The utility model relates to a light emitting diode lighting circuit. The light emitting diode (LED) lighting circuit includes a transistor, the transistor is connected to receive LED current flowing through the LED array detector; ripple, ripple voltage generated indicating the ripple current ripple detector; adaptive offset generator, the generator voltage generated by the adaptive offset adaptive offset voltage and ripple voltage of the node the transistor on; and linear regulator, the linear regulator to drive the transistor to regulate the LED current control according to the reference voltage, the control reference voltage generated by the voltage ripple and the adaptive offset voltage. One of the technical problems solved by the utility model is to prevent serious power loss due to the difficulty of automatic optimization of the saturation voltage of the transistor. One of the technical effects of the utility model is to minimize the power dissipation of the saturated work from the transistor.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管照明电路相关申请的交叉引用本申请要求2016年1月26日提交的美国临时申请No.62/287,081的权益,该申请全文以引用方式并入本文。
本技术整体涉及电子电路,更具体地但非排他性地涉及纹波抑制器。
技术介绍
顾名思义,纹波抑制器是用于抑制信号的纹波的电路。在发光二极管(LED)照明电路中,纹波抑制器用于抑制流过LED阵列的LED电流的纹波。纹波抑制器可包括线性稳压器,该线性稳压器感测来自感测电阻器的LED电流,并且驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以调节LED电流并使之平滑。该纹波抑制器拓扑结构的问题在于感测电阻器增加了LED照明电路的功率损耗。另一种纹波抑制器拓扑结构包括驱动双极性结型晶体管(BJT)而非MOSFET的线性稳压器。BJT不需要感测电阻器,但因BJT在有源区中的集电极至发射极电压而具有严重的功率损耗,原因在于自动优化BJT的饱和电压相对较困难。
技术实现思路
在一个实施方案中,LED照明电路包括纹波抑制器。纹波抑制器包括纹波检测器、自适应偏移发生器和线性稳压器。纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压。自适应偏移发生器由纹波电压以及 ...
【技术保护点】
一种发光二极管LED照明电路,包括:晶体管,所述晶体管被连接以接收流过LED阵列的LED电流;纹波检测器,所述纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压;自适应偏移发生器,所述自适应偏移发生器由所述纹波电压以及所述晶体管的节点上的电压生成自适应偏移电压;以及线性稳压器,所述线性稳压器驱动所述晶体管以根据控制参考电压来调节所述LED电流,所述控制参考电压由所述纹波电压和所述自适应偏移电压生成。
【技术特征摘要】
2016.01.26 US 62/287,081;2016.12.22 US 15/388,2431.一种发光二极管LED照明电路,包括:晶体管,所述晶体管被连接以接收流过LED阵列的LED电流;纹波检测器,所述纹波检测器生成指示纹波电流的纹波电压;自适应偏移发生器,所述自适应偏移发生器由所述纹波电压以及所述晶体管的节点上的电压生成自适应偏移电压;以及线性稳压器,所述线性稳压器驱动所述晶体管以根据控制参考电压来调节所述LED电流,所述控制参考电压由所述纹波电压和所述自适应偏移电压生成。2.根据权利要求1所述的LED照明电路,其中所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管,所述线性稳压器包括第一放大器,所述第一放大器具有连接到所述晶体管的漏极的第一节点、接收所述控制参考电压的第二节点以及连接到所述晶体管的栅极的输出节点。3.根据权利要求1所述的LED照明电路,其中所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管,所述自适应偏移发生器基于所述纹波电压与所述晶体管的漏极至源极电压之间的差值来生成所述自适应偏移电压。4.根据权利要求1所述的LED照明电路,其中所述晶体管是金属氧化物半导体(MOS)晶体管,所述自适应偏移发生器基于所述晶体管的漏极至源极电压的峰值与所述纹波电压的峰值之间的差值来生成所述自适应偏移电压。5.根据权利要求1所述的LED照明电路,还包括:加法器,所述加法器通过将所述自适应偏移电压加到所述纹波电压来生成所述控制参考电压。6.根据权利要求1所述的LED照明电路,其中所述纹波检测器包括高通滤波器。7.根据权利要求1所述的LED...
【专利技术属性】
技术研发人员:金镇兑,严炫喆,朴仁琪,李应佑,
申请(专利权)人:快捷韩国半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:韩国,KR
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