一种带隙基准源制造技术

本发明专利技术提供了一种带隙基准源，包括双极性带隙基准单元，还包括耦接所述带隙基准单元的电流源单元和多余电流吸收单元；所述电流源单元用于为带隙基准单元提供电流源；所述带隙基准单元用于提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流，提高带隙基准源电路输出的电流线性和稳定性。本发明专利技术的有益效果：能够在低电源电压下正常工作，为基准电压Vref提供一定的电流驱动能力，且具有良好的温度特性和电压电流线性。

A bandgap reference source

The invention provides a bandgap reference, including bipolar bandgap reference unit also includes a current source unit coupled to the bandgap reference unit and excess current absorption unit; the current source unit for supplying a current source for the bandgap reference unit; the bandgap reference unit is used for providing the band gap the reference voltage; the current excess absorption unit for excess absorption current in the current source, improving the circuit output gap reference current linearity and stability. The beneficial effect of the invention is that it can work normally under low supply voltage, provide a certain current driving ability for the reference voltage Vref, and has good temperature characteristic and voltage and current linearity.

【技术实现步骤摘要】
一种带隙基准源
本专利技术涉及电子电路领域，具体涉及一种带隙基准源。
技术介绍
基准电压源具有相对较高的精度和稳定度，它的温度稳定性以及抗噪性能影响着整个系统的精度和性能。模拟电路使用基准源，或者是为了得到与电源无关的偏置，或者为了得到与温度无关的偏置，其性能好坏直接影响电路的性能稳定，可见基准源是电子电路不可或缺的一部分，因此性能优良的基准源是一切电子系统设计最基本和最关键的要求之一。
技术实现思路
针对现有技术中的一个或多个问题，本专利技术的目睹在于提供一种具有较好输出电流线性和稳定性的带隙基准源。为了解决上述问题，本专利技术的一个方面提出了：一种带隙基准源，包括双极性带隙基准单元，还包括耦接所述带隙基准单元的电流源单元和多余电流吸收单元；所述电流源单元用于为带隙基准单元提供电流源；所述带隙基准单元用于提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流，提高带隙基准源电路输出的电流线性和稳定性。进一步的，其中：所述电流源单元的输入端耦接输入电压源，输出端提供电流源；所述带隙基准单元的第一端耦接所述电流源单元的输出端，第二端耦接电源地，所述带隙基准单元的第一端作为输出端提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元的第一端耦接带隙基准单元的第一端，第二端耦接电源地，第三端耦接带隙基准单元的第三端。可选的，所述带隙基准单元包括三个第二型三极管N3、N4和N5，电阻R2、R3和R4，其中电阻R2和R3的一端耦接所述带隙基准单元的输出端，电阻R3的另一端耦接三极管N4的集电极，电阻R2的另一端耦接三极管N3的集电极及三极管N5的基极，三极管N3、N4的基极及三极管N4的集电极相连，三极管N4的发射极通过电阻R4接地，三极管N5的集电极耦接所述带隙基准单元的输出端，三极管N3、N5的发射极接地。可选的，所述多余电流吸收单元包括第二型三极管N6，所述三极管N6的集电极耦接所述电流源单元的输出端，基极耦接三极管N5的集电极，发射极耦接电源地。可选的，所述带隙基准单元进一步包括电阻R5和电容C1，其中电阻R5的一端耦接所述带隙基准单元的输出端，另一端耦接电容C1的一端和三极管N5的集电极，电容C1的另一端耦接三极管N3的集电极及三极管N5的基极。可选的，所述电流源电路包括第一型三极管P1和电流偏置电路，其中：所述第一型三极管P1的发射极耦接输入电压源，基极耦接电流偏置电路，集电极用于提供电流源；电流偏置电路包括用于低电压启动的启动电路和偏置电路。可选的，所述启动电路包括场效应管J1和第二型三极管N2，其中场效应管J1的漏极耦接输入电压源，源极耦接三极管N2的集电极和基极，栅极耦接电源地，三极管N2的发射极耦接电源地。