The invention relates to the technical field of display, in particular to a preparation method of an over - hole and a preparation method of a display substrate. The preparation method includes: the hole forming holes are formed on the film layer are respectively provided with at least two photoresist layer, through holes in which any photoresist layer adjacent the two layer in the cross section of the through hole cross-sectional area of the through hole from the photoresist film is larger than the photoresist layer close to the the coating area of the photoresist layer and away from the film hole in the through hole of the photoresist layer close to the projection film covered on the photoresist layer near the film; the film and the region via at least two layer photoresist layer corresponding to the etching, formation hole. The problem of reducing the good rate of the array substrate products caused by the overslope angle of the over hole in the existing technology can be solved.
【技术实现步骤摘要】
一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法。
技术介绍
在显示面板的制备过程中,阵列基板的制备是其中的一个重要工艺。阵列基板包括衬底基板和形成在衬底基板上的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor;TFT)层,在薄膜晶体管层中包括有源层、源漏极层、栅极层、绝缘层等多个层级结构,为实现不同膜层之间的连接,通常需要在绝缘层上形成过孔,并通过设置在过孔内的导线将绝缘层两侧的膜层进行连接。目前,过孔的制备通常采用干法刻蚀工艺,即采用等离子体轰击的方式在薄膜上进行刻蚀。由于干法刻蚀为各向异性刻蚀,通常会导致形成的过孔的坡度角过大,不利于后续工艺中形成的导线的连接,甚至会出现断线等不良,降低了阵列基板的产品良率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种过孔的制备方法及显示基板的制备方法,用以解决现有技术中的过孔制备方法形成的过孔的坡度角过大而导致的阵列基板产品良率降低的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下的技术方案:一种过孔的制备方法,包括:在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层,其中,任意两层相邻的光刻胶层中,远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积,且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔;对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀,形成过孔。本专利技术提供的过孔的制备方法中,在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层光刻胶层,每层光刻胶层上具有通孔,且任意两层相邻 ...
【技术保护点】
一种过孔的制备方法,其特征在于,包括:在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层,其中,任意两层相邻的光刻胶层中,远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积,且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔;对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀,形成过孔。
【技术特征摘要】
1.一种过孔的制备方法,其特征在于,包括:在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层,其中,任意两层相邻的光刻胶层中,远离所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积大于靠近所述膜层的光刻胶层的通孔的横截面面积,且远离所述膜层的光刻胶层的通孔在靠近所述膜层的光刻胶层上的投影覆盖靠近所述膜层的光刻胶层的通孔;对所述膜层与所述至少两层光刻胶层的通孔对应的区域进行刻蚀,形成过孔。2.根据权利要求1所述的过孔的制备方法,其特征在于,所述在需形成过孔的膜层上依次形成至少两层分别具有通孔的光刻胶层,具体包括:针对任意两层相邻的光刻胶层,形成靠近所述膜层的光刻胶层包括:形成一层光刻胶层,并在所述光刻胶层上形成通孔的图形;形成远离需形成过孔的膜层的光刻胶层包括:在靠近所述膜层的光刻胶层上形成一层光刻胶层,并在所述光刻胶层上形成通孔的图形。3.根据权利要求2所述的过孔的制备方法,其特征在于,所述在所述光刻胶层上形成通孔的图形,具体包括:通过曝光显影工艺在所述光刻胶层上形成通孔的图形。4.根据权利要求3所述的过孔的制备方法,其特征在于,在曝光工艺中,针对...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘宁,苏同上,成军,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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