一种降低氮化铝粉体中铁和硅杂质含量的方法技术

本发明专利技术涉及一种降低氮化铝粉体中微量铁、硅含量的方法，属于氮化铝粉体的制备领域。所述方法包括将氮化铝粉体通过真空高温处理令其所含的铁、硅杂质挥发，从而提高氮化铝粉体的纯度及相应烧结体的热导率。

【技术实现步骤摘要】
一种降低氮化铝粉体中铁和硅杂质含量的方法
本专利技术涉及氮化铝粉体制备
，具体涉及一种降低氮化铝粉体中铁和硅杂质含量的方法。
技术介绍
随着LED照明、电力机车、混合动力汽车等应用的高功率半导体器件的发展，高导热氮化铝陶瓷基板正在逐渐获得市场认可，作为部分取代树脂和氧化铝陶瓷基板的散热材料开始成规模地使用。氮化铝的理论热导率是320W/mK，但氮化铝陶瓷材料的热导率，最高的报道值在270W/mK左右，而实际使用中的氮化铝陶瓷基板，其热导率通常在120-190W/mK之间。对于氮化铝陶瓷基板的制作，通常首先将氮化铝粉体与相应的烧结助剂混合均匀，然后通过干压或湿法成型(流延、注浆、凝胶浇注等)工艺做成板状，再经过排胶、烧结等工艺获得致密陶瓷基板。每个工艺环节都会对最终产品的热导率造成影响，这也是氮化铝陶瓷基板热导率远低于其理论值的原因。在这些影响热导率的环节中，作为最基本的氮化铝粉体，其性能对后续的生产环节以及最终产品的热导率有着决定性的影响。AlN粉体性能指标包括其粒径、比表面、晶粒形状、金属杂质含量和表面氧含量等。很多研究表明，除了氧以外，AlN粉体中的金属杂质，主要是铁和硅，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低氮化铝粉体中铁和硅杂质含量的方法，其特征在于，所述方法包括：通过真空条件下的高温处理令所述氮化铝粉体中包含的铁杂质和硅杂质挥发，从而提高氮化铝粉体的纯度。

【技术特征摘要】
1.一种降低氮化铝粉体中铁和硅杂质含量的方法，其特征在于，所述方法包括：通过真空条件下的高温处理令所述氮化铝粉体中包含的铁杂质和硅杂质挥发，从而提高氮化铝粉体的纯度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化铝粉体的平均粒径为0.5-30微米；比表面积为1-30m2/g；铁杂质含量在30ppm以上，硅杂质含量在30ppm以上。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述铁杂质含量为30-200ppm，硅杂质含量为30-200ppm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铁杂质和硅杂质在所述氮化铝粉体中以氧化物或单质形式存在。5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述真空条件下的高温处理，处理温度在1400-1750℃，真空度<10Pa，处理时间为1-10h。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述处理时间为2-5h。7.根据权利要求5所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈卫武，詹国彬，
申请(专利权)人：上海东洋炭素有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31