可选的，所述偏置电路包括第一型三极管P2、P3，第二型三极管N1，以及电阻R1，其中三极管P2和P3的发射极耦接输入电压源，三极管P2、P3的基极及三极管P2的集电极相连，三极管N1的集电极耦接三极管P2的集电极，基极耦接三极管N2的基极和集电极，发射极通过电阻R1耦接电源地，三极管P3的集电极耦接场效应管J1的源极以及三极管N2的集电极和基极。本专利技术的另一个方面提出了：一种双极性带隙基准电路，包括带隙基准单元和与所述带隙基准单元耦接的多余电流吸收单元，所述带隙基准单元用于接收电流源输入电流并提供带隙基准电压，所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流，提高带隙基准电路输出的电流线性和稳定性可选的，其中：所述带隙基准单元的第一端耦接电流源单元的输出端，第二端耦接电源地，所述带隙基准单元的第一端作为输出端提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元的第一端耦接带隙基准单元的第一端，第二端耦接电源地，第三端耦接带隙基准单元的第三端。可选的，所述带隙基准单元包括三个第二型三极管N3、N4和N5，电阻R2、R3和R4，其中电阻R2和R3的一端耦接所述带隙基准单元的输出端，电阻R3的另一端耦接三极管N4的集电极，电阻R2的另一端耦接三极管N3的集电极及三极管N5的基极，三极管N3、N4的基极及三极管N4的集电极相连，三极管N4的发射极通过电阻R4接地，三极管N5的集电极耦接所述带隙基准单元的输出端，三极管N3、N5的发射极接地。可选的，所述多余电流吸收单元包括第二型三极管N6，所述三极管N6的集电极耦接所述电流源单元的输出端，基极耦接三极管N5的集电极，发射极耦接电源地。可选的，所述带隙基准单元进一步包括电阻R5和电容C1，其中电阻R5的一端耦接所述带隙基准单元的输出端，另一端耦接电容C1的一端和三极管N5的集电极，电容C1的另一端耦接三极管N3的集电极及三极管N5的基极。本专利技术的有益效果：本专利技术的带隙基准源，能够在低电源电压(1.5V)下正常工作，为基准电压Vref提供一定的电流驱动能力。本专利技术的带隙基准源和双极性带隙基准电路，其输出具有良好的温度特性和电压电流线性，能够满足高精度电子电路的电源需求，确保整个电路系统的精度和性能。附图说明图1为现有的通用带隙基准电路的电路图。图2为本专利技术一种实施例的带隙基准源的电路耦接示意图。图3为本专利技术一种实施例的双极性带隙基准电路的电路耦接示意图。图4为本专利技术的带隙基准源一个应用实施例的单元组成及耦接关系示意图。具体实施方式为了进一步理解本专利技术，下面结合实施例对本专利技术优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本专利技术的特征和优点，而不是对本专利技术权利要求的限制。该部分的描述只针对几个典型的实施例，本专利技术并不仅局限于实施例描述的范围。相同或相近的现有技术手段与实施例中的一些技术特征进行相互替换也在本专利技术描述和保护的范围内。说明书中的“耦接”包含直接连接，也包含间接连接，如通过一些有源器件、无源器件或电传导媒介进行的连接。如附图1所示是现有的通用带隙基准电路的电路图，其带隙基准主体电路由NPN管N7、N8、N9和电阻R6、R7、R8组成，其中，式中Ie7、Ie8、Ae7、Ae8分别为N7、N8管的发射极电流和有效发射极面积，Vref＝VBE9+(ΔVBE/R8+IB9)*R7IB9＝Ic9/βΔIB9＝ΔIc9/β＝ΔIo/βΔVref＝ΔIB9*R7＝(ΔIo/β)*R7式中IB9为N9管的基极电流，Ic9为N9管的集电极电流，β为NPN管的放大倍数，VBE9为负温度系数，而ΔVBE为正温度系数，所以理论上调整好Ae7、Ae8和R7、R8的比值就能实现Vref的零温度系数。但上述电路还存在如下缺点：Io下来的多余电流全靠N9管吸收，也即Ic9会随着Io的变化而变化，而Ie9的大小与N9管的基极电流IB9有直接关系，IB9大小的改变会造成R7两段的电压发生变化。这就导致了Vref会随着Io的变化而变化，也即Vref的电流线性不好。鉴于上述缺陷，本专利技术的一个方面提出了一种带隙基准源，以实现低压工作及良好的温度特性和电压电流线性。具体的，在本专利技术的一种实施例中，所述的带隙基准源包括双极性带隙基准单元，还包括耦接所述带隙基准单元的电流源单元和多余电流吸收单元；所述电流源单元用于为带隙基准单元提供电流源；所述带隙基准单元用于提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流，提高带隙基准源电路输出的电流线性和稳定性。其中双极性带隙基准单元中的晶体管为双极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带隙基准源，包括双极性带隙基准单元，其特征在于：还包括耦接所述带隙基准单元的电流源单元和多余电流吸收单元；所述电流源单元用于为带隙基准单元提供电流源；所述带隙基准单元用于提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流。

