磁存储器制造技术

本发明专利技术涉及磁存储器。提供一种改善了写入效率的SOT写入方式的磁存储器。根据本实施方案的磁存储器具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。

Magnetic memory

The present invention relates to magnetic memory. A magnetic memory is provided to improve the writing efficiency of the SOT writing mode. According to the magnetic memory of this embodiment includes: first to third terminals; first conductive nonmagnetic layer, with first to third parts, the first part is located between the second part and the third part, the second part and the first connecting terminals, the third part is connected with the the second terminal electrically; first magnetoresistive element, with the third terminal electrically connected to the first magnetic layer, disposed on the second magnetic layer, between the first magnetic layer and the first part and disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer second layer and first layer; at least between the first part and the second magnetic layer, including Mg, Al, Si, Hf and rare earth elements in at least one element, and oxygen and nitrogen in the at least one element.

【技术实现步骤摘要】
磁存储器相关申请的交叉引用本申请基于2016年8月4日在日本提交的在先日本专利申请第2016-153898号并要求其优先权，该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
本专利技术的实施方案涉及一种磁存储器。
技术介绍
近年来，关于使用了自旋轨道相互作用(SpinOrbitInteraction)或自旋霍尔效应(SpinHallEffect)的写入方式的磁存储器的研究开发正积极地进行。自旋霍尔效应为如下的现象：通过使电流在非磁性层中流动，彼此具有相反方向的自旋角动量(以下也简称为自旋)的电子被向相反方向散射，产生自旋电流Is，由此在电子流动的垂直方向的界面积蓄相反方向的自旋。磁性隧道结(MTJ:MagneticTunnelJunction)元件具备磁化方向固定的第1磁性层(也称为参考层)、磁化方向可变的第2磁性层(也称为存储层)以及配置在第1磁性层和第2磁性层之间的非磁性绝缘层。将该MTJ元件的第2磁性层(存储层)层叠在上述非磁性层上，并且通过当电流在非磁性层中流动时在非磁性层中产生的自旋电流、及积蓄了自旋的电子向MTJ元件的存储层赋予自旋力矩SOT(SpinObitTorque)，可本文档来自技高网...

【技术保护点】
磁存储器，其具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，该第1非磁性层具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，该第1磁阻元件具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，该第1层至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。

【技术特征摘要】
2016.08.04 JP 2016-1538981.磁存储器，其具备：第1至第3端子；导电性的第1非磁性层，该第1非磁性层具有第1至第3部分，所述第1部分位于所述第2部分与所述第3部分之间，所述第2部分与所述第1端子电连接，所述第3部分与所述第2端子电连接；第1磁阻元件，该第1磁阻元件具有与所述第3端子电连接的第1磁性层、配置在所述第1磁性层与所述第1部分之间的第2磁性层、以及配置在所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的第2非磁性层；和第1层，该第1层至少配置在所述第1部分与所述第2磁性层之间，包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素。2.权利要求1所述的磁存储器，其还具备：第1电路，该第1电路向所述第3端子施加电压，同时使写入电流在所述第1端子与所述第2端子之间流动；和第2电路，该第2电路使读出电流在所述第3端子与所述第1端子之间流动。3.权利要求1所述的磁存储器，其还具备：第4端子；第2磁阻元件，该第2磁阻元件具有与所述第4端子电连接的第3磁性层、第4磁性层、配置在所述第3磁性层与所述第4磁性层之间的第3非磁性层；和第2层，该第2层包含Mg、Al、Si、Hf和稀土元素中的至少一种元素、以及氧和氮中的至少一种元素；所述第1非磁性层还具有配置在所述第1部分与所述第2部分之间的第4部分，所述第4磁性层配置在所述第3非磁性层与所述第4部分之间，所述第2层配置在所述第4部分与所述第4磁性层之间。4.权利要求3所述的磁存储器，其中，所述第1层与所述第2层彼此连接。5.权利要求3所述的磁存储器，其中，所述第1层与所述第2层彼此相离地配置。6.权利要求3至5中任一项所述的磁存储器，其还具备如下电路：向所述第3...

【专利技术属性】
技术研发人员：齐藤好昭，与田博明，加藤侑志，石川瑞惠，及川壮一，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP