：国际公开第2003/077295号但是，当在通过SDBG在晶片的内部形成改质层之后分割成各个芯片时，由于在沿芯片的对角线方向相邻的角部之间没有间隔，所以存在因芯片的角部彼此摩擦而容易在角部产生亏缺的问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该点而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能够对晶片进行分割以使得不在各个器件芯片的角产生亏缺。本专利技术的晶片的加工方法对晶片进行分割，该晶片在晶片正面上的...
【技术保护点】
一种晶片的加工方法，对晶片进行分割，该晶片在晶片正面上的由沿第一方向伸长的多条第1间隔道和沿与该第一方向垂直的第二方向伸长的多条第2间隔道划分的各区域内具有多个器件，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：改质层形成步骤，从晶片背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，沿着该第1间隔道和该第2间隔道在晶片的内部形成两层以上的改质层；以及分割步骤，在实施了该改质层形成步骤之后，通过磨削构件从晶片的背面进行磨削而使该晶片薄化至完工厚度，并且以所述改质层为起点对晶片沿着该第1间隔道和该第2间隔道进行分割，在该改质层形成步骤中，至少将该第1间隔道中的晶片正面侧的最下层的改质层...
【技术特征摘要】
2016.08.09 JP 2016-1564511.一种晶片的加工方法，对晶片进行分割，该晶片在晶片正面上的由沿第一方向伸长的多条第1间隔道和沿与该第一方向垂直的第二方向伸长的多条第2间隔道划分的各区域内具有多个器件，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：改质层形成步骤，从晶片背面侧照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，沿着该第1间隔道和该...
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