基于F‑P结构的光纤微悬桥磁场传感探头制造技术

本实用新型专利技术针对在狭窄空间的磁场测量，设计了一种基于F‑P结构的超磁致伸缩镀膜光纤微悬桥磁场传感探头。结构包括：光纤、固支端、光纤微悬桥、中间反射体、法布里‑珀罗谐振腔、铬金属膜和超磁致伸缩薄膜。光纤微悬桥位于光纤端面，通过固支端与光纤连接，光纤微悬桥与光纤端面构成法布里‑珀罗谐振腔，光纤微悬桥外表面依次镀铬金属膜和超磁致伸缩膜。本实用新型专利技术采用法布里‑珀罗谐振腔结构可以达到高精度检测磁场的需要，中间反射体能有效保持法布里‑珀罗谐振腔两个极板平行，增加量程。

【技术实现步骤摘要】
基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头
本专利技术属于光纤传感
，涉及一种基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头。
技术介绍
目前的磁场传感器主要基于霍尔效应、磁阻效应、磁通门效应等机理。霍尔效应是利用自由电子在外磁场作用下有向两边聚集的倾向，形成与磁感应强度成正比的电势差；磁阻传感器是继霍尔传感器后派生的另一种磁敏传感器，采用的半导体材料与霍尔传感器大体相同，但这种传感器对磁场的作用机理不同，传感器内载流子运动方向与被检磁场在同一平面内；磁通门检测仪器是利用磁芯在交变磁场激励下发生导磁特性变化从而调制被测磁场，通过对调制信号的检测实现对外磁场的测量。这些传统的磁场传感器均需要电信号激励，电信号激励产生的磁场通常会对被测磁场产生附加干扰，从而影响了该类传感器检测精度的进一步提高。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术在光纤端面加工基于F-P结构的光纤微悬桥，实现光纤一体化结构，中间反射体增加法布里-珀罗谐振腔极板的面积，并有效保持两极板平行，在光纤微悬桥外表面镀有超磁致伸缩薄膜(GMF：GiantMagnetostrictiveThinFilm)，构成一种基于中间反射体的超本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于F‑P结构的光纤微悬桥磁场传感探头，包括：光纤，对称固支端，基于中间反射体的光纤微悬桥，铬金属膜，超磁致伸缩薄膜，其特征是具有中间反射体的光纤微悬桥位于光纤端面，光纤微悬桥长度为95μm‑105μm，中间反射体长为35μm‑45μm，宽为35μm‑45μm，微悬桥厚度为3μm‑5μm，固支端长度为10μm‑15μm，宽度与光纤微悬桥的宽度相同，为20μm‑30μm，光纤微悬桥与光纤端面通过两对称固支端连接，并且构成法布里‑珀罗谐振腔，形成光纤一体化结构。

【技术特征摘要】
1.一种基于F-P结构的光纤微悬桥磁场传感探头，包括：光纤，对称固支端，基于中间反射体的光纤微悬桥，铬金属膜，超磁致伸缩薄膜，其特征是具有中间反射体的光纤微悬桥位于光纤端面，光纤微悬桥长度为95μm-105μm，中间反射体长为35μm-45μm，宽为35μm-45μm，微悬桥厚度为3μm-5μm，固支端长度为10μm-15μm，宽度与光纤微悬桥的...

【专利技术属性】
技术研发人员：施阳阳，刘月明，韩晓红，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：新型
国别省市：浙江,33