耦合纳米机械振子及其形成方法技术

技术编号:17293875 阅读:46 留言:0更新日期:2018-02-18 05:29
本申请提供一种耦合纳米机械振子及其形成方法,其中耦合纳米机械振子包括:衬底;依次悬空于衬底表面的第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元;其中,第一纳米机械振子单元为耦合单元,第二纳米机械振子单元为工作单元,所述工作单元具有光学模式和机械模式,耦合单元具有光学模式,且在泵浦光驱动下,第一纳米机械振子单元的光学模式和第二纳米机械振子单元的光学模式耦合。本申请的纳米机械振子灵敏度和分辨率高,本申请的纳米机械振子形成工艺步骤简单。

【技术实现步骤摘要】
耦合纳米机械振子及其形成方法
本专利技术涉及纳米制造领域,特别涉及一种耦合纳米机械振子及其形成方法。
技术介绍
由于纳米微粒的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等使得它们在磁、光、电、敏感性等方面呈现常规材料不具备的特性,因此其在电子材料、光学材料、催化、传感、陶瓷增韧等方面都有着广阔的应用前景。纳米机械系统是纳米尺度的机械系统,通常具有较好的品质因子、弹性常量等优秀性质,并且纳米机械系统可以用于力和质量的探测。但是,随着社会进步和科技发展,用户对机械振子的要求也越来越高,现有的机械振子的灵敏度和分辨率已经无法满足需求,且现有的机械振子制造方法较落后,因此,亟待一种新型的机械振子和形成方法。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种耦合纳米机械振子及其形成方法。本专利技术提供一种耦合纳米机械振子的形成方法,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成第一介质层;在所述第一介质层表面形成第一二硫化钼少层;在所述第一二硫化钼少层表面形成隔热层;在所述隔热层表面形成第二二硫化钼少层;在所述第二二硫化钼少层表面形成硬掩膜层;对所述衬底进行退火,使得第一二硫化钼少层和第二二硫化钼少层弹性常本文档来自技高网...
耦合纳米机械振子及其形成方法

【技术保护点】
一种耦合纳米机械振子的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成第一介质层;在所述第一介质层表面形成第一二硫化钼少层;在所述第一二硫化钼少层表面形成隔热层;在所述隔热层表面形成第二二硫化钼少层;在所述第二二硫化钼少层表面形成硬掩膜层;对所述衬底进行退火,使得第一二硫化钼少层和第二二硫化钼少层弹性常量不相同;在硬掩膜层上形成图案,沿所述图案依次刻蚀硬掩膜层、第二二硫化钼少层、隔热层、第一二硫化钼少层和第一介质层,直至暴露出衬底,形成第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元;去除硬掩膜层;形成覆盖所述衬底、第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元的第二介质层;在所述第二介质层表面...

【技术特征摘要】
1.一种耦合纳米机械振子的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底表面形成第一介质层;在所述第一介质层表面形成第一二硫化钼少层;在所述第一二硫化钼少层表面形成隔热层;在所述隔热层表面形成第二二硫化钼少层;在所述第二二硫化钼少层表面形成硬掩膜层;对所述衬底进行退火,使得第一二硫化钼少层和第二二硫化钼少层弹性常量不相同;在硬掩膜层上形成图案,沿所述图案依次刻蚀硬掩膜层、第二二硫化钼少层、隔热层、第一二硫化钼少层和第一介质层,直至暴露出衬底,形成第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元;去除硬掩膜层;形成覆盖所述衬底、第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元的第二介质层;在所述第二介质层表面形成掩膜图形,以所述掩膜图形为掩膜,去除第二介质层直至暴露出衬底,且暴露出第二纳米机械振子单元表面以及隔热层和第一介质层的侧面;侧向选择性去除第二纳米机械振子单元下方的隔热层以及第一纳米机械振子单元下方的第一介质层,使得第一纳米机械振子单元和第二纳米机械振子单元悬空,以使得第一纳米机械振子单元为耦合单元,第二纳米机械振子单元为工作单元,其中,工作单元具有光学模式和机械模式,耦合单元具有光学模式,且在泵浦光驱动下,第一纳米机械振子单元的光学模式和第二纳米机械振子单元的光学模式耦合;贯穿所述衬底直至暴露出第一纳米机械振子单元。2.如权利要求1所述的耦合纳米机械振子的形成方法,其特征在于,所述第一二硫化钼少层与第二二硫化钼少层形...

【专利技术属性】
技术研发人员:俞挺徐铿丁金龙李星仪方雨苏郭满满李钦亮
申请(专利权)人:江西师范大学
类型:发明
国别省市:江西,36

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