芯片布置及其制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
芯片布置及其制造方法
各种实施例总体上涉及芯片布置及其制造方法。
技术介绍
图1是示出了常规硅传声器100的截面透视图的示意图。在一些常规的硅传声器微机电系统（MEMS）芯片100中，有效区域包括典型地具有数百纳米的厚度的非常薄的膜102以及悬置在通孔106之上的对电极104。从背侧蚀刻具有膜102的微机电系统（MEMS）芯片100。对电极104典型地也是非常薄的。膜102与对电极104两者均是部分金属化的。声波将冲击在膜102上。这将导致膜102振荡。通过测量由于膜102的振荡所造成的电容改变来检测声波。该传声器的性能通常取决于膜的背侧（即，与其中声波所冲击的前侧相对侧）上的容积。图2是示出了常规硅传声器200中可能存在的各种部件的图解。该硅传声器包括具有膜204的微机电系统（MEMS）芯片202。MEMS芯片202被安装在基板206上并接线键合至基板206。硅传声器200还可以包括可选的逻辑芯片208。微机电芯片202和可选的逻辑芯片208可以通过多个电引线相连接。硅传声器200还具有盖件210以覆盖微机电芯片202和可选的逻辑芯片208。图3是示出了另一常规...
【技术保护点】
一种用于制造芯片布置的方法，所述方法包括：将传声器芯片键合到第一载件，所述传声器芯片包括传声器结构；沉积粘合剂材料，使所述粘合剂材料从所述传声器结构侧向地布置；并且将所述传声器结构布置到第二载件的空腔中，使得所述粘合剂材料将所述传声器芯片固定到所述第二载件；其中所述第一载件包括一个或多个通孔，所述一个或多个通孔布置在所述传声器芯片之上并且暴露于外部，使得声音直接到达所述传声器芯片而不经过空腔。
【技术特征摘要】
2013.01.23 US 13/747,4961.一种用于制造芯片布置的方法，所述方法包括：将传声器芯片键合到第一载件，所述传声器芯片包括传声器结构；沉积粘合剂材料，使所述粘合剂材料从所述传声器结构侧向地布置；并且将所述传声器结构布置到第二载件的空腔中，使得所述粘合剂材料将所述传声器芯片固定到所述第二载件；其中所述第一载件包括一个或多个通孔，所述一个或多个通孔布置在所述传声器芯片之上并且暴露于外部，使得声音直接到达所述传声器芯片而不经过空腔。2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述传声器芯片键合到所述第一载件包括基板上倒装芯片工艺。3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：将另外的芯片键合到所述第一载件，其中所述另外的芯片被电耦合到所述传声器芯片。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述另外的芯片经由所述第一载件被电耦合到所述传声器芯片。5.根据权利要求3所述的方法，其中所述另外的芯片经由接线键合被电耦合到所述传声器芯片。6.根据权利要求3所述的方法，其中所述另外的芯片包括逻辑芯片。7.根据权利要求3所述的方法，其中所述另外的芯片包括专用集成电路芯片。8.根据权利要求3所述的方法，其中所述另外的芯片被配置成对从所述传声器芯片接收的一个或多个信号进行信号处理。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述传声器结构包括被配置成接收音波的至少一个膜。10.根据权利要求1所述的方法，其中所述粘合剂材料包括热熔性材料。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述传声器结构被布置到所述第二载件的所述空腔中，使得所述粘合剂材料在所述第一载件与所述第二载件之间形成声学密封。12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述传声器芯片已被键合到所述第一载件之后，沉积所述粘合剂材料。13.根据权利要求1所述的方法，其中将所述传声器结构布置到所述第二载件的所述空腔中包括将所...
【专利技术属性】
技术研发人员：T·施博特尔，H·托伊斯，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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