A semiconductor silicon slice cleaning agent and preparation method thereof, wherein the cleaning agent, including surfactant, alkali, organic complexing agent, solvent and water, the percentage of the cleaning agent composition and the content of the volume is as follows: 1 surfactant 15%; organic base 3 5%; 2 complexing agent 10% 3 10%; cosolvent; water 60 80%; according to the component and content of silicon wafer cleaning made of cleaning agent, simple operation, and no increase in cleaning tedious steps, low cost, no pollution, especially suitable for diamond polishing of silicon wafer cleaning.
【技术实现步骤摘要】
半导体硅磨片清洗剂及其制备方法
本专利技术涉及硅磨片清洗剂
,尤其是一种半导体硅磨片清洗剂及其制备方法。
技术介绍
半导体硅材料加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序的工艺技术。现在12英寸大直径硅单晶衬底片已成为IC制造的主流技术,仅中国内地正在建或拟建的300mmFAB代工厂就有8条线,200mm的FAB厂众多,其对清洗剂的需求很大,半导体硅片的单位制造成本增加,其良率的高低对成本起到关键作用,所以工艺的优化和清洗剂性能的稳定变得异常关键。产品质量要求高,要求清洗剂选择性好,去除率稳定,但是这一领域的市场主要被美国的CABOT和DUPONT,日本的FUJIMI等国外公司掌控,并且各家公司对清洗剂制备技术进行了严密的保护。虽然国内近几年液出现过硅磨片清洗剂的研发及生产企业,但总体来说,还没有一家公司的产品能够进口产品,在国内市场占有一席之地。因此立足于满足国内半导体行业需求,满足不同客户和不同技术水平要求的清洗剂。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种半导体硅磨片清洗剂及其制备方法,具有硅片清洗操作简单,成本低,无污染的优点, ...
【技术保护点】
一种半导体硅磨片清洗剂,包括表面活性剂、有机碱、络合剂、助溶剂和水,其特征在于,所述清洗剂的组份和含量的体积百分比如下:表面活性剂1‑15%;有机碱3‑5%;络合剂2‑10%;助溶剂3‑10%;水60‑80%;其中,所述表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或其组合;所述有机碱选自以下组分中的一种或两种:三乙醇胺、四甲基氢氧化铵;所述的络合剂选自以下的一种或多种:乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸钠和乙二胺四乙酸;所述助溶剂选自丙三醇、乙醇、异丙醇或其混合物;所述水为去离子水。
【技术特征摘要】
1.一种半导体硅磨片清洗剂,包括表面活性剂、有机碱、络合剂、助溶剂和水,其特征在于,所述清洗剂的组份和含量的体积百分比如下:表面活性剂1-15%;有机碱3-5%;络合剂2-10%;助溶剂3-10%;水60-80%;其中,所述表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚或其组合;所述有机碱选自以下组分中的一种或两种:三乙醇胺、四甲基氢氧化铵;所述的络合剂选自以下的一种或多种:乙二胺四乙酸二钠、柠檬酸钠和乙二胺四乙酸;所述助溶剂选...
【专利技术属性】
技术研发人员:石建伟,
申请(专利权)人:天津鑫泰士特电子有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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