【技术特征摘要】
1.一种带隙基准源，包括双极性带隙基准单元，其特征在于：还包括耦接所述带隙基准单元的电流源单元和多余电流吸收单元；所述电流源单元用于为带隙基准单元提供电流源；所述带隙基准单元用于提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元用于吸收电流源中的多余电流。2.如权利要求1所述的带隙基准源，其中：所述电流源单元的输入端耦接输入电压源，输出端提供电流源；所述带隙基准单元的第一端耦接所述电流源单元的输出端，第二端耦接电源地，所述带隙基准单元的第一端作为输出端提供带隙基准电压；所述多余电流吸收单元的第一端耦接带隙基准单元的第一端，第二端耦接电源地，第三端耦接带隙基准单元的第三端。3.如权利要求2所述的带隙基准源，其特征在于：所述带隙基准单元包括三个第二型三极管N3、N4和N5，电阻R2、R3和R4，其中电阻R2和R3的一端耦接所述带隙基准单元的第一端，电阻R3的另一端耦接三极管N4的集电极，电阻R2的另一端耦接三极管N3的集电极及三极管N5的基极，三极管N3、N4的基极及三极管N4的集电极相连，三极管N4的发射极通过电阻R4接地，三极管N5的集电极耦接所述带隙基准单元的输出端，三极管N3、N5的发射极接地。4.如权利要求3所述的带隙基准源，其特征在于：所述多余电流吸收单元包括第二型三极管N6，所述三极管N6的集电极耦接所述电流源单元的输出端，基极耦接三极管N5的集电极，发射极耦接电源地。5.如权利要求3或4所述的带隙基准源，其特征在于：所述带隙基准单元进一步包括电阻R5和电容C1，其中电阻R5的一端耦接所述带隙基准单元的输出端，另一端耦接电容C1的一端和三极管N5的集电极，电容C1的另一端耦接三极管N3的集电极及三极管N5的基极。6.如权利要求2所述的带隙基准源，其特征在于：所述电流源电路包括第一型三极管P1和电流偏置电路，其中：所述第一型三极管P1的发射极耦接输入电压源，基极耦接电流偏置电路，集电极用于提供电流源；电流偏置电路包括用于低电压启动的启动电路和偏置电路。7.如权利要求6所述的带隙基准源，其特征在于：所述启动电路包括场效应管J1和第二型三极管N2，其中场效应管J1的漏极耦接输入电压源，源极耦接三极管N2的集电极和基极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：俞朝阳，夏惠江，
申请(专利权)人：杭州百隆电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33