The invention relates to the technical field of powder preparation, in particular to a preparation method of a homogeneous and high purity AlN powder. That is to say, in the process of nitriding AlN powder by aluminum powder, by introducing a small amount of high purity argon, the synthetic temperature is reduced under the condition of ensuring complete nitriding, so that the synthesized AlN powder is homogeneous and easy to crush. AlN powder prepared by the method can reduce the grinding time of follow-up process, reduce the grinding medium into the impurities, so as to ensure the high purity of AlN powders after fine grinding, compared with the ordinary process, the same size of the grinding time is reduced by about 30%, the oxygen content decreased about 0.2%.
【技术实现步骤摘要】
一种AlN粉体的制备方法
本专利技术涉及粉体制备
,具体涉及一种均质、纯度高的AlN粉体的制备方法。
技术介绍
随着LED照明、电力机车、混合动力汽车等应用的高功率半导体器件的发展,高导热氮化铝陶瓷基板正在逐渐获得市场认可,作为取代玻纤和氧化铝陶瓷基板的散热材料开始成规模地使用。氮化铝的理论热导率是320W/mK,但氮化铝陶瓷基板的热导率,最高的报道值在270W/mK左右,而实际使用中的氮化铝陶瓷基板,其热导率通常在120-190W/mK之间。对于氮化铝陶瓷基板的制作,通常首先将氮化铝粉体与相应的烧结助剂混合,然后通过干压或湿法成型(流延、注浆等)、排胶、烧结等工艺步骤完成。每个工艺环节都会对最终产品的热导率造成影响,这也造成实际使用中氮化铝陶瓷基板热导率远低于其理论值。在这些影响热导率的环节中,作为最基本的氮化铝粉体,其性能对后续的生产环节以及最终产品的热导率有着决定性的影响。AlN粉体性能包括其粒径、比表面、晶粒形状、金属杂质含量和表面氧含量等。很多研究表明,AlN粉体中的金属杂质和表面吸附的氧,因为在烧结过程中会固溶进入氮化铝晶格中造成缺陷,从而影响声 ...
【技术保护点】
一种AlN粉体的制备方法,所述制备方法采用铝粉氮化法,其反应下式所示:2Al+N2=2AlN,其特征在于,在作为反应原料的高压氮气中混入氩气。
【技术特征摘要】
1.一种AlN粉体的制备方法,所述制备方法采用铝粉氮化法,其反应下式所示:2Al+N2=2AlN,其特征在于,在作为反应原料的高压氮气中混入氩气。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,混入氩气的量为氮气和氩气总体积的0.01%-10%。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,混入氩气的量为氮气和氩气总体积的1%-5%。4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述铝粉氮化法包括外部加热的燃烧合成方法、自蔓延燃烧合成方法以及铝液氮化合成方法。5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:将铝粉放入高纯度石墨坩埚或氮化铝陶瓷坩埚中,并将坩埚放入合成炉中,先通入氩气,然后通入高压氮气至0.1-5MPa。6.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述制...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈卫武,詹国彬,
申请(专利权)人:上海东洋炭素有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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